PDF《JCS9N50C》

版本:201812E 1/12 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JCS9N50C 订货型号Order codes 印记Marking 封装Package 有卤-条管 Halogen-Tube 无卤-条管 Halogen-Free-Tube 有卤-编带 Halogen-Reel 无卤-编带 Halogen-Free -Reel JCS9N50VC-V-B JCS9N50VC-V-BR N/A N/A JCS9N50VC IPAK JCS9N50RC-R-B JCS9N50RC-R-BR JCS9N50RC-R-A JCS9N50RC-R-AR JCS9N50RC DPAK JCS9N50CC-C-B JCS9N50CC-C-BR N/A N/A JCS9N50CC TO-220C JCS9N50FC-F-B JCS9N50FC-F-BR N/A N/A JCS9N50FC TO-220MF 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID

9 A VDSS

500 V Rdson-max (@Vgs=10V) 0.

75 ? Qg-typ

29 nC 用途 ? 高频开关电源 ? 电子镇流器 ? UPS 电源 APPLICATIONS ? High frequency switching mode power supply ? Electronic ballast ? UPS 产品特性 ?低栅极电荷 ?低Crss (典型值 26pF) ?开关速度快 ?产品全部经过雪崩测试 ?高抗 dv/dt 能力 ?RoHS 产品 FEATURES ?Low gate charge ?Low Crss (typical 26pF ) ?Fast switching ?100% avalanche tested ?Improved dv/dt capability ?RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE JCS9N50C 版本:201812E 2/12 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 项目Parameter 符号Symbol 数值Value 单位Unit JCS9N50VC/RC JCS9N50CC JCS9N50FC 最高漏极-源极直流电压 Drain-Source Voltage VDSS

500 500 V 连续漏极电流 Drain Current -continuous ID T=25℃ T=100℃

9 9* A 5.7 5.7* A 最大脉冲漏极电流(注1) Drain Current - pulse (note 1) IDM

36 36* A 最高栅源电压 Gate-Source Voltage VGSS ±30 V 单脉冲雪崩能量(注2) Single Pulsed Avalanche Energy(note 2) EAS

365 mJ 雪崩电流(注1) Avalanche Current(note 1) IAR

9 A 重复雪崩能量(注1) Repetitive Avalanche Energy (note 1) EAR 4.6 mJ 二极管反向恢复最大电压变化 速率(注3) Peak Diode Recovery dv/dt (note 3) dv/dt 4.4 V/ns 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25℃ -Derate above 25℃

60 130

45 W 0.32 1.08 0.36 W/℃ 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55~+150 ℃ 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes TL

300 ℃ JCS9N50C 版本:201812E 3/12 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项目Parameter 符号Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 关态特性 Off CCharacteristics 漏-源击穿电压 Drain-Source Voltage BVDSS ID=250μA, VGS=0V

500 - - V 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient ΔBVDSS/Δ TJ ID=250μA, referenced to 25℃ - 0.5 - V/℃ 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=500V,VGS=0V, TC=25℃ - -

10 μA VDS=400V, TC=125℃ - -

100 μA 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward IGSSF VDS=0V, VGS =30V - -

100 nA 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse IGSSR VDS=0V, VGS =-30V - - -100 nA 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS , ID=250μA 2.0 - 4.0 V 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance RDS(ON) VGS =10V , ID=4.5A - 0.62 0.75 ? 正向跨导 Forward Transconductance gfs VDS = 40V, ID=4.5A (note 4) - 6.2 - S 动态特性 Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance Ciss VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MHZ -

870 1120 pF 输出电容 Output capacitance Coss -

155 192 pF 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Crss -

26 34 pF JCS9N50C 版本:201812E 4/12 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 开关特性 Switching Characteristics 延迟时间 Turn-On delay time td(on) VDD=250V,ID=9A,RG=25? (note 4,5) -