PDF《数据手册》

512 Word 17+1INPUT 12-bit*14Ch 8-bit*1 12-bit*3 SOP20 HR7P169BFGNF QFN20 HR7P169BFGTF TSSOP20 HR7P169BFGDF* DIP20 HR7P169BFGSD 13+1INPUT 12-bit*10Ch SOP16 注*:此型号已停产 封装:S―SOP20/16;

N―QFN20;

T―TSSOP20;

D―DIP20 ROM容量:G―8K Words(16K Bytes) ROM类型:F―FLASH ROM 169B:MCU型号 7P:8位MCU系列号 HR 7P No. X X X X 管脚数:F―20;

D―16 地址:中国上海市龙漕路

299 号天华信息科技园 2A 楼5层邮编:200235 E-mail:support@essemi.com

电话:+86-21-60910333 传真:+86-21-60914991

网址:http://www.essemi.com 版权所有? 上海东软载波微电子有限公司 本资料内容为上海东软载波微电子有限公司在现有数据资料基础上慎重且力求准确无误编制而成,本资料中所记载 的实例以正确的使用方法和标准操作为前提,使用方在应用该等实例时请充分考虑外部诸条件,上海东软载波微电 子有限公司不担保或确认该等实例在使用方的适用性、适当性或完整性,上海东软载波微电子有限公司亦不对使用 方因使用本资料所有内容而可能或已经带来的风险或后果承担任何法律责任. 基于使本资料的内容更加完善等原因, 上海东软载波微电子有限公司保留未经预告的修改权.使用方如需获得最新的产品信息,请随时用上述联系方式与 上海东软载波微电子有限公司联系. HR7P169B 数据手册 V1.13 4/172 版权所有?上海东软载波微电子有限公司 http://www.essemi.com 修订历史 版本 修改日期 更改概要 V1.0 2015-10-30 初版发布 V1.1 2016-1-22 1:新增 TSSOP20 封装信息;

2:修改 VREF/ADC/ISP/数据 FLASH 等模块描述;

V1.2 2016-3-10 1:修改电气特性 ADC 转换特性表和转换时间对照表;

2:取消 PB7/PB6/PC1/PC0 默认弱上拉使能;

V1.3 2016-08-16 增加了未引出的和未使用的 I/O 管脚处理 V1.4 2016-11-18 1:模拟比较器关断 PWM 功能更新;

2:PPG 故障检测功能更新;

3:增加内部参考可作为 ADC 输入通道选择;

4:新增 UART 可选择单线分时发送/接收功能;

V1.5 2016-12-29 1:新增 DIP20 封装信息;

2:更新 ADC 转换例程;

3:添加备注:丢弃 ADEN 使能后的第一次转换结果;

4:WDT 溢出时间更新. V1.6 2017-7-7 1:更新 T11OC 寄存器中的 PWM1XUD 位;

2:删除端口大电流定义;

3:新增芯片端口输入电平限定范围说明;

4:新增对 PWM 输出极性选择位 PWMxM的使用说明. V1.7 2017-9-8 1. 增加模拟小信号 ADC offset 特性表;

2. 添加放大器和比较器之校准寄存器的使用注意事项;

3. 新增高

4 位精度寄存器与高

4 位周期寄存器的使用注意事 项. V1.8 2018-1-16 1. 更新 HRC 校准精度: 常温校准精度为±1%, 全温度范围内 为±2%;

2. 更新了 T1x 模块的单脉冲发射模式和 PWM 输出极性的说 明介绍. V1.9 2018-5-17 1. 更新全局中断使能 GIE 和低优先级中断使能 GIEL 的清

0 和置

1 的操作注意事项;

2. 添加 ADC 工作建立的相关内容;

3. 更新了模拟运放 OPA 交流特性表中的输入共模电压范围. V1.10 2018-9-11 1. 更新内部参考电压精度参数;

2. 参数特性图章节添加芯片运行模式电流随电压-系统时钟 频率变化特性图;

3. 更新复位章节时序图;

4. 更新 ADC 外部参考电压的范围,不能低于 1.3V@VDD=3.3V,1.8V@VDD=5.0V. 5. 更新 ADC 时序特征示意图和备注 Tog >

80us. V1.11 2019-1-14 1. 电气特性部分新增芯片 ESD 特性;

HR7P169B 数据手册 V1.13 5/172 版权所有?上海东软载波微电子有限公司 http://www.essemi.com 2. 增强对 SFR 寄存器中的仅供测试用控制位的描述, 禁止用 户设置;