编辑: qksr 2013-05-08

? 在低功耗睡眠模式下,可关闭闪存 (掉电模式和时钟门控) .当处理器从 SRAM1 或SRAM2 执行时,它还可在低功耗运行模式下关闭;

? 系统时钟频率最大限于

2 MHz. 可选择 MSI 内部 RC 振荡器, 因为它支持多种频率范围, 低功耗睡眠闪存关闭时 MCU 总消耗很小,在100 kHz 可低至

18 ?A. 批采集子模式 (BAM) STM32L4 微控制器支持功率高效批采集子模式 (BAM) ,其中数据利用通信外设传输,器 件其他部分处于低功耗模式. 这可通过利用以下配置进入睡眠或低功耗睡眠模式来实现: ? 睡眠 (或低功耗睡眠)模式下,仅DMA、通信外设和 SRAM1 或SRAM2 时钟使能;

? 睡眠 (或低功耗睡眠)模式下闪存关闭:闪存掉电,且闪存时钟门控关闭;

? 如果系统时钟可限制于

2 MHz 内,则主稳压器关闭 (以进入低功耗睡眠) . 低功耗睡眠模式下, I2C 和USART/LPUART 外设仍然可由

16 MHz HSI 提供时钟.这允许 支持 BAM,且I2C 或USART 速度可达

1 Mbps. STM32L4 系列产品低功耗特性 AN4746 8/30 DocID028138 Rev

1 [English Rev 1] 2.1.2 停止模式 STM32L4 系列产品实现了两个停止模式,具有完全 SRAM 和外设保持能力,并且由于使用 了高达

48 MHz 的MSI,能够在

4 ?s 内唤醒. 在这些停止模式下,所有高速振荡器 (HSE, MSI, HSI)都停止,而低速振荡器 (LSE, LSI)可保持活动.外设可设置为活动的,需要时可使用 HSI 时钟,能够在一些特定事件 (如UART 字符接收或 I2C 地址识别)下唤醒设备. Stop2 模式可实现专门机制,使保持电流尽可能低,同时允许非常快速的唤醒,从SRAM 唤 醒需要

5 ?s,或从闪存唤醒需要

8 ?s. 2.1.3 待机模式 待机模式下, BOR 始终使能,这保证了在供电电压低于所选功能阈值时器件处于复位. 默认待机模式下 SRAM 内容丢失.但是,可以保持 SRAM2 的内容 (有230 nA 的额外电流 消耗) . 在待机模式下可在每个 I/O 上独立地施加上拉和下拉,这能够保持外部器件配置. 借助某一个 (共五个)唤醒引脚、复位引脚或独立看门狗,能够从该模式唤醒.由低速振荡 器(LSE 或LSI)定时的 RTC 在此模式下也是起作用的,具有唤醒功能. 2.1.4 关机模式 在STM32L4xx 器件上实现了新的关机模式,以延长电池供电应用中的电池寿命. 通过关闭内部稳压器,以及禁用耗电监控,该模式可实现最低电流消耗 (3 V 时消耗为

60 nA) .借助某一个 (共五个)唤醒引脚或复位引脚,能够从该模式唤醒.由低速外部振荡器 (LSE)定时的 RTC 在此模式下也是起作用的,具有唤醒功能. DocID028138 Rev

1 [English Rev 1] 9/30 AN4746 STM32L4 系列产品低功耗特性

29 2.2 运行模式功耗 图2,摘自 [2].,给出了 STM32L476 在25 °C 时对于不同 CPU 频率的典型电流消耗值,此 时在 3.0 V 供电下运行 Fibonacci 算法: 图2. 运行模式电流消耗 此曲线可转化为功率效率,将其除以电流消耗、乘以 VDD 得到该 CPU 频率下的功率图,见图3. 06Y9

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??δ P$ ε 仇?δ0+]ε ??5DQJH ??5DQJH /3?? STM32L4 系列产品低功耗特性 AN4746 10/30 DocID028138 Rev

1 [English Rev 1] 图3. 运行模式功率效率 在运行 Range

2 的最大频率

26 MHz 时可得到最佳效率. 06Y9 ????δ ?$0+] ε ??5DQJH ??5DQJH /3?? 仇?δ0+]ε DocID028138 Rev

1 [English Rev 1] 11/30 AN4746 低功耗模式选择方法

29 3 低功耗模式选择方法 考虑一个简化的应用模型,其中应用每个 Tperiod 唤醒一次,始终执行一些相同操作并将指 令数视为常数 (无等待循环,无数据依赖) .这样我们可作如下近似: ? PROCESS 阶段持续时间 (Tprocess)可由每个周期要执行的循环次数 (NOC)来定 义.将FCLK 定义为 CPU 系统时钟频率, PROCESS 阶段的持续时间等于 Tprocess = NOC / FCLK.此阶段的平均电流消耗等于 Iprocess. ? INACTIVE 阶段持续时间为 Tperiod - Tprocess,其平均电流消耗为 Iinactive. 图4. 应用时序和参数 要得到平均电流消耗,我们必须将 PROCESS 阶段和 INACTIVE 阶段的消耗加合起来. PROCESS 阶段持续时间与要执行的循环次数 (在我们的示例中为常数)成比例: 值NOC/(FCLK ? Tperiod) 通常称为占空比. 06Y9 ?? ?? 7SHULRG 7SURFHVV ??12&

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