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天津中环半导体股份有限公司 TIANJIN ZHONGHUAN SEMICONDUCTOR CO.

, LTD

002129 2008年年度报告 二九年三月十六日 天津中环半导体股份有限公司2008年年度报告2重要提示 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证本报告所载资料 不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并对其内容的真实性、准确 性和完整性承担个别及连带责任. 没有董事、监事、高级管理人员声明对年度报告内容的真实性、准确性和 完整性无法保证或存在异议. 公司

8 名董事亲自出席了本次审议年度报告的董事会,董事金东虎委托董 事张旭光、董事郝于田委托董事卢彦昌出席并行使表决权,独立董事陈荣玲委 托独立董事刘忠立出席并行使表决权. 五洲松德联合会计师事务所为本公司

2008 年度财务报告出具了标准无保留 审计意见的审计报告. 公司负责人张旭光、主管会计工作负责人沈浩平及会计机构负责人(会计 主管人员)吴桂兰声明:保证年度报告中财务报告的真实、完整. 天津中环半导体股份有限公司2008年年度报告3释义在本年度报告中,除非另有说明,下列词语具有如下涵义: 公司、本公司、中环股份、股份公 司、中环半导体 指 天津中环半导体股份有限公司 中环集团、集团公司、控股股东 指 公司控股股东天津市中环电子信息 集团有限公司 天药集团、药业集团 指 公司第二大股东天津药业集团有限 公司 环欧半导体、环欧公司 指 公司全资子公司天津市环欧半导体 材料技术有限公司 中环领先、领先公司 指 环欧公司与中环集团共同投资从事 抛光片项目建设及半导体抛光片材 料生产经营的公司 高压器件事业部 指 指公司内部以事业部形式从事高压 硅堆、硅桥式整流器、整流二极管 等半导体分立器件制造和销售的经 营部门 功率器件事业部 指 指公司内部以事业部形式从事募集 资金项目建设, TDMOS、 VDMOS、 IGBT、 肖特基二极管等半导体功率器件制 造和销售的经营部门 股东、股东大会 指 公司股东、股东大会 董事、董事会 指 公司董事、董事会 监事、监事会 指 公司监事、监事会 公司章程 指 本公司章程 A股指人民币普通股 证监会 指 中国证券监督管理委员会 深交所 指 深圳证券交易所 天津中环半导体股份有限公司2008年年度报告4渤海证券、保荐机构 指 渤海证券股份有限责任公司 本公司律师、律师 指 天银律师事务所 本公司会计师、会计师 指 五洲松德联合会计师事务所 半导体分立器件 指 由单一的电路器件组成,被规定完 成某种基本功能,并且其本身在功 能上不能再细分的半导体器件 半导体材料 指 导电能力介于导体和绝缘体之间的 材料 单晶硅、硅棒、硅片 指 在整个硅晶体内,原子都按周期性 规则排列的硅晶体,多晶硅经拉制 后一般呈棒状,经切割等工艺后获 得硅片 多晶硅 指 在整个硅晶体内包含多个小区域, 每个小区域的原子按周期性规则排 列,但这些小区域的晶体取向各不 相同的硅晶体,为加工单晶硅的原 材料 区熔单晶硅 指 借助高频感应线圈加热,使一个熔 区自上而下通过竖直放置的硅棒进 行提纯及结晶形成的硅晶体 直拉单晶硅 指 使多晶硅在高纯石英坩锅内熔化, 随后使其定向结晶形成的硅晶体 平面工艺 指 在单晶硅基片上进行若干次氧化、 光刻、用特定的掺杂方式形成 PN 结、用特定的方式进行表面保护并 引出电极的半导体器件制造技术 台面工艺 指 在单晶硅基片上进行杂质扩散形成 PN 结,再用特定的方法分成若干个 台面形状的芯片,然后对芯片台面 进行表面保护并引出电极的半导体 器件制造技术 二极管 指 具有单一 PN 结电压、 电流特性的两 个引出端半导体器件 天津中环半导体股份有限公司2008年年度报告5整流二极管 指 用作整流的二极管 快恢复整流二极管 指 具有快开关特性的整流二极管 超快恢复整流二极管 指 具有超快开关特性的整流二极管 肖特基二极管 指 利用金属和半导体接触的表面势垒 特性制成的二极管 硅桥式整流器 指 由四个整流二极管按桥式整流电路 连接成的组件式半导体整流器件 高压硅堆 指 由多个整流二极管通过串联方式连 接成的组件式半导体高压整流器件 快恢复高压硅堆 指 由多个整流二极管通过串联方式连 接并具有快开关特性的组件式半导 体高压整流器件 超快恢复高压硅堆 指 由多个整流二极管通过串联方式连 接并具有超快开关特性的组件式半 导体高压整流器件 微波炉硅堆 指 由多个整流二极管通过串联方式连 接并适用于微波炉的组件式半导体 高压整流器件 引线框架 指 用于芯片与引线连接的组装部件 塑封料 指 用于封装产品的环氧模塑料 切割片 指 硅晶体经切割后获得的硅片 研磨片 指 对切割后硅片经过研磨获得的硅片 腐蚀片 指 经过腐蚀后获得的硅片 抛光片 指 对切割研磨后再经过抛光获得的硅 片CRT 指 阴极射线显像管 PDP 指 等离子显示器 LCD 指 液晶显示器 HDTV 指 高清晰度电视机 FBT 指 回扫变压器 天津中环半导体股份有限公司2008年年度报告6IC 指 集成电路 FET 指 场效应晶体管 IGBT 指 绝缘栅双极型晶体管 VDMOS 指 垂直双扩散金属氧化物半导体 MOCVD 指 有机金属化学气相沉积 MOSFET 指 金属氧化物半导体场效应晶体管 SBD 指 肖特基势垒二极管 TO-220 指 一种单列直插式功率半导体器件的 封装形式 ISO-9000 指 国际标准化组织的

9000 系列质量 体系标准 TCS 指TRIPIE CORES TECHN0LOGY LIMITED 天津中环半导体股份有限公司2008年年度报告7目录

第一节 公司基本情况简介.8

第二节 会计数据和业务数据摘要.10

第三节 股本变动及股东情况.12

第四节 董事、监事、高级管理人员和员工情况.17

第五节 公司治理结构.26

第六节 股东大会情况简介.33

第七节 董事会报告.35

第八节 监事会报告.63

第九节 重要事项.65

第十节 财务报告.77 第十一节 备查文件.136 天津中环半导体股份有限公司2008年年度报告8

第一节 公司基本情况简介

一、公司法定中文名称:天津中环半导体股份有限公司 公司法定中文名称缩写:中环股份 公司英文名称:TIANJIN ZHONGHUAN SEMICONDUCTOR CO., LTD 公司英文名称缩写:TJSEMI

二、公司法定代表人:张旭光

三、公司董事会秘书:廖晓华

电话:022-23789787 传真:022-23788321 E-MAIL:Xhl@tjsemi.com 联系地址:天津新技术产业园区华苑产业区(环外)海泰东路12号 公司证券事务代表:孙娟红

电话:022-23789760转3015 传真:022-23788321 E-MAIL:Mysun319@sohu.com 联系地址:天津新技术产业园区华苑产业区(环外)海泰东路12号

四、公司注册及办公地址:天津新技术产业园区华苑产业区(环外)海泰 东路12号 邮政编码:300384 公司

网址:http://www.tjsemi.com 公司电子信箱:Tjsc@tjsemi.com

五、公司选定的信息披露报纸:《中国证券报》和《证券时报》. 登载年度报告的网站

网址:巨潮资讯网(http://www.cninfo.com.cn) 公司年度报告备置地点:天津新技术产业园区华苑产业区(环外)海泰东 天津中环半导体股份有限公司2008年年度报告9路12号天津中环半导体股份有限公司证券部

六、公司股票上市交易所:深圳证券交易所 股票简称:中环股份 股票代码:002129

七、其他信息 公司首次注册登记日期:1999年12月27日 最近一次登记变更:2008年7月18日 注册登记地点:天津市工商行政管理局 公司企业法人营业执照注册号:120000000000036 企业法人代码:10341378-0 公司税务登记证号码:120117103413780 公司聘请的会计师事务所:五洲松德联合会计师事务所 会计师事务所的办公地址:天津市和平区解放路188号信达广场35层天津中环半导体股份有限公司2008年年度报告10

第二节 会计数据和业务数据摘要

一、主要会计数据 单位: (人民币)元2008 年2007 年 本年比上年增减(%)

2006 年 营业收入 843,522,826.73 696,262,070.58 21.15% 567,323,573.90 利润总额 176,398,607.85 160,183,503.16 10.12% 109,149,410.52 归属于上市公司股东 的净利润 141,645,084.20 103,068,216.34 37.43% 74,656,606.66 归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 的净利润 111,154,675.02 87,921,587.40 26.42% 71,799,576.98 经营活动产生的现金 流量净额 136,786,552.25 208,584,064.72 -34.42% 87,551,957.44

2008 年末

2007 年末 本年末比上年末增减 (%)

2006 年末 总资产 2,051,069,265.06 1,542,574,841.07 32.96% 1,025,673,422.60 所有者权益(或股东 权益) 1,512,113,068.54 1,113,748,974.01 35.77% 412,901,957.67 股本 482,829,608.00 362,663,687.00 33.13% 262,663,687.00

二、主要财务指标 单位: (人民币)元2008 年2007 年 本年比上年增减(%)

2006 年 基本每股收益(元/股) 0.3026 0.2504 20.85% 0.2274 稀释每股收益(元/股) 0.3026 0.2504 20.85% 0.2274 扣除非经常性损益后的基本 每股收益(元/股) 0.2375 0.2136 11.19% 0.2187 全面摊薄净资产收益率(%) 9.37% 9.25% 0.12% 18.08% 加权平均净资产收益率(%) 10.79% 12.34% -1.55% 19.88% 扣除非经常性损益后全面摊 薄净资产收益率(%) 7.35% 7.89% -0.54% 17.39% 扣除非经常性损益后的加权 平均净资产收益率(%) 8.57% 10.62% -2.05% 19.19% 每股经营活动产生的现金流 量净额(元/股) 0.2833 0.5751 -50.74% 0.3333

2008 年末

2007 年末 本年末比上年末增减 (%)

2006 年末 归属于上市公司股东的每股 净资产(元/股) 3.1318 3.0710 1.98% 1.5720

三、非经常性损益项目 单位: (人民币)元 非经常性损益项目 金额 附注(如适用) 天津中环半导体股份有限公司2008年年度报告11 非流动资产处置损益 32,252,061.19 计入当期损益的政府补助, 但与公司正常经营业务密切相关, 符合 国家政策规定、 按照一定标准定额或定量持续享受的政府补助除外 3,120,231.65 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 725,065.60 所得税影响额 -5,415,552.77 少数股东权益影响额 -191,396.49 合计 30,490,409.18 - 天津中环半导体股份有限公司2008年年........