编辑: qksr 2015-09-10

8 3. 输入共模信号抑制比 输入共模电压范围 ? ? VOUT VDD VIN1 VIN2 图8 ? 输入共模信号抑制比(CMRR) 使VIN发生变化,当VOUT发生变化时的VIN1-VIN2即为输 入失调电压(VIO),然后按照如下公式计算出输入共模 信号抑制比(CMRR). 测定条件:VIN2 ? VCMR (最大值)时: VIO ? VIO1 VIN2 ? VCMR (最小值)时: VIO ? VIO2 CMRR ? 20log ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? IO2 IO1 CMR CMR V V ) ( V ) ( V 最小值 最大值 ? 输入共模电压范围(VCMR) 表示当VOUT符合输入共模信号抑制比的规格时的VIN2的 电压范围. 4. 最大输出振幅电压 VIN2 ? ? VDD/2 VOH VDD VIN1 RL 图9 ? 最大输出振幅电压(VOH) 测定条件: V 0.1

2 V V DD IN1 ? ? V 0.1

2 V V DD IN2 ? ? RL ?

1 M? VIN2 ? ? VDD/2 VOL VDD VIN1 RL 图10 ? 最大输出振幅电压(VOL) 测定条件: V 0.1

2 V V DD IN1 ? ? V 0.1

2 V V DD IN2 ? ? RL ?

1 M? 微型模拟系列 0.7 ?A Rail-to-Rail CMOS比较器 Rev.4.1_02 S-89530A/89531A

9 5. 电源电流 VIN1 VIN2 ? ? VOUT VDD A 图11 ? 电源电流(IDDH) 测定条件:VIN1 ? VSS VIN2 ? VDD ? 电源电流(IDDL) 测定条件:VIN1 ? VDD VIN2 ? VSS 6. 源电流 VIN2 ? ? VOUT VDD A VIN1 图12 ? 源电流(ISOURCE) 测定条件: V 0.1

2 V V DD IN1 ? ? V 0.1

2 V V DD IN2 ? ? VOUT ? VDD ? 0.1 V或VOUT ?

0 V 7. 吸收电流 VIN2 ? ?? VDD VOUT A VIN1 图13 ? 吸收电流(ISINK) 测定条件: V 0.1

2 V V DD IN1 ? ? V 0.1

2 V V DD IN2 ? ? VOUT ? 0.1 V或VOUT ? VDD 微型模拟系列 0.7 ?A Rail-to-Rail CMOS比较器 S-89530A/89531A Rev.4.1_02

10 8. 传输延迟时间/过渡响应时间 图14 ? 注意事项 ? 当RL ?

100 k?时,在?40?C、VDD ? 0.9 V的条件下,VOH有时仅能上升到0.65 V左右. 但是当温度在?20?C时,即使RL ?

100 k?,在VDD ? 0.9 V的条件下,VOH也可上升到0.8 V左右(从VDD提升100 mV). 即使温度在?40?C时,若VDD ? 1.2 V,在RL ?

100 k?的条件下,VOH也能上升到0.88 V左右(从VDD提升20 mV). 以上的所有温度特性数据仅为参考值,在相同条件下并未进行全数测试. ? 请在不超过7 mA的范围内使用源电流. ? 本IC虽内置防静电保护电路,但请不要对IC施加超过保护电路性能的过大静电. VOUT VOUT VOH ? VDD ? 0.9 VOL ? VDD ? 0........

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