编辑: 戴静菡 2019-08-10
RA 旺 制订

1 2 薄3ALEC 旺诠 R 审查 适用围 1.

1 本承认 器. 1.2 本公司 型别名称 (例) RSX 型别 尺寸 耐硫化 薄膜晶片 电阻器 05(08 06(12 25(25 规格表: 3.1 Gene 型别 额功(at RSX05 (0805)

1 8

1 4

1 2 RSX06 (1206)

1 4

1 2

1 RSX25 (2512)

2 RSX 系列 IE 核准 围: 认书适用於 司之无铅产 称:

06 -

2 寸 端电 极数 805) 206) 512) 2:2个ral Specif 额定 功率 70℃) 最 额定

1 W

8 1

1 W

4 2

1 W

2 3

1 W

4 2.

1 W

2 3.

1 W

4 1W

3 2W

4 使用温度 列低阻值 会签 於本公司所 产品意指符

2 G 额定功率 I=0.125W G=0.25W C=0.5W 1=1.0W 2=2.0W 4- fications 最高 定电流 最 过负 .58A

3 .24A

5 .16A

7 36 A

5 33 A

7 4.71 A

10 3.16 4.47

1 度围 值薄膜晶片 QA 签 会签 所生产的耐 符合RoHS要R47 电阻值 -码EX. 0.05?=R0 0.47?=R4 最高 负荷电流 (p 温3.54A ..00 A 7.07A 5.27 A 7.45 A 0.54 A 7.07 10.00 片电阻器 Sales 备注 签 非经 非自耐硫化无铅 要求的端电

70 F 容差

050 470 D=±0.5% F=± 1% G=± 2% J=± 5% T.C.R ppm/℃ ) 温度系数 ±200

5 ±100

10 ±200

5 ±100

10 ±200

5 ±100

10 ±300 ±200

5 ±100

10 ±300 ±200

5 ±100

10 ±300 ±200

5 ±100

10 ±100

10 ±100

10 器规格标 注 经允许,禁非发行自行注意、无卤素之 电极无铅. E 温度系数 E=± 50ppm/℃ F=± 100ppm/ G=± 200ppm/ H=± 300ppm/ D(±0.5% 50m? QR<

1 00m? QR<

1 50m? QR<

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1 ------ 50m? QR<

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1 -55℃ 标准书 文版禁止自行影印 管制文意版本更之RSX系列 . E 包℃/℃ /℃ /℃ TE:4 mm TP:4 mm P2:4 mm P3:4 mm P4:4 mm 阻值 %) F 100m? 1000m?

1 100m? 1000m?

1 100m? 1000m?

1 100m?

1000 m?

1 100m? 1000m?

1 100m? 1000m?

1 1000m?

1 1000m?

1 ℃ ~ +155℃ 文件编号 版本日期 页次发行管 Series 印文件 文件更新列低阻值薄 包装型式(请参阅 m Pitch Carrie m Pitch Carrie m Pitch Carrie m Pitch Carrie m Pitch Carrie 围 F(±1%)、G(±2 50m? QR<

100m? QR<

50m? QR<

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50m? QR<

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45m? QR<

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100m? QRQ 45m? QR<

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100m? QRQ 45m? QR<

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IE-SP-0 2017/07

1 管制章 DATA C s No.60 薄膜晶片电 TP 阅IE-SP-054) er Tape

4000 p er Tape

5000 p er Tape

10000 er Tape

15000 er Tape

20000 2%)、J(±5%) 100m? 1000m? 100m? 1000m? 100m? 1000m? 50m? 100m? 1000m? 50m? 100m? 1000m? 50m? 100m? 1000m? 1000m? 1000m?

098 7/05 Center. 电阻 pcs pcs

0 pcs

0 pcs

0 pcs RALEC 旺诠 RSX 系列低阻值薄膜晶片电阻器规格标准书 文件编号 IE-SP-098 版本日期 2017/07/05 页次2备注发行管制章 DATA Center. Series No.

60 非经允许,禁止自行影印文件 非发行管制文件自行注意版本更新3.2 功率衰减曲线: 使用温度围:-55℃~155℃ 功率需求请依下图曲线修定之. 3.3 额定电流: 额定电流:对於额定功率之直流或交流(商用周率有效值rms)电流. 可用下列公式求得,但求得之值若超过规格表内之最高电流时,则以最高额定电流为其额定电 流. I=额定电流(A) P=额定功率(W) R=公称阻值(?)

4 尺寸: Unit:mm Dimension L W H L1 L2 Type Size Code RSX05

0805 2.00±0.10 1.25±0.10 0.50±0.10 0.35±0.20 0.35±0.20 RSX06

1206 3.05±0.10 1.55±0.10 0.50±0.10 0.45±0.20 0.45±0.20 RSX25

2512 6.30±0.20 3.20±0.20 0.60±0.10 0.65±0.20 0.65±0.20

100 80

60 40

20 0

20 -55

60 40

80 100

120 140

160 70 负载功率比 (%) 环境温度(℃)

155 RA 旺备注5ALEC 旺诠 R 结构及材 5.1 结构图

1 2

3 4

5 5.2 电阻层 R R R R R RSX 系列 非自材料: 图: 陶瓷基板 正面内部电极 电阻层 背面内部电极 背面保护层 层材料: 型别 RSX05 RSX06 RSX05 RSX06 RSX25 列低阻值 非经允许, 非发行自行注C极T极Bo 层Bott

4 5

5 10 值薄膜晶片 ,禁止自行 行管制意版本Ceramic subs Top inner elec Resistive lay ottom inner ele tom Protective 阻值 45m? Q R 50m? Q R 50m? Q R 00m? Q R 片电阻器 行影印文件 制文件本更新Bottom Top s strate ctrode yer ectrode e coating 围 <

50m? <

1000m? Q 1000m? <

1000m? 器规格标 件新mside side

6 正面

7 字8侧面内

9 Ni

10 Sn ? ? ? 标准书 文版面保护层 字码 内部电极 层电镀 层电镀 材CCCC文件编号 版本日期 页次发行管制章 Series No.

6 Top Prote M Terminal in Ni Sn 材料 CuMn CuNi CuNi CuNi IE-SP-0 2017/07

3 DATA Center

60 ective coating arking nner electrode plating plating

098 7/05 r. e RALEC 旺诠 RSX 系列低阻值薄膜晶片电阻器规格标准书 文件编号 IE-SP-098 版本日期 2017/07/05 页次4备注发行管制章 DATA Center. Series No.

60 非经允许,禁止自行影印文件 非发行管制文件自行注意版本更新6信赖性试验项目: 6.1 电气性能试验(Electrical Performance Test) Item 项目 Conditions 条件 Specifications规格 Resistors Temperature Coefficient of Resistance 温度系数 TCR(ppm/℃)= *106 R1:室温下量测之阻值(?) R2:-+125℃下量测之阻值(?) T1:室温之温度(℃) T2:+125℃之温度(℃). 依 JIS-C5201-1 4.8 参考3.规格表 Short Time Overload 短时间过负荷 施加5倍的额定功率5秒,静置30分钟以上再量测阻值变化率. (额定电流值请参考 3.规格表) 依 JIS-C5201-1 4.13 ±(1.0%+0.001?) 外观无损伤,无短路或烧毁现象. Insulation Resistance 绝缘电阻试验 将晶片电阻置於治具上,在正负极施加100 VDC一分钟后测量电 极与保护层及电极与基板(底材)之绝缘电阻值. 依 JIS-C5201-1 4.6 R109 ? Dielectric Withstand Voltage 绝缘耐电压 将晶片电阻置於治具上,在正、负极施加VAC (参考下列) RTX05,06,25用500VAC-分钟 依 JIS-C5201-1 4.7 无短路或烧毁现象. (R2-R1) R1(T2-T1) 电阻背面 A 测试点 印刷保护层面 绝缘材质 晶片电阻 压力弹簧 B 测试点 电阻背面 A 测试点 印刷保护层面 绝缘材质 晶片电阻 压力弹簧 B 测试点 RALEC 旺诠 RSX 系列低阻值薄膜晶片电阻器规格标准书 文件编号 IE-SP-098 版本日期 2017/07/05 页次5备注发行管制章 DATA Center. Series No.

60 非经允许,禁止自行影印文件 非发行管制文件自行注意版本更新6.2 机械性能试验(Mechanical Performance Test) Item 项目 Conditions 条件 Specifications规格 Resistors Core Body Strength 本体强度 使用测试探针在本体中央向下施加10N{1.02kgf}的负载持续10 sec.. RSX05,06,25试探针R0.5 依 JIS-C5201-1 4.15 ±(1.0%+0.001?) 外观无损伤,侧导无裂痕 Resistance to Solvent 耐溶剂性试验 浸於20~25℃异丙醇溶剂中5±0.5分钟后,取出静置48 hrs.以上, 再量测阻值变化率. 依 JIS-C5201-1 4.29 ±(1.0%+0.001?) 外观无损伤,无G2保护层及锡层 被Leaching现象. Solderability 焊锡性 前处理: 将晶片电阻放置於PCT试验机内,在温度105℃、湿度100%及气 压1.22*105 pa的饱和条件下进行4小时的老化测试,取出后静置 於室温下2小时. 测试方法: 将电阻浸於235±3℃之炉中2±0.5秒后取出置於显微镜下观察焊 锡面积. 依 JIS-C5201-1 4.17 导体吃锡面积应大於95%. Resistance to Soldering Heat 抗焊锡热 测试项目一(焊锡炉测试): 浸於260+5/-0℃之锡炉中10 秒+1/-0,取出静置60分钟以上,再 量测阻值变化率. 测试项目二(焊炉测试): 浸於260+5/-0℃之锡炉中30+1/-0秒,取出后洗净.置於显微镜下 观察焊锡面积. 测试项目三(电烙铁试验): 加热温度:350±10℃ 烙铁加热时间:3+1/-0 sec. 取电铬铁加热於电极两端后,取出静置60钟以上,再量测阻值变 化率. 依 JIS-C5201-1 4.18 测试项目一: (1).阻值变化率: ±(1.0%+0.001?) (2).电极外观无异常,无侧导脱落. 测试项目二: (1).导体吃锡面积应大於95%. (2).在电极边缘处不应见到下层的 物质(例如白基板). 测试项目三: (1).阻值变化率: ±(1.0%+0.001?) (2).电极外观无异常,无侧导脱落. RALEC 旺诠 RSX 系列低阻值薄膜晶片电阻器规格标准书 文件编号 IE-SP-098 版本日期 2017/07/05 页次6备注发行管制章 DATA Center. Series No.

60 非经允许,禁止自行影印文件 非发行管制文件自行注意版本更新Item 项目 Conditions 条件 Specifications规格 Resistors Joint Strength of Solder 焊锡粘合强度 前处理: 将晶片电阻放置於PCT试验机内,在温度105℃、湿度100%及气 压1.22*105 pa的饱和条件下进行4小时的老化测试,取出后静置 於室温下2小时. 测试项目一(固著性测试): 将晶片电阻焊於固著性测试板中,置於端电极测试机上,以半径 R0.5 之测试探针朝施力方向施加20N力量,并保持10 sec,於负 荷下量测阻值变化率. 依JIS-C5201-1 4.32 测试项目二(弯折性测试): 将晶片电阻焊於弯折性测试板中,置於弯折测试机上,在测试板 中央施力下压,於负荷下量测阻值变化率. 下压深度(D): 3mm 依JIS-C5201-1 4.33 测试项目一: (1).阻值变化率: ±(1.0%+0.001?) (2).外观无损伤、无侧导脱落. 测试项目二: (1).阻值变化率: ±(1.0%+0.001?) (2).外观无损伤、无侧导脱落及本 体断裂发生. Vibration 耐振性试验 将晶片电阻焊於测试板上施加一振动波 震动频率:10Hz ~ 55Hz ~ 10Hz/分 振幅:1.5mm 测试时间:6hrs(X.Y.Z3个方向各2hrs) 依 JIS-C5201-1 4.22 ±(1.0%+0.001?) 外观无损伤 RALEC 旺诠 RSX 系列低阻值薄膜晶片电阻器规格标准书 文件编号 IE-SP-098 版本日期 2017/07/05 页次7备注发行管制章 DATA Center. Series No.

60 非经允许,禁止自行影印文件 非发行管制文件自行注意版本更新6.3 境试验(Environmental Test) Item 项目 Conditions 条件 Specifications规格 Resistors Resistance to Dry Heat 耐热性试验 置於155±5℃之烤箱中1000+48/-0 hrs,取出静置1hr以上再量测 阻值变化率. 依 JIS-C5201-1 4.25 ±(1.0%+0.001?) 外观无损伤,无短路及烧毁现 象. Thermal Shock 冷热冲击 将晶片电阻置入冷热冲击试验箱中,条件如下表,共计循环300 次后取出,静置60分钟再量测阻值变化率.........

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