PDF《SM7075P》

SM7075P AC/DC PWM 功率开关 QWOZIGV1.

0 -

1 - SM7075P 特点 ? 支持 BUCK 或BUCK-BOOST ? 采用 700V 单芯片集成工艺 ? 85Vac~265Vac 宽电压输入 ? 待机功耗小于 120mW@220Vac ? 集成高压启动电路 ? 集成高压功率开关 ? 内置抖频技术,提升 EMC 性能 ? 电流模式 PWM 控制方式 ? 内置过温、过流、过压、欠压 等保护功能 ? 内置软启动 ? 内置智能软驱动技术(提高 EMC 性能) ? 封装形式:SOP8 应用领域 ? 电磁炉、电饭煲、电压力锅等 小家电产品电源 概述 SM7075P 是采用电流模式 PWM 控制方式的功率开关芯片,集成高压 启动电路和高压功率管,为低成本开关电源系统提供高性价比的解决方 案. 芯片应用于 BUCK 或BUCK-BOOST 系统方案, 支持 12V/18V 输出电压, 很方便的应用于小家电产品领域.并提供了过温、过流、过压、欠压等 完善的保护功能,保证了系统的可靠性. 管脚图

1 4 EN HVDD DRAIN

2 3

8 5

7 6 NC GND GND GND GND SM7075P SOP8 输出功率表 输入电压 85Vac~265Vac 180Vac~265Vac 最大电流 SOP8 12V 300mA

350 mA 18V 250mA

300 mA 注:芯片

5、

6、

7、8 脚为芯片散热脚,PCB Layout 过程中注意增加散热措施. 12V 典型示意电路图 L N + + +12V + + GND

1 4 EN HVDD DRAIN

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7 6 NC GND GND GND GND SM7075P AC 18V 典型示意电路图 AC T1 Vin Vout GND L N +18V +5V GND + + + + +

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7 6 NC GND GND GND GND SM7075P 注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 sale@linkage.cn 业务

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2 - 管脚说明 管脚序列 名称 管脚说明

1 EN EN 和HVDD 短接:系统输出 12V EN 悬空:系统输出 18V

2 HVDD

3 NC 悬空脚

4 DRAIN 内置高压 MOS 管的 DRAIN,也做芯片的启动脚 5,6,7,8 GND 芯片地,同时也是内置高压 MOS 管SOURCE 端口 订购信息 订购型号 封装形式 包装方式 卷盘尺寸 管装 编带 SM7075P SOP8

100000 只/箱4000 只/盘13 寸注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 sale@linkage.cn 业务

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3 - 极限参数 极限参数(TA= 25℃) 符号 说明 范围 单位 VDS(max) 芯片 DRAIN 脚最高耐压 -0.3~730 V VDS(ST) 芯片启动时,DRAIN 脚最高耐压 -0.3~730 V HVDD 芯片电源电压 -0.3~20 V IHVDD 嵌位电流

10 mA RθJA PN 结到环境的热阻

130 ℃/W TJ 工作结温范围 -40~150 ℃ TSTG 存储温度 -50~150 ℃ VESD HBM 人体放电模式 >

2 kV 注:表贴产品焊接最高峰值温度不能超过 260℃,温度曲线依据 J-STD-020 标准、参考工厂实际和锡膏商建议由工厂自行设定. 电气工作参数 (除非特殊说明,下列条件均为 TA=25℃) 符号 说明 条件 范围 单位 最小 典型 最大 BVDS 漏源击穿电压 --

730 -- -- V IDSS DRAIN 端关断态漏电流 0.1 mA RDS(on) 源漏端导通电阻 ID=0.2A --

13 -- Ohm HVDDON HVDD 开启电压 -- -- 11.5 -- V HVDDOFF HVDD 关闭电压 -- --

8 -- V HVDDHYS HVDD 迟滞阈值电压 -- -- 3.5 -- V IDD2 HVDD 工作电流 -- -- 0.5 -- mA IDDCH 芯片充电电流 VDS=100V;

HVDD=5V -- -500 -- uA FOSC 芯片振荡频率 -- --

45 -- KHz Fosc 抖频范围 -- --

4 -- % TOVT 过温保护温度 -- --

150 -- ℃ 注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 sale@linkage.cn 业务

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4 - 功能表述 C2 4.7uF/400V 22Ω/2W R1 + + C1 4.7uF/400V +12V RV 10D471 L1 1mH C3 1uF/50V D1 IN4007 D2 FR107 D3 BYV26C C4 470uF/25V L2 560uH R2 10Ω + + GND

1 4 EN HVDD DRAIN

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7 6 NC GND GND GND GND SM7075P L D4 IN4007 N AC ? 电路图说明 上图为典型的 BUCK-BOOST 电路,其中 C

1、C

2、L1 组成π型滤波,有益于改善 EMI 特性,R1 电阻为浪涌抑制 元件,D

1、D4 为整流二极管,构成半波整流电路. 输出部分 L2 为储能电感,D2 为HVDD 供电二极管,D3 为续流二极管,在芯片关断期间提供输出电流通路: HVDD D F D F HVDD V V V V ? ? ? ?

3 _

2 _ OUT V 其中,

2 _ D F V 为D2 二极管的导通压降,

3 _ D F V 为D3 二极管的导通压降. ? HVDD 电压 当开关电源启动后,C2 电容上的电压会通过芯片内部的高压启动 MOS 管向芯片 HVDD 电容 C3 充电,当C3 电 容电压达到 11.5V,内部高压启动 MOS 管关闭,同时 PWM 开启,系统开始工作. 当C3 电容电压下降到 9V 以下,关闭 PWM 信号,同时芯片将会产生复位信号,使系统重新启动.这就是欠压 保护. HVDD t t VOUT H VD DON HVDDOFF 欠压保护注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 sale@linkage.cn 业务

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5 - ? 控制部分 D R A IN R

2 G N D + -

0 .2

3 V P W M c o n tr o l R

1 H V D D ID IS IF B I f b 采样电流检测电路通过高压 MOS 的电流 ID 分成两个部分,其中一部分为 IS,这部分电流为芯片采样电流.IS 与ID 成比例关系: S ID D I ? G = I 通过上图可知: V R I I FB S

23 .

0 2 ) ( ? ? ? ,由此可以得到: FB S I -

2 R V

23 0 = I . 以上公式合并,可得到: ) . ( FB ID D I -

2 R V

23 0 ? G = I 从上式可以看出,IFB 电流大,ID 的电流就小;

IFB 电流小,ID 的电流就大.当IFB 的电流大于(0.23V / R2)时, 芯片会关闭 PWM,同时芯片会自动进入突发模式. 注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 sale@linkage.cn 业务

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6 - PCB layout 注意事项 简要说明: SOP8 ? 初级环路与次级环路的走线距离尽量粗而短,以便更容易通过 EMC 测试. ? 高压信号与低压信号分开走线,避免高压信号对低压反馈信号产生干扰. ? 在芯片的

3 脚位置处放置阻焊层,避免残留焊锡干扰系统正常工作. ? IC 的

5、

6、

7、8 脚GND 需要铺铜处理,铺铜面积建议大于 8*8mm,以降低芯片的温度. 铺铜 阻焊层 注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 sale@linkage.cn 业务

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7 - 典型应用方案 ? 电磁炉电源应用方案 原理图: AC T1 Vin Vout GND U1 L N +18V +5V GND + + + + R1 C1 C2 D5 D6 D7 C3 C4 C5 C6 U2 +

1 4 EN HVDD DRAIN

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7 6 NC GND GND GND GND SM7075P D1 D2 D3 D4 BOM 清单: 位号 参数 位号 参数 位号 参数 D1~D4 IN4007 C2 1uF/50V R1 22R D5 UF4007 C3 470uF/25V T1 EE10(4+4) D6 ES2J C4 100uF/25V U1 SM7075P D7 UF4007 C5 100uF/25V U2 78L05 C1 10uF/400V C6

104 变压器参数: 制作说明: 1. 骨架EE10(4+4) PC40磁芯 2. 电感量Lp(1 4)=1.6mH,漏感为Lp的5%以下 N2(5 7) Φ0.19*1*64T 变压器绕制方法 进线

5 7

1 8

5 4 底视图 N2

1 4 N1 N1(1 4) Φ0.19*1*140T 注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 sale@linkage.cn 业务

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8 - 封装形式 SOP8 Symbol Min(mm) Max(mm) A 1.25 1.95 A1 - 0.25 A2 1.25 1.........