PDF《S-5712E系列》

11 ? 测定电路 S-5712E 系列 VDD VSS OUT A R*1

100 k? *1. CMOS输出产品,不需要电阻 (R). 图5 测定电路1 S-5712E 系列 VDD VSS OUT A V 图6 测定电路2 S-5712E 系列 VDD VSS OUT A V 图7 测定电路3 高速 低电压工作 两极 / 单极检测型 霍尔效应开关IC S-5712E系列 Rev.1.0_01

12 S-5712E 系列 VDD VSS OUT A V 图8 测定电路4 S-5712E 系列 VDD VSS OUT V R *1

100 k? *1. CMOS输出产品,不需要电阻 (R). 图9 测定电路5 高速 低电压工作 两极 / 单极检测型 霍尔效应开关IC Rev.1.0_01 S-5712E系列

13 ? 标准电路 S-5712E 系列 VDD VSS OUT CIN R*1

100 k? 0.1 ?F *1. CMOS输出产品,不需要电阻 (R). 图10 注意 上述连接图以及参数并不作为保证电路工作的依据.实际的应用电路请在进行充分的实测基础上设定参数. 高速 低电压工作 两极 / 单极检测型 霍尔效应开关IC S-5712E系列 Rev.1.0_01

14 ? 工作说明 1. 施加磁束方向 本IC可针对标记面检测出垂直方向的磁束密度. 检测两极产品时,将S极或N极接近标记面,输出电压 (VOUT) 就会切换. 检测S极产品时,将S极接近标记面,VOUT就会切换. 检测N极产品时,将N极接近标记面,VOUT就会切换. 图

11、图12表示施加磁束的方向. 1.

1 SOT-23-3 1.

2 SNT-4A 标记面 S N 标记面 S N 图11 图12 2. 霍尔传感器位置 图

13、图14表示霍尔传感器的位置. 霍尔传感器的中心位置如下图所示,处于封装中央的标有圆形标记的范围内. 另外,还标示出从封装的标记面到芯片表面的距离 (典型值). 2.

1 SOT-23-3 2.

2 SNT-4A

1 Top view

2 3 霍尔传感器的中心 (? 0.3 mm内) 0.7 mm (典型值) Top view

1 4

2 3 霍尔传感器的中心 (? 0.3 mm内) 0.16 mm (典型值) 图13 图14 高速 低电压工作 两极 / 单极检测型 霍尔效应开关IC Rev.1.0_01 S-5712E系列

15 3. 基本工作 本IC可根据磁石等所产生的磁束密度 (N极或S极) 的强弱来切换输出电压 (VOUT) 的电位. 以下说明在输出逻辑为动态 L 时的工作. 3.

1 检测两极产品 将磁石的S极或N极靠近本IC的标记面,针对标记面,当垂直方向的磁束密度超过工作点 (BOPN或BOPS) 时,VOUT从 H 切换为 L . 另外, 将磁石的S极或N极远离本IC的标记面, 当磁束密度低于复位点 (BRPN或BRPS) 时, VOUT从 L 切换为 H . 图15表示磁束密度与VOUT之间的关系. VOUT S极0BOPN BRPN BRPS BOPS N极 磁束密度 (B) BHYSS BHYSN H L 图15 3.

2 检测S极产品 将磁石的S极靠近本IC的标记面,针对本IC的标记面,当垂直方向的磁束密度超过BOPS时,VOUT从 H 切换为 L . 另外,将磁石的S极远离本IC的标记面,当磁束密度低于BRPS时,VOUT从 L 切换为 H . 图16表示磁束密度与VOUT之间的关系. VOUT S极0BRPS BOPS N极 磁束密度 (B) BHYSS H L 图16 高速 低电压工作 两极 / 单极检测型 霍尔效应开关IC S-5712E系列 Rev.1.0_01

16 3.

3 检测N极产品 将磁石的N极靠近本IC的标记面,针对本IC的标记面,当垂直方向的磁束密度超过BOPN时,VOUT从 H 切换为 L . 另外,将磁石的N极远离本IC的标记面,当磁束密度低于BRPN时,VOUT从 L 切换为 H . 图17表示磁束密度与VOUT之间的关系. VOUT S极0BOPN BRPN N极 磁束密度 (B) BHYSN H L 图17 高速 低电压工作 两极 / 单极检测型 霍尔效应开关IC Rev.1.0_01 S-5712E系列

17 4. 时序图 图18表示本IC的工作时序图. 消耗电流 (IDD) 输出电压 (VOUT) (检测两极、 动态 L 产品) 输出电........