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4 DK112 高性能开关电源控制芯片工作时序图 电路在t1 时间Vcc 电压上升到5V,电路开启工作,Q2 输出PWM 信号,t2?t3 时间Vcc 电压高于6V,电路停止输出,Q2 输出低电平,t3?t4 时间Vcc电压回到范围之内,电 路正常工作,t4?t5 时间Vcc 电压低于4V,电路停止输出,Q2 输出低电平,t6 时间 Fb 电压低于1.6V,开路开启一个24mS 的定时器,PWM 以最大占空输出,直到t7 时间 Fb 电压还未能高于1.5V,电路开始重新启动,t9 时间Vcc 电压上升到5V,电路重新 开启工作,t10 时间Fb 电压高于3.6V,电路停止输出. ? 控制引脚Fb:Fb 引脚外部应当连接一只电容,以平滑Fb 电压,外接电容会影响到电 路的反馈瞬态特性及电路的稳定工作,典型应用可在10nF?100nF 之间选择;

当Fb 电 压高于1.5V 而小于2.8V 时,电路将以65KHz 的频率工作,当Fb 电压高于2.8V 而小 于3.6V 时,电路将随着Fb 的电压升高而降低频率,当Fb 电压高于3.6V 时,电路将 停止振荡,当Fb 电压小于1.5V 时,电路将启动一个48mS 的延时电路,如在此期间Fb 电压回复到1.5V 以上,电路将继续正常工作,否则,芯片将进行重新启动,此电路完 成了光藕失效的保护. http://www.dkpower.cn

5 DK112 高性能开关电源控制芯片Is 与Fb 时序图 Fb 与工作频率(PWM)时序图 ? 自供电电路:(已申请国家专利)芯片内建自供电电路,将电路的电源电压控制在5V 左右,以提供芯片本身的电流消耗,自供电电路只能提供自身的电流消耗,不能为外 部电路提供能量. ? 斜坡电流驱动:为了降低芯片的耗能及提高电路的效率,内部为高压晶体管的B极提供 的基极电流采用了斜坡电流驱动技术,当开关电流Is 为0 时,基极电流约为40mA,随 着开关电流的逐步增大,基极电流也逐步增大,当开关电流为600mA 时,基极电流为 100mA. http://www.dkpower.cn

6 DK112 高性能开关电源控制芯片Ib 与Is 时序图 ? 抖频电路:为了能满足EMC 的要求,芯片内设有一个抖频电路,PWM 的频率将以65KHz 的频率为中心,以1KHz 的步进在8 个频率点上运行,这样有效的降低了EMC 的设计的 复杂度及费用. ? 热保护:芯片的温度达到125℃时,芯片将进行重新启动,直至芯片的温度降低到 120℃以下,芯片才会重新进入正常工作状态. ? 峰值电流保护:因外部的某种异常引起的电流过大时,当电流达到720 mA 时,芯片将 进行重新启动. ? 电源异常:因外部的某种异常引起的电源电压高于6V 时,或电源电压低于4V时,芯片 将进行重新启动. ? 超压保护:芯片在完成启动后,芯片内部设定了一个电流的上升斜率检测电路,当外 部的电压超高或者开关变压器的失效,都会引起电流的斜率变化,保护电路将会对电 路进行重新启动,这样保证了高压晶体管的安全,同时对低频的浪涌电压进行了有效 的保护. http://www.dkpower.cn

7 DK112 高性能开关电源控制芯片斜率检测时序图 根据电感电流公式I = U/L ? ?t 可知,在电感不变时,在一个固定的时间上检测电流 可计算出电压,芯片利用该原理在350nS 时检测Is 电流,当Is 电流小于0.14V 时, 电路正常工作,当Is 电流大于0.14V 时,芯片进入异常保护;

同理,当外部的电感器 的电感量变小,也会让芯片进入异常保护;

这样即可以保护母线电压过高引起的开关 管的击穿,也可以保护因外部变压器的饱和或者短路引起的电感量下降导致Is 电流过 大,引起芯片的损坏. 直流母线保护电压与变压器电感量的关系图 http://www.dkpower.cn