PDF《FTG 系列耐脉冲厚膜晶片电阻器》

6 R1:室温下量测之阻值(Ω) R2:-55℃或+125℃下量测之阻值(Ω) T1:室温之温度(℃) T2:-55℃或+125℃之温度(℃). 依 JIS-C5201-1 4.8 参考3.规格表 Short Time Overload 短时间过负荷 施加2.5倍的额定电压5秒,静置30分钟以上再量测阻值变 化率. (额定电压值请参考 3.规格表) 依 JIS-C5201-1 4.13 R=±2% Insulation Resistance 绝缘电阻试验 将晶片电阻置於治具上 , 在正负极施加100 VDC一分钟后 测量电极与保护层及电极与基板(底材)之绝缘电阻值. 依 JIS-C5201-1 4.6 R10

9 Ω Dielectric Withstand Voltage 绝缘耐电压 将晶片电阻置於治具上,在正、负极施加VAC (参考下 列) FTG

06、

12、

20、25 用500 VAC-分钟 依 JIS-C5201-1 4.7 无短路或烧毁现象. Intermittent Overload 断续过负荷 置於恒温箱中,施加2.5倍额定电压,1秒ON,25秒OFF, 计10000+400/-0次后取出静置60分钟后量测阻值变化量. 依 JIS-C5201-1 4.13 R=±5.0% RALEC 旺诠 FTG 系列耐脉冲厚膜晶片电阻器 规格标准书 文件编号 IE-SP-161 版本日期 2019/06/10 页次

6 备注发行管制章DATA Center. Series No.

60 非经允许,禁止自行影印文件 非发行管制文件自行注意版本更新6.2 机械性能试验(Mechanical Performance Test) Item 项目 Conditions 条件 Specifications规格 Resistors Terminal Strength 端电极 拉力测试 测试项目一:将电阻焊在电路板上,在电阻背面施以5N的力 量持续10 sec后,检查侧导体外观. 测试项目二:将电阻焊在电路板上,逐渐施加力量於电阻背 面,测试端电极最大剥离强度. 依 JIS-C5201-1 4.16 项目一:外观无损伤,无侧导脱落及本体断裂 发生. 项目二:R5N Resistance to Solvent 耐溶剂性 试验 浸於20~25℃异丙醇溶剂中5分钟后,取出静置48 hr以上, 再量测阻值变化率. 依 JIS-C5201-1 4.29 R%=±1% Solderability 焊锡性 前处理:将晶片电阻放置於PCT试验机内,在温度105℃、 湿度100%及气压1.22*10

5 pa的饱和条件下进行4小时的 老化测试,取出后静置於室温下2小时. 测试方法:将电阻浸於235±5℃之炉中2±0.5秒后取出置於 显微镜下观察焊锡面积. 依 JIS-C5201-1 4.17 导体吃锡面积应大於95%. Resistance to Soldering Heat 抗焊锡热 测试项目一(焊锡炉测试): 浸於260+5/-0℃之锡炉中10 秒+1/-0,取出静置60分钟以 上,再量测阻值变化率. 测试项目二(焊炉测试): 浸於260+5/-0℃之锡炉中30+1/-0秒,取出后洗净.置於显 微镜下观察焊锡面积. 测试项目三(电烙铁试验): 加热温度:350±10℃ 烙铁加热时间:3+1/-0 sec. 取电铬铁加热於电极两端后,取出静置60钟以上,再量测 阻值变化率. 依 JIS-C5201-1 4.18 试验项目一: R%=±2% 试验项目二: (1).导体吃锡面积应大於95%. (2).在电极边缘处不应见到下层的物质 (例如白基板). 试验项目三: (1)阻值变化率 R%=±2% RALEC 旺诠 FTG 系列耐脉冲厚膜晶片电阻器 规格标准书 文件编号 IE-SP-161 版本日期 2019/06/10 页次

7 备注发行管制章DATA Center. Series No.

60 非经允许,禁止自行影印文件 非发行管制文件自行注意版本更新Item 项目 Conditions 条件 Specifications规格 Resistors Joint Strength of Solder 焊锡粘合强度 弯折性测试 将晶片电阻焊於弯折性测试板中,置於弯折测试机上,在 测试板中央施力下压,於负荷下量测阻值变化率. 下压深度(D): FTG

06、12=3mm FTG

20、25=2mm 依JIS-C5201-1 4.33 R%=±1.0% 6.3 环境试验(Environmental Test) Item 项目 Conditions 条件 Specifications规格 Resistors Resistance to Dry Heat 耐热性试验 置於155±5℃之烤箱中1000+48/-0 hrs,取出静置1 hr以上 再量测阻值变化率. 依 JIS-C5201-1 4.25 R%=±2.0% Thermal Shock 冷热冲击 将晶片电阻置入冷热冲击机中,温度为-55℃ 15分钟, +125℃ 15分钟,共计循环300次后取出,静置60分钟再量 测阻值变化率. 测试条件 最低温度 -55±5℃ 最高温度 125±5℃ 温度保留时间 15分 依 MIL-STD