PDF《20V N 沟道增强型 MOS 场效应管》

SC8205 (文件编号: S&CIC0706) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 第1页共3页86-755-83468588 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET RDS(ON), Vgs@1.

8V, Ids@2.0A = 75mΩ RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38mΩ RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.5A = 30mΩ RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 28mΩ RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.0A = 25mΩ 特点 ? 专有的先进平面技术 ? 高密度超低电阻设计 ? 大功率、大电流应用 ? 理想的锂电池应用 ? 封装形式:TSSOP-8/SOT-23-6 8205A/TSSOP-8 8205S/SOT-23-6 N-Channel MOSFET SC8205 (文件编号: S&CIC0706) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 第2页共3页86-755-83468588 最大额定值和热特性 (Ta = 25℃,除非另有说明.) 参数 符号 值 单位 漏源电压 VDS

20 V 栅源电压 VGS ±

12 漏极电流 ID

6 A 漏极脉冲电流 IDM

20 最大功耗 TA = 25℃ PD

2 W TA = 75℃ 1.3 工作结温和存储温度范围 TJ, Tstg -55 to

150 ℃ 结环热阻(PCB 安装) RθJA 62.5 ℃/W 注:重复性极限值:脉冲宽度由最高结温限制. 电特性 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 静电 漏源击穿电压 BVDSS VGS = 0V, ID = 250uA

20 -- -- V 漏源电阻 RDS(on) VGS = 1.8V,ID = 2.0A -- 53.0 75.0 mΩ VGS = 2.5V,ID = 3.5A -- 30.0 38.0 VGS = 4.0V,ID = 4.5A 23.0 30.0 VGS = 4.5V,ID = 4.5A 22.0 28.0 VGS = 10V,ID = 5.0A 20.0 25.0 栅极阈值电压 VGS(th) VDS = VGS, ID = 250uA 0.5 -- 1.5 V 栅源短路时漏极电流 IDSS VDS = 20V, VGS = 0V -- --

1 uA 漏极短路时截止栅电流 IGSS VGS = ±12V, ID=0uA -- -- ±

100 nA 跨导 gfs VDS = 15V, ID = 6.0A --

29 -- S SC8205 (文件编号: S&CIC0706) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 第3页共3页86-755-83468588 动态 总栅极电荷 Qg VDS = 10V,ID = 6A VGS = 4.5V 6.24 8.11 nC 栅源电荷 Qgs 1.64 2.13 栅漏电荷 Qgd 1.34 1.74 延迟时间(On) td(on) VDD = 10V,ID = 6A ID = 1A,VGS = 4.5V 10.4 20.8 ns 上升时间(On) tr 4.4 8.8 延迟时间(Off) td(off) 27.36 54.72 下降时间(Off) tf 4.16 8.32 输入电容 Ciss VDS = 8V, VGS = 0V f=1.0MHz -- 522.3 -- pF 输出电容 Coss -- 98.48 -- 反向传输电容 Crss -- 74.69 -- 漏源二极管 二极管最大正向电流 IS 1.7 A 二极管正向电压 VSD IS = 1.7A, VGS = 0V -- -- 1.2 V 注:脉冲测试:脉冲宽度