PDF《普实鸿飞》

15 V 3,6 V 4,2 V 4,8 V

5 V 1,8 V 2,0 V 2,4 V

5 V 0,50 V 0,65 V 0,80 V V=10V/div V=10V/div V=250A/div H=1?s/div Iso ERROR Vin VGE-off-SC V=10V/div RCE=18KΩ CCE=330pF 图,3 软关断波形图 因为线路可能存在干扰,所以对于长的输入线路,我们不推荐使用 5V 电平. 北京普实鸿飞科技发展有限公司 010-62567686 www.pshfi.com P-08-4 参考电压VCEref 可以根据IGBT开关特性进行动态调整, 当IGBT 关断时该值被复位.VCEref 不是静态的,而是在 IGBT 导通瞬间 开始大约从 15V 依照时间常数τ(受CCE 控制)以指数形式下 降到 V C E s t a t (由RCE决定) (参见图4) . VCE 监测的阈值 VCEstat 是VCEref 的稳态值,受电阻 RCE 控制(参 见图5 a) ,可通过电阻 RCE (J6,K6)来调整到 IGBT 所需要的最 大值,正常状态下它的取值应为 VCEstat >

VCEsat ,最大不应超过 10V.VCEref 的延时时间受电容CCE 及电阻RCE 控制(见图5b) , 它控制IGBT导通后到VCEstat 监测启动之间的盲区时间tdead . 为了避免误报故障,在IGBT 导通瞬间(这时的 VCE >

VCEref )必 须要为 VCEref 下降提供足够的盲区时间tdead ,因为VCE 信号监测 的内部门槛值被限定在 10V,当VCEref 下降到 10V 时(即离开 监测盲区 tdead 后)只要 VCE >

VCEref , VCE 监控电路 即被 触发并通过 软关断电路 关断 IGBT.正常工作状态和可能 的故障模式如图6. 通过调整盲区时间 tdead 可以调整 VCE 监控电路 的监控灵敏度,比如一些特殊应用场合需要上、下管瞬间直 通的工作状况,可以通过调整电容CCE (J7,K7)的值延长监测盲区来实现, 但需要特别注意的是从IGBT导通 (短 路开始)至软关断电路彻底关断IGBT 时的总时间必须小于IGBT 的安全短路时间(一般为 10μ s或6 μs,详 细参数请咨询 IGBT 供应商) .总的时间应包括监测盲区时间 tdead ,故障返回时间 td(err) ,软关断 IGBT 时间 toff-SC 及IGBT 关断拖尾时间与安全量. PSHI

1012 驱动器的出厂默认值为 RCE =18k Ω;

CCE =330pF, PSHI

1017 驱动器的出厂默认值为 RCE =36k Ω;

CCE =470pF. (参见图.4 曲线 2) 注意:如果这个功能没有被使用,比如在实验性阶段(没有接 I G B T ) ,V C E 监控器(X

2 .

5 )必须和 发射极输出(X2. 1)连接在一起,以避免可能的错误指示和必然的门极信号封锁. RCE=100K CCE=1nF RCE=18K CCE=330pF tdead2 IGBT turn-on VCE

5 10

15 V 5? sec

1 2

3 0 tdead1 RCE=10K CCE=100pF VCEref

2 VCEref1 VCEref

3 10 ? VCEstat

3 VCEstat

2 VCEsat VCEstat

1 图,4 保护曲线 VCEref 与RCE, CCE关系 图5a,VCEstat 与电阻RCE的关系图 图5b,监测盲区时间tdead与电阻RCE、电容CCE的关系 RCE

0 5

10 15

20 25

30 35 kΩ 3V 10V 5V VCEstat 7V 2V

0 5

10 15

20 25

30 35 RCE kΩ CCE 330pF 470pF

1 nF 10?s 1?s tdead 100pF 0.5?s 20?s 5?s V VCE VCEstat VCEsat

15 10

5 0 tdead t 导通瞬间 VCEref 故障 图6b,运行过程中短路 V VCE VCEstat VCEsat

15 10

5 0 tdead t 导通瞬间 VCEref 图6d,导通时短路 V VCE VCEstat VCEsat

15 10

5 0 tdead t 导通瞬间 VCEref 故障 图6c,导通过慢或盲区时间过短 故障 V VCE VCEstat VCEsat

15 10

5 0 tdead t 导通瞬间 VCEref 图6a,正常工作时 PSHI 1012, PSHI

1017 北京普实鸿飞科技发展有限公司 010-62567686 www.pshfi.com P-08-5 功率输出缓冲器 单元由 DC/DC 变换器供应 +15V/-8V 电平,并增强从脉冲变压器接收到的控制信号.功 率输出级采用一对MOSFET为门极提供±8A的峰值电流, 从而提高了IGBT开通和关断的性能. 如果这部分的 功率不够,IGBT将不能正常开关,IGBT 的功耗增加甚至会发生IGBT损坏.根据IGBT的不同的充电电荷以及 开关频率,需要选择不同的RGon 以及 RGoff ,驱动器内置的 RGon 为22 Ω,RGoff 为22 Ω,用户可以根据需要在 板上的J8,K8位置并联相应阻值的电阻以获得所需的RGon , 在板上的J9,K9位置并联相应阻值的电阻以获得所需 的RGoff . 请务必注意并联之后总的 RGon 与RGoff 都不得小于 1.5 Ω,否则可能导致驱动板损坏. J10,K10用于选择采用电压源关断模式还是电流源关断模式,默认的关断模式是电压源关断模式,此时将它们 短接即IRgoff =0.采用电流源关断模式可以提高关断速度,仅对1700V 的IGBT 有时适用,此时必须将 Rgoff 置为 0. 五, 输入接口规范 1,输入信号电平: 输入的PWM信号可以为15V(CMOS)/5V(TTL;