PDF《吉林华微电子股份有限公司 2015 年年度报告》

2015 年年度报告

1 /

149 公司代码:600360 公司简称:华微电子 吉林华微电子股份有限公司

2015 年年度报告 重要提示

一、本公司董事会、 监事会及董事、 监事、 高级管理人员保证年度报告内容的真实、 准确、 完整, 不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任.

二、公司全体董事出席董事会会议.

三、 众华会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告.

四、公司负责人夏增文、主管会计工作负责人王晓林 及会计机构负责人(会计主管人员)朱晓 丽声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整.

五、 经董事会审议的报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司

2015 年度的利润分配预案为:以公司现有总股本 738,080,000 股为基数,拟每

10 股派 发现金股利 0.20 元(含税),总计派发现金股利 14,761,600.00 元,剩余 503,278,193.39 元转 至以后年度分配.本年度不进行资本公积金转增股本方案.

六、 前瞻性陈述的风险声明 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺,敬请 投资者注意投资风险.

七、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否

八、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况? 否

九、 重大风险提示 报告期内,不存在对公司生产经营产生实质性影响的重大风险.公司已在本报告中详细描述 可能存在的风险因素,请查阅董事会报告中关于公司未来发展的讨论与分析中可能面对的风险因 素及对策部分的内容.

十、 其他 无2015 年年度报告

2 /

149 目录

第一节 释义.3

第二节 公司简介和主要财务指标.4

第三节 公司业务概要.7

第四节 管理层讨论与分析.8

第五节 重要事项.18

第六节 普通股股份变动及股东情况.29

第七节 优先股相关情况.33

第八节 董事、监事、高级管理人员和员工情况.34

第九节 公司治理.40

第十节 公司债券相关情况.44 第十一节 财务报告.48 第十二节 备查文件目录.149

2015 年年度报告

3 /

149

第一节 释义

一、 释义 在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义: 常用词语释义 华微电子、本公司、公司 指 吉林华微电子股份有限公司 麦吉柯 指 吉林麦吉柯半导体有限公司 广州华微 指 广州华微电子有限公司 吉林华升 指 吉林华升电子有限责任公司 吉林斯帕克 指 吉林华微斯帕克电气有限公司 深圳斯帕克 指 深圳斯帕克电机有限公司 上海稳先 指 上海稳先微电子有限公司 吉华微特 指 深圳吉华微特电子有限公司 中国证监会、证监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所、交易所 指 上海证券交易所 股东大会 指 吉林华微电子股份有限公司股东大会 董事会 指 吉林华微电子股份有限公司董事会 监事会 指 吉林华微电子股份有限公司监事会 《公司章程》 指 《吉林华微电子股份有限公司章程》 《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》 《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》 《上市规则》 指 《上海证券交易所股票上市规则》 报告期、报告期内、本期 指2015 年1月1日至

2015 年12 月31 日MOSFET 指金属氧化层半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect Transistor),是高输入阻抗、电压控制器件. IGBT 指 绝缘栅双极型晶体管 (Insulated Gate Bipolar Transistor) , 是由 BJT 和MOSFET 组成的复合 全控型电压驱动式功率半导体器件. 三极管(BJT) 指也称双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor),是一种具有三个终端的电子器 件,是低输入阻抗、电流控制器件. 肖特基势垒二极管 指 肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode) 是以其发明人肖特基博士命名的一种金属―半 导体二极管,以下简称肖特基.

2015 年年度报告

4 /

149

第二节 公司简介和主要财务指标

一、 公司信息 公司的中文名称 吉林华微电子股份有限公司 公司的中文简称 华微电子 公司的外文名称 JiLin Sino-Microelectronics Co.,Ltd. 公司的外文名称缩写 JSMC 公司的法定代表人 夏增文

二、 联系人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表 姓名 聂嘉宏 李铁岩 联系地址 吉林省吉林市高新区深圳街99号 吉林省吉林市高新区深圳街99号 电话 0432-64684562 0432-64684562 传真 0432-64665812 0432-64665812 电子信箱 niejiahong@hwdz.com.cn hwdz99@hwdz.com.cn

三、 基本情况简介 公司注册地址 吉林省吉林市高新区深圳街99号 公司注册地址的邮政编码

132013 公司办公地址 吉林省吉林市高新区深圳街99号 公司办公地址的邮政编码

132013 公司网址 http://www.hwdz.com.cn 电子信箱 IR@hwdz.com.cn

四、 信息披露及备置地点 公司选定的信息披露媒体名称 《中国证券报》《上海证券报》《证券时报》《证 券日报》 登载年度报告的中国证监会指定网站的网址 http://www.sse.com.cn 公司年度报告备置地点 吉林华微电子股份有限公司董事会秘书处

五、 公司股票简况 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所 华微电子

600360

六、 其他相关资料 公司聘请的会计师事务所(境内) 名称 众华会计师事务所(特殊普通合伙) 办公地址 上海市中山南路

100 号金外滩国际广场

6 楼 签字会计师姓名 陆士敏、莫旭巍

2015 年年度报告

5 /

149

七、 近三年主要会计数据和财务指标

(一) 主要会计数据 单位:元 币种:人民币 主要会计数据 2015年2014年 本期 比上 年同 期增 减(%) 2013年 营业收入 1,300,659,652.87 1,235,814,183.64 5.25 1,247,865,518.16 归属于上市公司股东的净 利润 43,007,734.35 35,665,286.16 20.59 43,977,762.76 归属于上市公司股东的扣 除非经常性损益的净利润 34,319,594.47 23,810,176.18 44.14 20,269,388.45 经营活动产生的现金流量 净额 236,854,045.78 236,689,597.81 0.07 167,747,932.00 2015年末 2014年末 本期 末比 上年 同期 末增 减(% ) 2013年末 归属于上市公司股东的净 资产 1,995,194,387.60 1,963,461,053.25 1.62 1,942,557,367.09 总资产 3,581,882,634.78 3,582,280,987.47 -0.01 3,472,279,981.69 期末总股本 738,080,000.00 738,080,000.00

0 738,080,000.00

(二) 主要财务指标 主要财务指标 2015年2014年 本期比上年同 期增减(%) 2013年 基本每股收益(元/股) 0.06 0.05 20.00 0.06 稀释每股收益(元/股) 0.06 0.05 20.00 0.06 扣除非经常性损益后的基本每 股收益(元/股) 0.05 0.03 66.67 0.03 加权平均净资产收益率(%) 2.18 1.83 增加0.35个百 分点 2.38 扣除非经常性损益后的加权平 均净资产收益率(%) 1.74 1.22 增加0.52个百 分点 1.10

八、 境内外会计准则下会计数据差异

(一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东 的净资产差异情况 适用 √不适用

2015 年年度报告

6 /

149

(二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和属于上市公司股东的净 资产差异情况 适用 √不适用

(三) 境内外会计准则差异的说明: 无

九、

2015 年分季度主要财务数据 单位:元 币种:人民币 第一季度 (1-3 月份) 第二季度 (4-6 月份) 第三季度 (7-9 月份) 第四季度 (10-12 月份) 营业收入 247,662,950.11 301,055,313.47 378,042,133.48 373,899,255.81 归属于上市公司股东 的净利润 7,742,896.58 11,508,797.48 8,743,936.54 15,012,103.75 归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 后的净利润 4,766,314.76 10,572,381.71 7,170,973.04 11,809,924.96 经营活动产生的现金 流量净额 52,741,886.07 75,597,234.21 44,347,839.01 64,167,086.49 季度数据与已披露定期报告数据差异说明 适用 √不适用

十、 非经常性损益项目和金额 √适用 不适用 单位:元 币种:人民币 非经常性损益项目

2015 年金额 附注(如 适用)

2014 年金额

2013 年金额 非流动资产处置损益 -907,624.64 -243,005.30 20,890,862.97 计入当期损益的政府补助,但与 公司正常经营业务密切相关,符 合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助 除外 12,015,800.00 14,232,800.00 5,736,499.96 债务重组损益 1,192,687.50 除上述各项之外的其他营业外收 入和支出 -66,428.46 -41,474.61 171,834.50 其他符合非经常性损益定义的损 益项目 少数股东权益影响额 -1,993,307.02 -7,034.16 -125,039.04 所得税影响额 -360,300.00 -2,086,175.95 -4,158,471.58 合计 8,688,139.88 11,855,109.98 23,708,374.31

2015 年年度报告

7 /

149

第三节 公司业务概要

一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式及行业情况说明 公司主要从事功率半导体器件的设计研发、芯片制造、封装测试、销售等业务.公司坚持生 产一代、储备一代、研发一代的技术开发战略,不断向功率半导体器件的中高端技术及应用领域 拓展. 公司发挥自身产品设计、 工艺设计等综合技术优势, 已建立从高端二极管、 单双向可控硅、 VDMOS 到第六代 IGBT 国内最齐全、最具竞争力的功率半导体器件产品体系,正逐步由单一器件供 应商向整体解决方案供应商转变;

公司针对目标市场采取抓大抓优的营销策略,借助以技术营销 为核心的营销管理体系有效实现对大、优客户的保障与服务. 目前,中国已成为全球最大的功率半导体器件市场,市场需求逐年增加,庞大的市场吸引国 际功率半导体器件企业不断通过合资、合作的方式向中国转移,这将推动中国功率半导体器件行 业快速向中高端应用市场拓展,对于国内具有充分技术储备的优质的功率半导体器件企业将是难 得的发展机遇.

二、报告期内核心竞争力分析 公司经过近五十年的不断积累、完善提升,已成为国内技术领先、产品种类最为齐全的功率 半导体器件 IDM 公司,先进、成熟的工艺技术平台、高品质的产品、迅捷专业的服务,为企业赢 得了良好的市场口碑.

1、 公司坚持产品创新与技术创新, 代代传承的将功率半导体器件做精、 做强的 工匠 精神, 推动公司向功率半导体器件中高端领域不断拓展;

目前公司已掌握从高端二极管到第六代 IGBT 等各领域的核心技术,产品涵盖 IGBT、MOSFET、SBD、FRD、SCR、BJT 等,已逐步具备向客户提供 整体解决方案的能力.

2、公司坚持营销管理创新,通过推进技术营销,将传统销售的 卖 转变为服务与合作.当 前中国正处于供给侧改革期,战略性新兴领域的快速成长以及国家对核心领域自主技术的迫切需 求为国内功率半导体行业提供了广阔的发展空间.技术营销模式的不断深化有效地为公司适应国 家战略,实现中高端领域的快速拓展提供了良好的平台,保障公司加快营销节奏、效率,快速在 中高端领域实现突破.

3、公司具备国内领先的制造能力.公司拥有

4 英寸、5 英寸与

6 英寸等多条功率半导体晶圆 生产线,报告期内,各尺寸晶圆生产能力为

400 余万片/年,封装资源为

60 亿只/年,处于国内同 行业的领先地位.同时,公司地处 中国最适宜建厂的城市 -吉林市,稳定的人力资源以及充沛 的水力、电力保障,使公司拥有功率半导体制造最为宝贵的 资源优势 .

4、公司坚持通过管理创新,提升公司的经营质量与运营效果,通过持续的工艺技术改进、设 备改造优化,不断提升生产效率,缩短交付周期,提升公司市场竞争能力.

2015 年年度报告

8 /

149

第四节 管理层讨论与分析

一、管理层讨论与分析 报告期内,国内经济增速放缓,传统产业加速下行,战略性新兴产业蓬勃发展,国内经济结 构性调整效果日益显现,国内半导体行业面临着危机与机遇并存的局面.面向于传统产业的中低 端产品竞争加剧、价格下行趋势明显,面向战略性新兴产业等的中高端产品市场空间广阔,国内 企业进口替代空间巨大.面对当前环境,公司积极应对,针对中高端技术领域加大研发投入,加 快产品、技术结构调整速度,同时推进技术营销、深化 抓大抓优 的营销策略,提升公司在新 兴领域的拓展速度,实现公司客户及市场结构调整战略的有效落实.

1、加大研发投入,加速新产品开发 公司非常重视也极为看好战略性新兴产业的发展给功率半导体产业带来的广阔空间,因此公 司进一步加大新技术、新产品的研发投入,研发投入达到营业收入的 6%以上,研发的重心以符合 国家战略性新兴产业发展需求的................