PDF《TB6561NG》

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1 译文 东芝 Bi-CMOS 单晶硅集成电路 TB6561NG DC 马达双全桥驱动器 IC TB6561NG 为输出段含 MOS 晶体管的 DC 有刷马达用双桥式驱动 器IC. 利用低导通电阻 MOS 晶体管和 PWM 电流控制电路,使驱动器达 到高效. 特征 ? 电源电压:

40 V(最大值) ? 输出电流: 1.5 A(最大值) ? 低导通电阻: 1.5 Ω (上下晶体管/典型值) ? 直接 PWM 电流控制系统 ? 节能功能 ? 正向/反向/短路制动/停止模式 ? 过流保护: ILIM = 2.5 A(典型值) ? 热关机 ? 封装: SDIP-24-P-300-1.78 重量:1.62 g(典型值) ? 下列条件适用于可焊性: 关于可焊性,已确认下列条件. (1) 使用 Sn-37Pb 焊浴 ?焊浴温度: 230℃ ?浸渍时间:

5 s ?次数: 一次 ?使用 R 型助焊剂 (2) 使用 Sn-3.0Ag-0.5Cu 焊浴 ?焊浴温度: 245℃ ?浸渍温度:

5 s ?次数: 一次 ?使用 R 型助焊剂 TB6561NG 2010-08-25

2 译文 方块图 出于解释目的,方块图中的某些功能模块,电路和常数可能忽略或简化. 引脚分配 N.C.:

9 引脚,

16 引脚 S-GND

1 24 S-GND Vreg

2 23 VCC SB

3 22 CLD PWMA

4 21 PWMB IN1A

5 20 IN1B IN2A

6 19 IN2B VCC

7 18 VCC OUT1A

8 17 OUT1B N.C.

9 16 N.C. P-GNDA

10 15 P-GNDB OUT2A

11 14 OUT2B S-GND

12 13 S-GND 控制逻辑 过电流 检测电路

5 V S-GND Vreg

24 2

3 23

11 7

8 14

18 17

13 SB VCC OUT2A VCC OUT1A OUT2B VCC OUT1B S-GND

1 5

6 4

20 19

21 22

10 15

12 P-GNDA CLD PWMB IN2B IN1B PWMA IN2A IN1A S-GND P-GNDB S-GND TB6561NG 2010-08-25

3 译文 绝对最大额定值(Ta = 25°C) 特性 符号 额定值 单位 电源电压 VCC

40 V 输出电压 VO

40 (注1) V 输出电流 IO (Peak) 1.5 (注2) A 输入电压 VIN ?0.3 ~ 5.5 V 功耗 PD 2.5 (注3) W 工作温度 Topr ?20 ~

85 °C 贮存温度 Tstg ?55 ~

150 °C 半导体装置的绝对最大额定值是一组规定的参数值,工作时不得超过这些参数值,即使只是一瞬间. 如工作时超过了任一额定值,则该装置的电气特性可能发生不可恢复的改变.在此情况下,无法再保障装置的可靠性和 寿命. 此外,工作时如超过额定值,可能造成其它设备故障,损害和/或老化.装置的应用软件的设计应确保在任何工作条件下 都不会超过绝对最大额定值. 注1: 请使用在以上绝对最大额定值范围内的输出电压,40 V,其中包含反电动势电压. 注2: 输出电流可以占空周期,环境温度和散热片为准.应确保结温不超过 150°C (最大值). 注3: 板上安装时(50 mm *

50 mm * 1.6 mm,铜面积:

50 %) 工作范围(Ta = 25°C) 特性 符号 额定值 单位 电源电压 VCC

10 ~

36 V TB6561NG 2010-08-25

4 译文 引脚描述 引脚编号 符号 功能说明 备注

1 S-GND 信号接地 ?

2 Vreg 5-V 输出引脚 在此引脚和 S-GND 引脚之间连接电容器 (0.1μF).

3 SB 待机引脚 高:启动,低:待机;

内部下拉电阻

100 k? (典型值).

4 PWMA 旋转方向控制引脚(chA) 施以 0-V/5-V 信号;

内部下拉电阻

100 k? (典型值).

5 IN1A 输入引脚

1 (chA) 施以 0-V/5-V 信号;

内部下拉电阻

100 k? (典型值).

6 IN2A 输入引脚

2 (chA) 施以 0-V/5-V 信号;

内部下拉电阻

100 k? (典型值).

7 VCC 马达驱动电源电压输入引脚(chA) VCC (opr) =