PDF《D02.多铁性材料》

3 偏置的可逆调控.更有趣的是,两种具有不同界面原子结构的异质结表现出了不同的调控性能,包括交换偏置强度和阻断温 度.通过研究界面原子结构和电控磁特性的关系,我们提出了可能的物理机制.在BFO/LSMO 异质结中,电磁耦合主要通 过调控界面电子浓度来实现.电子浓度不仅被 BFO 的铁电极化所调控,同时也被界面原子结构的极化不连续性(polar discontinuity)所影响.两者共同作用导致了新颖的调控特性.我们的研究结果表明在氧化物异质结中, 精确设计界面原子结 构对提高电磁耦合性能具有十分重要的意义,也为进一步优化性能提供了新的思路. D02-08 铁电隧穿互补阻变开关的制备与性能研究 温峥 青岛大学 Crossbar 无源阵列采用两终端型阻变器件作为存储节点,具有结构简单、集成度高、功耗低、读/写速度快等优点,作 为一种超高密度存储集成方式而备受业界关注.然而,数据访问时,串扰电流(Sneak Current)会从字线和位线上非选址的 处于低阻态(LRS)的存储单元流过,并叠加在选址单元的读出信号上,这减小了

0 、

1 二进制存储态的读出窗口,严 重时甚至导致数据访问失败.2010 年,Linn 等提出互补阻变开关(Complementary Resistive Switch,CRS)来抑制串扰电流 (Nat. Mater. 2010, 9, 403-406) .CRS 器件由两个导电细丝型阻变单元反串联构成,利用两个单元互补的 低阻态+高阻态 (HRS) 和 高阻态+低阻态 存储状态来代表

0 和

1 .Crossbar 阵列的存储节点不论处于哪种状态均具有接近 HRS 态的电阻值,从而成功抑制了串扰电流.然而,导电细丝型阻变结构 HRS 态的电流-电压曲线一般表现出对称的输运特性, 这使得采用低于阻态切变阈值电压的非破坏性读出方式不能够区分互补的 LRS+HRS 和 HRS+LRS .因此,CRS 结构 不得不采用高于阻变阈值的读出电压,通过翻转存储单元的阻态来区分互补存储状态,从而实现数据读出.这种破坏性读出 限制了 CRS 结构的广泛应用和发展. 注意到金属/超薄铁电体/半导体(MFS)铁电隧道结不仅具有高的电阻开关比,并且界面的 Schottky 势垒使其 HRS 态 表现出显著的非对称整流特性(Nat. Commun. 2017, 8, 15217) .因此,我们提出反串联两个 MFS 型Pt/BaTiO3/Nb:SrTiO3 隧 道结来实现具有非破坏性读出的新型互补阻变开关器件(ACS Appl. Mater. Interfaces 2018, 10, 6024-6030) .MFS 型CRS 器 件的 LRS+HRS 和 HRS+LRS 互补存储态的电流-电压曲线表现出相反的整流方向,其整流比可达

103 ,采用远小于阻 变阈值的读电压即可非破坏性读出数据. 并且, 互补存储态均具有高电阻值, 在2*2 的CRS 阵列中观测到对串扰电流高达~

102 倍的抑制比例,这使无源 Crossbar 存储集成度提高了两个数量级.并且,本工作提出的 CRS 结构能够方便的扩展到其他 具有整流特性的阻型存储器件中. D02-09 多层 MoS2 金字塔的铁磁性研究 张璋 华南师范大学华南先进光电子研究院 由于二维材料独特的结构与物理性质,二维材料在最近几年吸引了大量的研究和关注.MoS2 作为一种直接带隙的无机 二维半导体,其结构稳定,带隙可调,其光电,催化等性质得到了大量的研究,但关于其磁性的研究却相对较少.近来,有 理论研究表明 MoS2 有本征铁磁性,但由于其磁性很弱,不容易测量,因此很少有实验数据支持.在本工作中,我们通过化 学气相沉积制备了拥........