PDF《IRFD24N》

HAOHAI ELECTRONICS CO.

, LTD. 致力於中国功率器件优秀供应商 工业型号 贮存温度 Tatg -55 ~ +150 ℃ Tj

150 耗散功率 (TC=25℃) PD

45 W 极限参数(TA=25℃) 漏极 - 源极电压 栅源电压 VGS ±10 结温 V 单位 数值 符号 参数说明 VDSS

55 V 漏极电流 (连续) ID

20 漏极电流 (脉冲) IDM

100 A IRFR24N http://www.szhhe.com 包装方式 IRFD24N: TO-252 (DPAK) 第1页共6页kkg@kkg.com.cn 每卷盘 2500Pcs 2.5Kpcs IRFD24N 公司型号 H HAOHAI 封装标识 D DPAK TO-252 IRFD24N 20A, 55V, N沟道 贴片场效应管 产品参数规格书 N-Channel MOSFET 产品特征 低栅极电荷;

开关速度快 高抗dv/dt能力 产品全部经过雪崩测试 RoHS产品 产品特点 开关速度快;

驱动简单 可并联使用;

通态电阻低 产品用途 高频开关电源、LCD电源、LED驱动电源、 机箱电源、UPS电源、大功率捕鱼器、 各种充电器、电子整流器、电子变压器、 逆变器、控制器、转换器、风扇控制板、 以及电源适配器、 汽车稳压器等线性放大和功率开关电路 封装形式 TO-252(DPAK)表面贴SMD IRFD24N Series Pin Assignment 每盒 2卷盘 5000Pcs ( 5Kpcs ) 每箱 5盒25000Pcs ( 25Kpcs ) 载带卷盘 纸盒包装

1 2

3 2 ID=20A BVDSS=55V RDS(on)=0.015? Series Symbol:

1 G

2 D

3 S 3-Lead Plastic TO-252 Package Code: D Pin 1: Gate Pin 2: Drain Pin 3: Source IRFD24N 20A, 55V, N沟道 贴片场效应管 产品参数规格书 N-Channel MOSFET kkg@kkg.com.cn IRFD24N: TO-252 (DPAK) http://www.szhhe.com 第2页共6页HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. 致力於中国功率器件优秀供应商 V ?A nA 电参数(TA=25℃) 典型值 测试条件 漏源截止电流 ? V S 最大值

10 10 0.015

4 单位21最小值

55 通态电阻 跨导 符号 BVDSS IDSS 栅-源极开启电压 IGSS RDS(ON) 参数说明 漏源反向电压 VGS=0V, ID=250?A VDS=55V, VGS=0, TJ=25℃ 动态特性 单位最小值 VGS=±10V VGS=10V, ID=10A VDS=VGS, ID=250?A VDS=40V, ID=10A VGS(TH) gfs 栅源截止电流

35 45 测试条件 符号 参数说明 输入电容 Ciss 输出电容 最大值 典型值

100 120

860 1040

430 560 ID=10A, VDD=48V VGS=10V pF nC 9.5 反向传输电容 Crss VGS=0V, VDS=25V f=1.0MHz Coss

12 栅极电荷 栅源电荷 Qgs 栅漏电荷 Qgd Qg

60 延迟时间 (关断) td(OFF) 延迟时间 (开启) td(ON) trise 上升时间

70 130 ID = 10A VDD = 30V RG = 50?

58 120

180 390

165 nS 漏源二极管特性 参数说明 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位1.4 IS=10A, VGS=0V V 热特性 源漏二极管正向导通电压 符号 开关特性 参数说明 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位VSD 结到管壳的热阻 下降时间 tfall Rth (j-a) Rth (j-c) 雪崩参数 项目 单位 数值 符号 参数说明 单脉冲雪崩能量 EAS

480 mJ 雪崩电流 IAR

10 A 重复雪崩能量 EAR

13 mJ 单位℃/W 最大值 1.05 62.5 结到环境的热阻 IRFD24N 20A, 55V, N沟道 贴片场效应管 产品参数规格书 N-Channel MOSFET Soldering Methods for HAOHAI ELECTRONICS Products 1. Storage environment: Temperature=10℃~35℃ Humidity=65%±15% 2. Reflow soldering of surface-mount devices 特性曲线 图1: 安全工作 区(TC=25℃) 图1: ID - TC 关系曲线 Drain Current, I D (A) Case Temperature TC (℃) 图3: RDS(on) - TC 关系曲线 图4: RDS(on) - ID 关系曲线 R DS(ON) ( ? ) R DS(ON) , Drain-to-Source Resistance (Normalized) http://www.szhhe.com 第3页共6页kkg@kkg.com.cn HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. 致力於中国功率器件优秀供应商 IRFD24N: TO-252 (DPAK) IRFD24N 20A, 55V, N沟道 贴片场效应管 产品参数规格书 N-Channel MOSFET IRFD24N: TO-252 (DPAK) 致力於中国功率器件优秀供应商 第4页共6页kkg@kkg.com.cn HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. http://www.szhhe.com 图5: VGS(TH) - Tj 关系曲线 图6: C - VDS 关系曲线 V GS(TH) C, pF 图7: 典型传输特性曲线 图8: PD - TC 关系曲线 P D (W) TC (℃) 图9: 结到管壳的热阻 IRFD24N 20A, 55V, N沟道 贴片场效应管 产品参数规格书 N-Channel MOSFET W 0.00 0.25 :表示该有毒有害物质的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下. :表示该有毒有害物质的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求. 目前产品的焊料中含有铅(Pb)成分,但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围. 说明铅(Pb) 部件名称 焊料R4.57 5.46 V 0.89 1.27 0.58 K 2.10 2.41 1.09 G 2.29 BSC H 0.87 1.01 0.88 元件打印 标识说明 型号: IRFD 型号: 24N HH: HAOHAI HH: 厂商品牌 aa: 出厂年份 bb: 自然周 bb: (01~53) E 0.46 0.58 2.38 引线框 塑封树脂 C 2.19 D 0.69 F 0.94 J 0.46 管芯内引线 汞(Hg) 器件封装相关环保指标 有害物质或元素 多溴联苯(PBB) DIM Min. Max. 镉(Cd) B 6.35 6.73 多溴苯醚(PBDE) 六价铬[Cr(VI)] MILLIMETERS A 5.97 6.22 IRFD24N: TO-252 (DPAK) 第5页共6页kkg@kkg.com.cn HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. 致力於中国功率器件优秀供应商 http://www.szhhe.com TO-252 (DPAK) 封装尺寸数据(单位: mm) 卷盘尺寸(单位: mm) 元件打印标识说明 载带尺寸(单位: 英寸) DPAK TO-252 Dimensions are shown in millimeters (inches) Φ