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HR7P179 数据手册 V1.

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8 位MCU HR7P179 数据手册?产品简介 ? 数据手册 ? 产品规格 上海东软载波微电子有限公司

2019 年3月4日HR7P179 数据手册 V1.6 2/122 版权所有?上海东软载波微电子有限公司 http://www.essemi.com 东软载波 MCU 芯片使用注意事项 关于芯片的上/下电 东软载波 MCU 芯片具有独立电源管脚.当MCU 芯片应用在多电源供电系统时,应先对 MCU 芯片上电,再对系统 其他部件上电;

反之,下电时,先对系统其他部件下电,再对 MCU 芯片下电.若操作顺序相反则可能导致芯片内 部元件过压或过流,从而导致芯片故障或元件退化.具体可参照芯片的数据手册说明. 关于芯片的复位 东软载波 MCU 芯片具有内部上电复位.对于不同的快速上/下电或慢速上/下电系统,内部上电复位电路可能失效, 建议用户使用外部复位、下电复位、看门狗复位等,确保复位电路正常工作.在系统设计时,若使用外部复位电路, 建议采用三极管复位电路、RC 复位电路.若不使用外部复位电路,建议采用复位管脚接电阻到电源,或采取必要 的电源抖动处理电路或其他保护电路.具体可参照芯片的数据手册说明. 关于芯片的时钟 东软载波 MCU 芯片具有内部和外部时钟源.内部时钟源会随着温度、电压变化而偏移,可能会影响时钟源精度;

外部时钟源采用陶瓷、晶体振荡器电路时,建议使能起振延时;

使用 RC 振荡电路时,需考虑电容、电阻匹配;

采 用外部有源晶振或时钟输入时,需考虑输入高/低电平电压.具体可参照芯片的数据手册说明. 关于芯片的初始化 东软载波 MCU 芯片具有各种内部和外部复位.对于不同的应用系统,有必要对芯片寄存器、内存、功能模块等进 行初始化,尤其是 I/O 管脚复用功能进行初始化,避免由于芯片上电以后,I/O 管脚状态的不确定情况发生. 关于芯片的管脚 东软载波 MCU 芯片具有宽范围的输入管脚电平,建议用户输入高电平应在 VIHMIN 之上,低电平应在 VILMAX 之下. 避免输入电压介于 VIHMIN 和VILMAX 之间,以免波动噪声进入芯片.对于未使用的输入/输出管脚,建议用户设为输入 状态,并通过电阻上拉至电源或下拉至地,或设置为输出管脚,输出固定电平并浮空.对未使用的管脚处理因应用 系统而异,具体遵循应用系统的相关规定和说明. 关于芯片的 ESD 防护措施 东软载波MCU芯片具有满足工业级ESD标准保护电路. 建议用户根据芯片存储/应用的环境采取适当静电防护措施. 应注意应用环境的湿度;

建议避免使用容易产生静电的绝缘体;

存放和运输应在抗静电容器、抗静电屏蔽袋或导电 材料容器中;

包括工作台在内的所有测试和测量工具必须保证接地;

操作者应该佩戴静电消除手腕环手套,不能用 手直接接触芯片等. 关于芯片的 EFT 防护措施 东软载波 MCU 芯片具有满足工业级 EFT 标准的保护电路.当MCU 芯片应用在 PCB 系统时,需要遵守 PCB 相关 设计要求,包括电源、地走线(包括数字/模拟电源分离,单/多点接地等) 、复位管脚保护电路、电源和地之间的去 耦电容、高低频电路单独分别处理以及单/多层板选择等. 关于芯片的开发环境 东软载波 MCU 芯片具有完整的软/硬件开发环境,并受知识产权保护.选择上海东软载波微电子有限公司或其指定 的第三方公司的汇编器、编译器、编程器、硬件仿真器开发环境,必须遵循与芯片相关的规定和说明. 注:在产品开发时,如遇到不清楚的地方,请通过销售或其它方式与上海东软载波微电子有限公司联系. HR7P179 数据手册 V1.6 3/122 版权所有?上海东软载波微电子有限公司 http://www.essemi.com 产品订购信息 Part No. 工作电压 FLASH SRAM Data FLASH I/O ADC Timer 封装 类型 HR7P179F8RB 2.5V~5.5V 4K Words

256 Bytes

512 Words

8 12-bit*(7+1)Ch 8-bit*1 12-bit*3 SSOP10 HR7P179F8SA 2.5V~5.5V 4K Words

256 Bytes

512 Words

6 12-bit*(5+1)Ch 8-bit*1 12-bit*3 SOP8 注:本数据手册所述资源为本产品所属产品系列资源最大化描述.文中所述部分内容(包括管脚、寄存器、芯片配 置字等)不为本产品所有的资源,请将其保持在默认设置值状态.如有其它需求,请与我司 FAE 部门联系! 封装:S―SOP;

R―SSOP ROM容量:8―4K Words(8K Bytes) ROM类型:F―FLASH ROM 179:MCU型号 7P:8位MCU系列号 HR 7P No. X X X X 管脚数:A―8pin;

B―10pin 地址:中国上海市龙漕路

299 号天华信息科技园 2A 楼5层邮编:200235 E-mail:support@essemi.com

电话:+86-21-60910333 传真:+86-21-60914991

网址:http://www.essemi.com 版权所有? 上海东软载波微电子有限公司 本资料内容为上海东软载波微电子有限公司在现有数据资料基础上慎重且力求准确无误编制而成,本资料中所记载 的实例以正确的使用方法和标准操作为前提,使用方在应用该等实例时请充分考虑外部诸条件,上海东软载波微电 子有限公司不担保或确认该等实例在使用方的适用性、适当性或完整性,上海东软载波微电子有限公司亦不对使用 方因使用本资料所有内容而可能或已经带来的风险或后果承担任何法律责任. 基于使本资料的内容更加完善等原因, 上海东软载波微电子有限公司保留未经预告的修改权.使用方如需获得最新的产品信息,请随时用上述联系方式与 上海东软载波微电子有限公司联系. HR7P179 数据手册 V1.6 4/122 版权所有?上海东软载波微电子有限公司 http://www.essemi.com 修订历史 版本 修改日期 更改概要 V1.0 2017-10-17 初版发布 V1.1 2018-1-10 增加 SOP8 封装相关内容. V1.2 2018-5-16 1. 更新全局中断使能 GIE 和低优先级中断使能 GIEL 的清0和置

1 的操作注意事项;

2. 添加 ADC 工作建立的相关内容. V1.3 2018-9-11 1. 更新内部参考电压精度参数;

2. 参数特性图章节添加芯片运行模式电流随电压-系统时 钟频率变化特性图;

3. 更新复位章节时序图;

4. 更新 ADC 外部参考电压的范围,不能低于 1.3V@VDD=3.3V,1.8V@VDD=5.0V;

5. 更新 ADC 时序特征示意图和备注 Tog >

80us. V1.4 2018-11-9 更新 IDLE 电流为 5uA. V1.5 2019-1-7 1. 电气特性部分新增芯片 ESD 特性;

2. 增强对 SFR 寄存器中的仅供测试用控制位的描述,禁 止用户设置. V1.6 2019-3-4 1. 添加芯片上电和下电工作条件表;

2. 增加 IAP 操作和中断时,使能位 GIE 的补充说明;

3. 增加了封装尺寸的补充说明;

4. 变更 Logo. HR7P179 数据手册 V1.6 5/122 版权所有?上海东软载波微电子有限公司 http://www.essemi.com 目录内容目录 第1章芯片简介.11 1.

1 概述

11 1.

2 选型表.13 1.

3 应用领域.13 1.

4 结构框图.13 1.

5 管脚分配图

14 1. 5.

1 10-Pin

14 1. 5.

2 8-Pin

14 1. 5.

3 20-Pin

14 1.

6 管脚说明.15 1. 6.

1 管脚封装对照表

15 1. 6.

2 管脚复用说明.15 第2章内核特性.17 2.

1 CPU 内核概述

17 2.

2 硬件乘法器

17 2. 2.

1 概述

17 2. 2.

2 硬件乘法器操作

17 2.

3 硬件除法器

18 2. 3.

1 概述

18 2. 3.

2 硬件除法器操作

18 2.

4 特殊功能寄存器.18 第3章存储资源.22 3.

1 概述

22 3.

2 程序寻址空间映射

22 3.

3 程序存储器

23 3. 3.

1 概述

23 3. 3.

2 程序计数器(PC)23 3. 3.

3 硬件堆栈.24 3. 3.

4 程序存储器查表读操作

24 3.

4 可配置数据 FLASH 存储器.25 3. 4.

1 概述

25 3. 4.

2 数据 FLASH 页更新流程.26 3. 4.

3 操作参考例程.26 3. 4.

4 特殊功能寄存器

28 3.

5 在线编程 ISP 和在线调试 ICD.29 3.

6 数据存储器

31 3. 6.

1 概述

31 3. 6.

2 通用数据存储器

31 3. 6.

3 特殊功能寄存器

31 3. 6.

4 寻址方式.32 3. 6. 4.

1 直接寻址

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