编辑: 阿拉蕾 | 2019-07-06 |
1 400 ℃;
Ⅱ、Ⅲ为 湿坯在空气中煅烧至
1 100 ℃并保温
100 min 后, 再 分别通入氩气、氮气煅烧至
1 400 ℃;
Ⅳ、Ⅴ为湿 坯分别在氩气、氮气保护气氛中煅烧至
1 400 ℃. 图1不同烧成氛围示意图 Fig.
1 Schematic diagram for SiC supports calcined in different atmospheres 1.2 样品表征 粉体平均粒径采用 S3500 系列激光粒度分析仪 测定. 孔隙率利用 Archimedes 法(GB/T 1966―1996) 测定.平均孔径采用 PSDA-20 型泡压装置测定.三 点抗弯强度采用 CMT-6203 型电子万能试验机测定 (GB/T 6569―86),采用三点弯曲法,支撑刀口之间 的跨距为
40 mm,加载速率 0.5 mm/min,加载至支 撑体(长* 宽* 高为
50 mm*
6 mm*
5 mm)断裂. 采用式 (1)计算三点抗弯强度. Rf=3PL/2BH2 (1) 式中:Rf 为支撑体的三点抗弯强度;
P 为支撑体断 裂时的载荷;
L 为支撑刀口之间的跨距;
B 为支撑 体断裂处的宽度;
H 为支撑体断裂处的厚度. 纯水渗透性能采用自制的片式错流过滤装置测 定,保持跨膜压差为 0.05 MPa,待过滤稳定
5 min 后,读取温度,并称量渗透液的质量,利用式(2)计 算多孔碳化硅支撑体的纯水渗透率: Q=V/At?p (2) 式中:Q 为支撑体的渗透率;
V 为渗透液的体积;
A 为支撑体的有效过滤面积;
t 为过滤时间;
?p 为跨 膜压差. 物相组成采用 D8 ADVANCE 型X射线衍射仪 (XRD) 分析,扫描速率为4(° )/min , 扫描范围10° ~80° . 断面微观形貌采用 S4800 型扫描电子显微 镜进行观察.将多孔碳化硅支撑体经
80 ℃、1% NaOH 溶液浸泡
10 d 后,以三点抗弯强度随时间的 变化来表征支撑体的耐碱腐蚀性能.
2 结果与讨论 2.1 Ⅱ、 Ⅲ烧成条件下惰性气氛起始烧成温度的确 定图2为多孔 SiC 支撑体的孔结构与气氛Ⅱ、气氛Ⅲ烧成条件下惰性气氛起始烧成温度(以下简称 为:起始温度)关系曲线.由图
2 可知:多孔 SiC 支 撑体的平均孔径随着起始温度的升高呈现先增大后 略有下降趋势.孔的形成一方面是由于粉体颗粒间 的相互堆积;
另一方面是由于造孔剂石墨的氧化 [19].添加的石墨粉在........