PDF《三安光电（600703.SH）》

838 -919 -1093 -835 -831 P/B 2.81 2.48 2.22 1.96 1.71 现金净增加额

811 -1322

2821 -558

1618 EV/EBITDA 13.34 9.7 9.0 7.9 6.3 资料来源:贝格数据,国盛证券研究所 注:2017 年起政府补助由营业外收入列入其他收益

2019 年02 月18 日P.3 请仔细阅读本报告末页声明 内容目录 LED 龙头地位稳固,历经格局变换强者恒强

5 深耕三五族多年,产业布局完善

5 龙头巩固优势,稳定成长

6 产业、政策助力,成长动能充沛

7 LED 下游空间广阔,短期景气下行不改长期成长

8 LED 应用细分市场前景广阔.8 产能有序扩张中,新进者料冲击有限

9 Mini/Micro LED 新型显示技术打开长期成长空间

10 从LED 芯片龙头到化合物半导体领军者.12 持续加码化合物半导体,III-V 族龙头正式起航

12 化合物半导体性能优良、应用广,产业新机遇

13 砷化镓(GaAs) :无线通信核心材料,受益 5G 大趋势.14 氮化镓&

碳化硅:高压高频应用前景广阔,三安加速突破

16 三安集成:全工艺平台布局,近期碳化硅再下一城

19 盈利预测及投资建议

19 营收拆分及盈利预测.19 投资建议

20 风险提示

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图表目录

图表 1:三安光电发展历程

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图表 2:公司五大核心业务

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图表 3:公司产业布局日趋完善

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图表 4:三安光电营收及增速情况(亿元)7

图表 5:三安光电归母净利润及增速情况(亿元)7

图表 6:公司政府补贴在利润中的占比呈下降趋势(亿元)7

图表 7:公司毛利率领先国内其他 LED 芯片厂商

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图表 8:三安光电股权结构

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图表 9:2017 年LED 下游应用领域分布

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图表 10:LED 下游市场增长情况(单位:Mpcs)9

图表 11:实际产能扩充受芯片降价影响均有所放缓(万片/月)10

图表 13:TFT-LCD、OLED、Micro-LED 结构对比图

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图表 14:LCD、OLED、Micro-LED 优势对比

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图表 15:Micro LED 预期商业化进程

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图表 16:三安集成电路发展方向.13

图表 17:不同化合物半导体应用领域.14

图表 18:化合物半导体材料性能更为优异

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图表 19:PA 价值量明显受益 4G 发展趋势.15

图表 20:目前 PA 产品市场占比.15

图表 21:PA 产品代工厂营收占比情况.15

图表 22:Qorvo 氮化镓射频器件工艺制程.16

图表 23:GaN HEMT 禁带宽度表现优异.16

2019 年02 月18 日P.4 请仔细阅读本报告末页声明

图表 24:GaN 较GaAs 大幅减少体积

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图表 25:SiC 应用领域

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图表 26:SiC 特性和优势.17

图表 27:SiC 较Si 基产品能够大幅减少 Die Size

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图表 28:目前的主流 SiC 和Si 基IGBT 产品

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图表 29:硅基 IGBT 与碳化硅基 MOSFET wafer cost 对比.18

图表 30:碳化硅市场空间(百万美元)18

图表 31:碳化硅产业链.18

图表 32:三安集成全面布局化合物制造工艺平台

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图表 33:三安光电营收拆分

20 2019 年02 月18 日P.5 请仔细阅读本报告末页声明 LED 龙头地位稳固,历经格局变换强者恒强 深耕三五族多年,产业布局完善 多年发展完善产业布局.三安光电主要从事全色系超高亮度 LED 外延片、芯片、化合物 太阳能电池及Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体等的研发、 生产与销售, 总部及产业基地布局在厦门、 天津、安徽、福建等多地.

图表 1:三安光电发展历程 资料来源:三安光电官网,国盛证券研究所 深耕 III-V 族,从LED 到化合物半导体,多元化业务布局.公司从Ⅲ-Ⅴ族化合物半导 体材料应用开始,以芯片为核心主业,分为可见光、不可见光、通讯以及功率转换等领 域.一方面,公司传统的可见光业务迅速发展,LED 产能不断扩张,并紧随行业发展趋 势,积极布局新应用领域 Mini LED、Micro-LED 等,另一方面,公司积极推进不可见光 业务布局,稳步推进砷化镓 PA 和氮化镓电力电子集成芯片国内外客户验证,进一步推 进光通讯和滤波器业务布局.传统业务与新型业务齐头并进,巩固公司行业龙头地位.