PDF《扬州扬杰电子科技股份有限公司 2018 年年度报告摘要》

积极推进降本增效工作,成功研制出高密度 框架,提高框架有效使用面积近50%,显著降低框架成本,资源利用率与生产效率得到双提高.微型小信 号功率器件上取得的技术突破,进一步提高了公司在半导体功率器件领域的核心竞争力和市场份额. 扬州扬杰电子科技股份有限公司

2018 年年度报告摘要

6 B、6寸普通肖特基芯片实现全系列量产,可广泛应用于消费类电子、家用电器等领域;

高可靠性平面 肖特基芯片实现研发量产,可满足汽车电子行业标准,为公司拓展汽车电子领域提供有力保障;

高能效低 正向压降肖特基芯片实现全系列开发,100V及以下芯片实现系列化量产,积极响应国家节能减排的号召, 提升了公司在消费类电子、安防、新能源等下游应用领域的市场竞争力. C、公司整合4寸晶圆研发力量,持续优化防护类器件产品组合,全面提升低压平面TVS产品的VC性能,使其达到国内先进水平,进一步增强公司在安防、通信等领域的推广实力. D、公司自主设计研发的8英寸超高密度沟槽功率MOSFET产品实现量产,并形成大批量销售,其中主 打N/P 20V~100V系列产品特征导通电阻达到国内同行先进水平,部分产品已批量进入国内中高端客户群;

40V~100V SGT MOS产品特征导通电阻和电容特性参数均达........