PPT《计算机组成与结构》

8 4KB = 4k*8b 3. SRAM 存储芯片实例-2114 2114-1k*4 SRAM C:\My Documents\

第四章 主存\3.5 2114.swf Pin Names A0 - A9 Address Inputs I/O1 - I/O4 Data Input/Output WE: Write Enable Input (Active LOW) CS: Chip Select Input (Active LOW) Vcc Power (+5Vdc) GND Ground (0Vdc) 写过程 4.动态存储器 ( DRAM ) 存储单元依靠电容存储信息,C有电荷或无电荷表示两种状态 电路图:三管存储单元 4.动态存储器 ( DRAM ) 读出数据线预充电到高电平,然后读出选择线来高电平,使T3导通,如C有电荷,则T2通,读出数据线通过T

2、T3接地,读出低电平,如C无电荷,T2不通,读出数据线的电平信号没有变化. 读过程 4.动态存储器 ( DRAM ) 写入时,在写入数据线加写入信号,在写入选择线加高电平,T1通,C充电或放电. 写过程 单管DRAM 工作原理 保持信息 字线低, T管截止, Cs中电荷保持,有电荷'

1'

无为'

0'

.写入信息 字线高读出信息 位线预充电为高,字线高,T导通,Cs充放电,位线接放大器检测电流信号.破坏性读出:读出后要对信息进行重写 位线低,充电写1位线高,放电写0 A B DRAM存储原理 16K*1 SRAM 16K*1 DRAM DRAM存储原理 16K*1 DRAM存储框图 DRAM结构示意图 行列分时寻址 (Multiplexing) RAS ( Row Address Strobe ) CAS (Column Address Strobe )Sense and Refresh Amplifiers DRAM的特点可制成高容量高密度的存储器;

功耗小.破坏性读出,需再生;

速度相对慢;

电容漏电,需动态刷新.再生(刷新)为保持存储信息,对电容进行充电以恢复原来的电荷.这一过程称为再生或刷新.采用 读出 方式进行再生.由于DRAM每列都有自己的读放,因此,只要依次改变行地址,轮流对存储矩阵的每一行所有单元同时进行读出,当把所有行全部读出一遍,就完成了对存储器的再生 DRAM的刷新读出方式进行刷新,行再生刷新周期 2ms刷新方式 - 集中式、分布式

1024 8975

8976 10000 1024行,内存读写周期200ns 2ms/1024行=1953ns DRAM vs SRAM引脚数少,封装尺寸小,存储容量较大;

价格比较便宜;

功率小.速度比SRAM要低;

需再生,浪费时间;

需配套的再生电路,消耗部分功率. 4.4 非易失半导体存储器 1.只读存储器(ROM) 工业控制机或电器 可根据需要编程只能写一次 可自行改变某些存储元 一次编程( PROM ) 用户编写并可修改程序或产品试制阶段试编程序, IC卡 可多次改写 可用紫外光照射或电擦除并重写 多次编程( EPROM E2PROM ) 固定程序微程序控制 可靠性集成度高不能重写 数据在芯片制造过程中就确........