PDF《浙江省拟提名 2019 年度国家技术发明奖项目公示内容》

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2005 年2月23 日第196907 号浙江大学杨德仁 马向阳 田达晰 沈益军 李立本 阙端麟 有效 中国发 明专利 一种磁场 下生长低 缺陷密度 直拉硅单 晶的方法 中国 ZL200

31010 8003.

9 2005 年12 月28 日第242380 号浙江大学杨德仁 马向阳 李立本 阙端麟 有效 中国发 明专利 一种抑制 光衰减的 掺锗晶体 硅太阳电 池及其制 备 中国 ZL201

01050 9992.

2 2012 年07 月25 日第1012456 号浙江大学杨德仁 王朋余学功 阙端麟 有效 美国发 明专利 Process of Internal Getterin g for 美国 US846 6043B

2 2013 年06 月18 日0086846 6043B2 浙江大学马向阳 徐泽王彪杨德仁 有效 ? Czochral ski Silicon Wafer 中国发 明专利 直拉硅片 的内吸杂 工艺 中国 ZL201

11007 0161.

4 2012 年05 月30 日第959573 号浙江大学马向阳 徐泽王彪杨德仁 有效 中国发 明专利 重掺硼直 拉硅片的 基于快速 热处理的 内吸杂工 艺 中国 ZL200

61005 1834.

0 2007 年9月12 日第3457282

0 号浙江大学杨德仁 马向阳 符黎明 阙端麟 有效 中国发 明专利 一种硅片 的硼铝共 吸杂方法 中国 ZL201

01028 3048. X

2012 年05 月09 日第942891 号浙江大学杨德仁 顾鑫樊瑞新 余学功 有效 中国发 明专利 一种低弯 曲薄片单 晶硅太阳 电池烧结 工艺 中国 ZL200

81096 9641.

0 2010 年02 月17 日第600447 号浙江大学杨德仁 孙振华 朱鑫汪雷有效 中国发 明专利 硅片的硼 铝共吸杂 方法 中国 ZL201

01028 3047.

5 2012 年05 月09 日第945179 号浙江大学杨德仁 樊瑞新 顾鑫余学功 有效 中国发 明专利 一种硅片 外吸杂方 法 中国 ZL201

01058 4771.

1 2012 年05 月30 日第963122 号浙江大学余学功 肖承全 杨德仁 有效 ? 主要完成人情况 姓名杨德仁 性别 男排名1国籍中国 技术职称 教授 最高学历 研究生 最高学位 博士 工作单位 浙江大学 行政职务 重点实验室主任 完成单位 浙江大学 所在地浙江 单位性质 大专院校 对本项目技术创造性贡献: 项目负责人,总体构思项目的技术路线,提出在直拉硅中微量掺锗调控晶体微缺陷的新思 路,生长出微量掺锗直拉硅单晶;

开发了重掺、外延、吸杂等相关技术,实现了微电子产业的 应用;

开发了低衰减、薄片等相关技术,实现了光伏产业的应用.是发明点 1-3 的主要贡献人, 是所有发明专利的主要发明人之一,包括核心发明专利(见主要知识产权证明目录 1-3) . 姓名田达晰 性别 男排名2国籍中国 技术职称 高级工程师 最高学历 研究生 最高学位 博士 工作单位 浙江金瑞泓科技股份有限公司 行政职务 副总经理 完成单位 浙江金瑞泓科技股份有限公司 所在地浙江 单位性质 大专院校 对本项目技术创造性贡献: 本项目发明点

2 的完成人之一,开发了掺锗直拉单晶硅的生长和外延技术,实施大直径微 量掺锗直拉单晶硅生长及其外延片产业应用,是本项目核心发明专利一的主要发明人之一(见 主要知识产权证明目录 1) . 姓名余学功 性别 男排名3国籍中国 技术职称 教授 最高学历 研究生 最高学位 博士 工作单位 浙江大学 行政职务 完成单位 浙江大........