PDF《年产 25 台8英寸区熔硅单晶炉建设项目》

1 年产

25 台8英寸区熔硅单晶炉建设项目 可行性研究报告 浙江晶盛机电股份有限公司

2012 年6月5日2目录 第一部分 项目概况.

3 一.项目背景.3 二.国内外现状、水平和发展趋势.3 三.项目简介.4 四.项目开发的内容及意义.4 第二部分 项目实施必要性.6 一.项目实施的意义.6 二.产品需求分析.7 三. 销售渠道分析.8 第三部分 项目建设的可行性.8 一.强大的技术研发团队.8 二.已有的销售渠道优势.9 第四部分 项目投资方案.9 一.土地建设.9 二.设备投入.10 三.人员投入.10 四.实施进度.10 五.主要投资估算.11 六.项目资金来源.11 第五部分 项目效益分析.11 一. 经济效应评价.11 二. 社会效益评价.12 第六部分 项目风险分析.12 一.市场风险.12 二. 技术风险.13 第七部分 报告总结.13

3 第一部分 项目概况 一.项目背景 在全球信息化和经济全球化的进程中, 信息产业相继成为了每个发达国家的 第一大产业. 而半导体工业 (尤其是集成电路工业) 则是信息产业的基础和核心, 是国民经济现代化与信息化建设的先导与支柱产业, 是改造和提升传统产业及众 多高新技术产业的核心技术.半导体材料(Si、GaAs、InP、GeSi、SiC 等)是半 导体工业的最重要的主体功能材料,其中硅材料则是第一大功能电子材料.无论 是在通信业、计算机业、网络业、家电业,还是在太阳能光伏电池材料产业中都 得到广泛的应用. 二.国内外现状、水平和发展趋势 传统单晶硅生产采用的是提拉法(CZ) ,这种方法生产的单晶硅占到 80%以上.但是由于这种生长方法熔区在坩埚内,难以避免会有坩埚污染,无法达到较 高纯度等要求, 不能满足对单晶硅有更高纯度要求的工业应用领域的需求.而采 用区熔法(FZ)生产的单晶硅,由于没有坩埚污染,生长的单晶硅在纯度、各向 完整性、微缺陷等各个方面性能良好,能够满足较高使用要求,特别是以 IGBT 功率元器件为代表的新型电力电子器件产业要求. 由于区熔单晶硅生长技术门槛高,全球的区熔单晶硅生产商数量少,全球前

5 家公司垄断了全部产量的 95.5%以上.目前处于领先地位的是日本信越公司 (Shinetu) 和德国 Siltronic 公司 (德国 Wacker 公司控股) ,

2008 年Siltronic 公司已开始少量销售

8 英寸区熔单晶硅片. 目前

6 英寸级商业化的设备供应商只 有PVA-Tepla 公司进入国内,处于垄断地位.因此,研发制造国产化的 6-8 英寸 区熔单晶硅生长设备是打破国外技术垄断、 缩小我国区熔单晶硅材料制造技术与 国际先进水平差距的必由之路.

4 三.项目简介 浙江晶盛机电股份有限公司(以下简称 晶盛机电 )拟投资 18,000 万元建 设年产

25 台8英寸区熔硅单晶炉项目.该项目主要包括金加工车间、装配车间、 调试车间、各类仓库、车间办公室以及员工倒班宿舍的建造;

同时还需购置、安 装相应的加工设备、检测设备以及水电气等辅助设施. 四.项目开发的内容及意义 (1)晶盛机电厂区现状 由于晶盛机电老厂区空间的限制,无法安排区熔炉的生产.同时,区熔硅单 晶炉对环境要求较高:要求地基震动要小,对部件、整机装配与调试车间的温度 与湿度控制都有一定的要求, 离铁路较近的老厂区厂房不能满足上述要求. 因此, 本项目将通过另行选择与购置土地,新建区熔炉零部件加工,装配和调试车间. (2) 厂房设计原则