PDF《根源上的工艺控制加速了多重曝光技术和 EUV 微影的整合》

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lockwood@kla-tencor.com becky.howland@kla-tencor.com KLA-Tencor 公司针对

7 纳米以下的 IC 制造推出五款图案成型控制系统 根源上的工艺控制加速了多重曝光技术和 EUV 微影的整合 加利福尼亚州米尔皮塔斯,2017 年9月11 日-KLA-Tencor 公司(纳斯达克股票交易代码: KLAC)今天针对

7 纳米以下的逻辑和尖端内存设计节点推出了五款图案成型控制系统,以帮 助芯片制造商实现多重曝光技术和 EUV 光刻所需的严格工艺宽容度.在IC 制造厂内,ATL? 叠对量测系统和 SpectraFilm? F1 薄膜量测系统可以针对 finFET、DRAM、3D NAND 和其 他复杂器件结构的制造提供工艺表征分析和偏移监控.Teron? 640e 光罩检测产品系列和 LMS IPRO7 光罩叠对位准量测系统可以协助掩模厂开发和认证 EUV 和先进的光学光罩.5D Analyzer? X1 先进数据分析系统提供开放架构的基础,以支持晶圆厂量身定制分析和实时工 艺控制的应用.这五款新系统拓展了 KLA-Tencor 的多元化量测、检测和数据分析的系统组 合,从而可以从根源上对工艺变化进行识别和纠正. 对于

7 纳米和

5 纳米设计节点,芯片制造商找到产品上叠对误差,线宽尺寸不均匀和易失 效点(hotspots)的明确起因变得越来越困难, KLA-Tencor 公司全球产品集团执行副总裁 Ahmad Khan 表示: 除了曝光机的校正之外,我们的客户也在了解所有的光罩和芯片工艺 步骤变化是如何影响图案成型的.通过自由提取全制造厂范围的量测和监测数据,IC 工程师 可以快速地确定并在发生工艺问题的地方直接控制.我们的系统,例如今天推出的五款系 统,将为客户提供我们最尖端的技术,让他们的专家能够降低由每个晶片、光罩和工艺步骤 所导致的图案成型误差. 支持

7 纳米以下设计节点器件的五个新的图案成型控制系统包括: ? ATL 叠对量测系统采用独特的可调激光技术,具有

1 纳米波长分辨率,在工艺发生变 化的情况下仍然可以自动保持稳定的高精度叠对误差测量,从而支持快速的技术提升 以及生产过程中精确的晶圆处置. ? SpectraFilm F1 薄膜量测系统采用全新光学技术,对单层和多层薄膜厚度和均匀性进 行高精度测量,用于监测生产中的沉积工艺,并提供带宽数据,从而无需等到生产线 终端测试就可以提早预测器件的电性能. ? Teron 640e 光罩检测系统采用增强的光学系统、检测器和算法功能,可以捕捉关键的 图案和颗粒缺陷并实现高产量检测,协助先进的掩模厂推动 EUV 和光学图案光罩的开 发和认证. ? LMS IPRO7 光罩叠对位准量测系统采用新的操作模式,可以在很短的周期时间内精确 测量器件内的光罩图案放置误差,从而为电子束掩模制版设备的校正实现了全面的光 罩鉴定,并在 IC 制造厂减少了与光罩相关的器件叠对误差. ? 5D Analyzer X1 数据分析系统提供了一个可扩展的开放式架构,可接收来自不同的量 测和工艺设备的数据,以实现对全厂范围内工艺变化的先进分析、表征和实时控制. ATL、SpectraFilm F

1、Teron 640e、LMS IPRO7 和5D Analyzer X1 是KLA-Tencor 独特的 5D 图案成型控制解决方案?的一部分,它还包括用于图案化晶圆形貌测量,工艺实测,线宽 和器件轮廓测量,光刻和图案成型模拟,以及发现关键易失效点的系统.全球领先的 IC 制造 商已经在使用 ATL,SpectraFilm F1 和5D Analyzer X1 系统,来支持一系列图案成型控制的 应用.通过升级和新设备安装,Teron 640e 和LMS IPRO7 进一步增加了 KLA-Tencor 在尖 端掩模厂中众多的光罩检测和量测系统的安装数量.为了保持 IC 制造所需要的高性能和高产 量,ATL、SpectraFilm F