PDF《隆基 P 型单晶硅片规格书》

1 No.

388, Middle Aerospace Rd., Chang'an Distr. Xi'an, China

710100 隆基绿能科技股份有限公司 中国陕西省西安市长安区航天中路

388 号710100 www.longi-silicon.com longisilicon@longi-silicon.com LONGi Green Energy Technology Co., Ltd. LONGi P-Type Monocrystalline Wafer Specification 隆基 P 型单晶硅片规格书

1、Material properties 材料性能 Property 项目 Specification 规格 Inspection Method 检测方法 Growth method 生长方式 CZ 直拉法 -- Crystallinity 结晶性 Monocrystalline 单晶 Preferential Etch Techniques (ASTM F47-88) 择优化学腐蚀法 Conductivity type 导电类型 P-type P 型Napson EC-80TPN P/N 型测试仪 Dopant 掺杂元素 Boron 硼-- Oxygen concentration [Oi] 间隙氧含量 ≤9E +

17 at/cm3 FTIR (ASTM F121-83) 傅里叶变换红外光谱仪 Carbon Concentration [Cs] 替位碳含量 ≤ 5E +

16 at/ cm3 FTIR(ASTM F123-91) 傅里叶变换红外光谱仪 Etch pit density (dislocation density) 位错密度 ≤

500 cm-2 Preferential Etch Techniques (ASTM F47-88) 择优化学腐蚀法 Surface orientation 表面晶向 ± 3° X-ray Diffraction Method (ASTM F26-1987) X 射线衍射仪 Orientation of pseudo square sides 侧面晶向 , ± 3° X-ray Diffraction Method (ASTM F26-1987) X 射线衍射仪

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2、Electrical properties 电性能 Property 项目 Specification 规格 Inspection Method 检测方法 Resistivity 电阻率 0.5-1.5 ?.cm 0.8-2.6 ?.cm Other wafer inspection system 硅片自动检测设备 MCLT (Minority carrier lifetime) 少子寿命 ≥20?s Sinton BCT-400 QSSPC 准稳态光电导衰减法 /Transient 瞬态光电导衰减法 (with injection level: 1E15 cm-3 )

3、Geometry 几何尺寸 Property 项目 Specification 规格 Inspection Method 检测方法 Geometry 几何外形 pseudo square 准方 -- Bevel edge shape 倒角边形状 Round 圆弧 -- Wafer Side length 硅片边距 156.75±0.25 mm wafer inspection system 硅片自动检测设备 Wafer Diameter 硅片直径 210±0.25 mm wafer inspection system 硅片自动检测设备 Angle between adjacent sides 垂直度 90°±0.2° wafer inspection system 硅片自动检测设备 Thickness 厚度

190 20/10 ? m

180 20/10 ? m Other wafer inspection system 硅片自动检测设备 TTV (Total thickness variation) 总厚度变化 ≤

30 ?m wafer inspection system 硅片自动检测设备

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4、Surface properties 表面性能 Property 项目 Specification 规格 Inspection Method 检测方法 Cutting method 切割方式 DW 金刚线切割 -- Surface quality 表面质量 as cut and cleaned, no visible contamination, (oil or grease, finger prints, spot stains, epoxy/glue residue are not allowed) 表面洁净,无可见污染(不允许有油 污,指印,花斑,砂浆残留,胶残留) wafer inspection system 硅片自动检测设备 Saw marks 线痕 ≤ 15?m wafer inspection system 硅片自动检测设备 Bow 弯曲度 ≤

50 ?m wafer inspection system 硅片自动检测设备 Warp 翘曲度 ≤

50 ?m wafer inspection system 硅片自动检测设备 Chip 崩边 depth ≤0.3mm and length ≤ 0.5mm Max 2/pcs;