DOC《公示》

公示根据,和,上海大学实验设备处受委托,对超高真空磁控溅射薄膜沉积设备进行公开招标采购,特邀请合格的标投人前来投标.

招标编号:SB20061020-015 招标项目:超高真空磁控溅射薄膜沉积设备(1套) 超高真空磁控溅射薄膜沉积设备技术指标: 本设备将用于微电子学专业进行薄膜的教学和研究.要求为双室立式结构的高真空多功能磁控溅射镀膜系统,需包括主溅射室、进样室、磁控溅射靶、射频电源、直流电源、样品转台、加热装置、抽气系统、真空测量系统、电控系统、气路系统等部分.可用于纳米级的单层及多层功能膜-各种硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、铁磁膜和磁性薄膜等的研究开发.需满足于半导体行业、微电子及新材料领域的研究.具体要求如下: 1. 真空室结构及尺寸 1.1 本系统需带有空气锁的双室结构,即由主溅射室p样品预处理室和磁力进样机构组成. 1.2 主溅射室:要求尺寸约Ф450*300(mm),为全不锈钢结构,外表喷丸亚光处理.上盖可电动提升,前面与侧面各装一个观察窗,一个四芯引线,侧壁还应留有膜厚测试仪法兰、辅助离子源法兰、CF35备用法兰,旁抽法兰,进气阀法兰等.底面装有三个磁控靶.侧面法兰为金属密封,可内烘烤100~150℃.除大法兰密封口p转盘动密封采用氟橡胶圈密封外,其余各口均按超高真空系统设计,采用金属密封. 1.3 进样室:要求Ф250*L450(mm)为圆筒式前开门不锈钢卧式结构,外表喷丸哑光处理.上面开有反溅靶法兰、退火炉法兰、样品库法兰、烘烤照明引线法兰、观察窗门法兰、进气法兰、放气阀法兰、备用法兰等,各法兰密封口均采用氟橡胶圈密封. 2. 真空获得及测量 2.1 溅射室采用FB600型分子泵+2XZ-8型机械泵抽气. 样品室采用FB110型分子泵+2XZ-4型机械泵抽气. 2.2 系统极限真空 主溅射室:要求系统经烘烤,极限真空可达9*10-6Pa,加注液氮可达6.6*10-5Pa. 进样室:要求达到6.6*10-4Pa,从大气开始抽气,40分钟内真空度为6.6*10-3Pa. 2.3 系统漏率: 主溅射室:停泵关机12小时后真空度≤2Pa. 进样室:停泵关机12小时后真空度≤5Pa. 2.4 真空测量: 主溅射室:采用ZDF数显复合计测量(全部采用金属规管). 进样室采用上述ZDF复合计,玻璃规管测量. 3. 靶的结构尺寸及成膜方式 靶在下,基片在上,向上溅射成膜.主溅射室下底有三个靶枪位,安装三个磁控永磁靶枪,靶材直径Ф60 mm和80 mm,各靶枪均水冷.靶与基片距离为40~80mm连续可调,并有调位距离指示. 4. 衬底基片 4.1 多基片:样品库内可放置6片基片(Ф30mm),采用基片架结构. 转盘:为水冷加热转盘,可加偏压.在水冷转盘的六个样品位置中有一个加热炉位,能存放1片样品,样品最大尺寸Ф30mm并对其加热到最高500℃,可控可调.其余五个样品均为水冷,样品不自转,随转盘做周向±180°回转(公转). 4.3 基片在进样室退火,退火温度:最高800℃可控可调.进样室要有反溅靶,做清洗样品用. 4.4 两套挡板系统:基片挡板与靶挡板.基片挡板和靶挡板各开一个孔,靶挡板由磁力转轴引入,步进电机驱动,计算机控制.样品挡板由机械手驱动. 5. 计算机控制镀膜系统 溅射镀膜过程需采用计算机控制,具有:(1)复位功能(2)确认靶位功能(3)溅射镀膜时间控制(4)回转控制功能(5)靶的遮挡功能. 6. 电源部分 RF射频电源 N=500W 2台DC直流电源 N=500W 1台 偏压电源 0~200V 1台 控温电源(退火炉p溅射室加热炉转接)1台7. 气路系统 要求四路进气,其中三路MFC质量流量计控制器进气,另一路手动进气,备有混气室.样品室进气由混气室引入.MFC流量范围:100SCCM两路,50SCCM,一路. 8. 冷却水系统 水压:1~2公斤/平方厘米,流量:≈1立方米/小时. 二:交付地址:上大路99号三:交货日期:签约后6个月内 四:交付状态:系统完成,投入使用, 五:凡愿参加标投的合格标投人可于2006年10月18日起上午9:00~11:00~下午1:30~4:00委派授权代表持资格证明文件、法定代表人授权委托书和本人身份证,到上海大学设备处(地址:延长路149号北大楼102室)领取招标文件. 六:所有投标书应当于2006年11月1日下午1:45投标截止时间之前送达上海大学设备处(地址:延长路149号北大楼102室). 七;