PDF《吴晓燕》

吴晓燕

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18217795568 通讯地址:上海市闵行区东川路

800 号上海交通大学 出生日期:1990.

03.09 学位:博士 E-mail: wuxiaoyan151@126.com 教育背景 2012.9-2017.6 中科院上海微系统与信息技术研究所 硕博连读 微电子学与固体电子学 ? 信息功能材料国家重点实验室,导师:王庶民教授(中组部 千人计划 、 国家重 点基础研究发展计划(973 计划)首席科学家) 2016.10-2017.4 丹麦技术大学 (DTU) 联培博士 微电子学与固体电子学 ? Department of Photonics Engineering ,导师:Prof. Haiyan Ou 2012.9-2013.6 中国科学技术大学 硕士代培 电子科学技术 2008.9-2012.6 曲阜师范大学 理学学士 物理学 工作经历 上海交通大学 电子信息与电气工程学院 Assistant Professor 2017.7 至今 科研成果 ? 发表论文

52 篇,其中第一作者发表 SCI 论文

3 篇: ACS Photonics (IF:6.88)、Scientific Seports (IF:5.578)、Semiconductor Science and Technology (IF:2.19),国际会议论文

4 篇 (口头报告) 、国内会议论文

1 篇.申请发明专利

2 项,外文专著:metallic alloys 书籍合 作者. ? 主持国家级项目

2 项,主持校级项目

1 项,参与

973 计划、国家自然科学重点基金等多 个项目研究. ? 参加第五届稀铋半导体材料国际学术会议(爱尔兰)、第十届全国分子束外延学术会议(上海) 、第十一届全国分子束外延学术会议(成都)、第七届稀铋材料国际学术会议(上海) 和第十九届国际分子束外延大会(法国) 并做口头报告. ? 在丹麦技术大学访学期间,研制出世界首个 InPBi 超辐射发光二极管器件,在医疗和太 阳能电池有巨大的应用潜力. ? 研发出世界发光波长最长的 GaAsBi 非制冷激光器, 在光电通信领域有着巨大应用, 被多 方报道并登上中科院微系统所网页新闻,并受邀在多个会议上做邀请报告. ? ACS photonics, Scientific Reports, SST 等期刊审稿人. 科研项目 ? 国防创新项目,18-H863-X,光子计数 xxx,2018.01-2018.12,100 万元,国家级,主持 ? 国防创新项目,17-H863-X,xxx 量子成像,2017.07-2017.12,160 万元,国家级,主持 ? 新进青年教师启动计划,AF0300248,基于光子计数的量子关联成像技术研究,2018.01- 2020.12,20 万元,校级,主持 ? 国家重点基础研究发展计划(973 计划) ,2014CB643900,2.8-4.0 微米室温高性能半导体 激光器材料和器件制备研究,2014.01-2018.08,1500 万元,国家级,参与 ? 国家自然科学基金重点项目,61334004,稀铋半导体材料与非制冷激光器研究,2014.01- 2018.12,260 万元,国家级,参与 ? 国家自然科学基金青年科学基金项目, 61404152, 新型稀铋近红外宽光谱发光二极管的基 础研究,2015.01-2017.12,31 万元,国家级,参与 ? 国家自然科学基金青年科学基金项目, 61404153, 新型室温二维拓扑绝缘体锡烯的材料研 究,2015.01-2017.12,34 万元,国家级,参与 奖励

2017 年,荣获 7th International Workshop on Bismide-containing Semiconductors 会议 Best Paper Award

2016 年,荣获中科院上海微系统与信息技术研究所三好学生

2016 年,被录取为国际合作培养计划项目出国留学人员 (丹麦技术大学) (中科院前 0.1%)

2015 年,获得中科院上海微系统与信息技术研究所所长奖学金(全所前 3%)

2012 年,荣获优秀毕业生称号

2011 年,全国第三届 人教社杯 大学生物理教学技能大赛中荣获一等奖

2009 年,第七届电子电路设计大赛二等奖 2008-2012,连年获得校级一等奖学金(全校前 1%),并多次被评为三好学生标兵(全校前 0.4%)、三好学生、优秀团员 外语及计算机能力 ? 英语: CET6/500,德语:第二外语,96/100 ? 计算机:国家计算机等级考试四级网络工程师,二级 C 语言 成果 ? Wu Xiaoyan;

Pan Wenwu;

etal. Electrically Pumped 1.142 ?m GaAsBi/AlGaAs Quantum Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy ACS Photonics (IF:6.88 ) ? Wu Xiaoyan;

Chen Xiren;

etal. Anomalous photoluminescence in InP1-x Bix Scientific Reports (IF:5.578) ? Wu Xiaoyan;

Wang Kai;

etal. Effect of rapid thermal annealing on InP1?xBix grown by molecular beam epitaxy Semiconductor Science and Technology (IF:2.19) ? Wu Xiaoyan;

Wang Kai;

etal. Thermal Annealing on InP1-xBix Grown by Molecular Beam Epitaxy the 5th International Workshop on Bismide-containing Semiconductors, Ireland, 2014.4.25(oral) ? Wu Xiaoyan;

Chen Xiren;

etal. Characteristics of anomalous photoluminescence in InP1-xBix the 7th International Workshop on Bismide-containing Semiconductors, Shanghai, 2016. 7.

25 (oral) ? Wu Xiaoyan;

Chen Xiren;

etal. Anomalous photoluminescence in InP1-x Bix 19th International Conference on Molecular-Beam Epitaxy, France, 2016. 9.

4 (oral) ? Wu Xiaoyan;

Pan Wenwu;

etal. Electrically Pumped 1.136 ?m GaAsBi/AlGaAs Quantum Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy the 19th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Russia, 2017.3 (oral) ? 吴晓燕;

陈熙仁;

etal. 变组分 InPBi 材料的 PL 光谱特性第十届全国分子束外延学术会 议,成都,2015.8. ? 外文专著:Matallic alloys- Indium Phosphide Bismide 出版社:In Tech ? 专利:面向光遗传学的 LED 插头、封装装置及方法.CN 201811003774.4 ? 专利:一种半导体材料、半导体薄膜及其制备方法.CN 201510240317.7 ? Xiren Chen, Xiaoyan Wu, et al. Negative thermal quenching of below-bandgap photoluminescence in InPBi. Applied Physics Letters. 2017, 110: 051903. ? Wang, S., Wu, X., et al. (2018, May). Near-infrared GaAsBi quantum well laser diodes (Conference Presentation). In Semiconductor Lasers and Laser Dynamics VIII (Vol. 10682, p. 106821B). International Society for Optics and Photonics. ? Liu X, Shi J, Wu X, et al. Fast first-photon ghost imaging. Scientific reports, 2018, 8(1): 5012. ? Wenwu Pan, Peng Wang, Xiaoyan Wu, et al. Growth and material properties of InPBi thin films using gas source molecular beam epitaxy. Journal of Alloys and Compounds. 2016, 656: 777. ? Chen X, Zhao H, Wu X, et al. BiInduced Electron Concentration Enhancement Being Responsible for Photoluminescence Blueshift and Broadening in InAs Films. physica status solidi (b), 1800694. ? Peng Wang, Qimiao Chen, Xiaoyan Wu, et al. Detailed Study of the Influence of InGaAs Matrix on the Strain Reduction in the InAs Dot-In-Well Structure. Nanoscale Research Letters. 2016, 11: 119. ? Peng Wang, Wenwu Pa........