PDF《第七代 IGBT 的产品技术规格》

2012 年7月11 日 第七代 IGBT 的产品技术规格 1.

650V-IGBT RJH/RJP65S 系列 所有产品版本的共同项目 ? 额定结温(Tj): +150℃ ? 集电极-发射极额定电压(VCES):

650 V ? 额定的栅极发射器电压(VGES): ±30 V ? 集电极-发射极饱合电压 (VCE(sat)): 1.6 V (典型值) (Ta = 25℃, IC = 额定电流, VGE =

15 V) ? 集电极-发射极阈值电压 (VGE(OFF)): 5.0 V 至6.8 V ? 开关下降时间 (tf):

80 ns (VCC =

300 V, VGE =

15 V, Tj = 125℃, IC = 额定电 流) ? 短路承受时间 (tsc):

10 ?s (min) (VCC =

360 V, VGE =

15 V, Tj = 150℃) ? 发货形式:晶圆/芯片*仅RJH65S04DPQ-A0 采用 TO-247A 封装 RJH65S04DPQ-A0 ? TO-247A 封装,内置 FRD ? 集电极-发射极额定电流:

50 A (Tc = 100℃)

100 A (Tc = 25℃) RJP65S03DWA/DWT ? 集电极-发射极额定电流:

30 A (Tc = 100℃)

60 A (Tc = 25℃) RJP65S04DWA/DWT ? 集电极-发射极额定电流:

50 A (Tc = 100℃)

100 A (Tc = 25℃) RJP65S05DWA/DWT ? 集电极-发射极额定电流:

75 A (Tc = 100℃)

150 A (Tc = 25℃) RJP65S06DWA/DWT ? 集电极-发射极额定电流:

100 A (Tc = 100℃)

200 A (Tc = 25℃)

2 RJP65S07DWA/DWT ? 集电极-发射极额定电流:

150 A (Tc = 100℃)

300 A (Tc = 25℃) RJP65S08DWA/DWT ? 集电极-发射极额定电流:

200 A (Tc = 100℃)

400 A (Tc = 25℃) 2. 1250V-IGBT RJP1CS 系列 所有产品版本的共同项目 ? 额定结温(Tj): +150℃ ? 集电极-发射极额定电压(VCES):

1250 V ? 额定的栅极发射器电压(VGES): ±30 V ? 集电极-发射极饱合电压(VCE(sat)): 1.8 V (典型值 (Ta = 25℃, IC = 额定电流, VGE =

15 V) ? 集电极-发射极阈值电压(VGE(OFF)): 5.0 V 至6.8 V ? 集电极-发射极阈值电压(VGE(OFF)): 5.0 V 至6.8 V ? 短路承受时间 sc):

10 ?s (min) (VCC =

720 V, VGE =

15 V, Tj = 150℃) ? 发货形式:晶圆/芯片 RJP1CS03DWA/DWT ? 集电极-发射极额定电流:

30 A (Tc = 100℃)

60 A (Tc = 25℃) RJP1CS04DWA/DWT ? 集电极-发射极额定电流:

50 A (Tc = 100℃)

100 A (Tc = 25℃) RJP1CS05DWA/DWT ? 集电极-发射极额定电流:

75 A (Tc = 100℃)

150 A (Tc = 25℃) RJP1CS06DWA/DWT ? 集电极-发射极额定电流:

100 A (Tc = 100℃)

200 A (Tc = 25℃)

3 RJP1CS07DWA/DWT ? 集电极-发射极额定电流:

150 A (Tc = 100℃)

300 A (Tc = 25℃) RJP1CS08DWA/DWT ? 集电极-发射极额定电流:

200 A (Tc = 100℃)

400 A (Tc = 25℃) 参考图 三种应用中 IGBT 效率的比较