PDF《ELECTRONIC GIANT》

85 ℃ TSTG 存储温度 - -65

150 ℃ TSLD 焊接温度

5 秒-300 ℃ 注:超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏,在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性. 6.2 电参数 VDD=5V,T=25℃,除非另外注明 符号 参数名称 测试条件 最小 典型 最大 单位 VDD 工作电压 - -

3 - 5.0 V IDD 工作电流 输出空载 VDD=3.0V - -

50 uA VDD=5.0V - -

100 VOS 输入失调电压 VDD=5.0V - -

50 mV IOS 输入失调电流 VDD=5.0V - -

50 nA AVO 开环电压增益 VDD=5.0V RL=1.5MΩ

60 - - dB CMRR 共模抑制比 VDD=5.0V RL=1.5MΩ

60 - - dB VYH 运放输出高电平 VDD=5.0V RL=500KΩ 接1/2VDD 4.25V - - V VYL 运放输出低电平 - - 0.75 V VRH VC 端输入高电平 VRF=VDD=5.0V 1.1 - - V VRL VC 端输入低电平 - - 0.9 V VOH VO 端输出高电平 VDD=5.0V IOH=0.5mA

4 - - V 屹晶微电子有限公司 EG0001 芯片用户手册 V1.1 热释电红外传感信号处理器

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9 7.应用 7.1 典型应用 图7-1 热释电红外开关电路原理图

1 图7-2 热释电红外开关电路原理图

2 上图中,运算放大器 OP1 将热释电红外传感器的输出信号作第一级放大,然后由 C3 耦合给运算放大器 OP2 进行第二级放大,再经由电压比较器 COP1 和COP2 构成的双向鉴幅器处理后,检出有效触发信号 Vs 去VOL VO 端输出低电平 VDD=5.0V IOL=0.1mA - - 0.4 V VAH A 端输出高电平 VDD=5.0V 3.5 - - V VAL A 端输出低电平 VDD=5.0V - - 1.5 V 屹晶微电子有限公司 EG0001 芯片用户手册 V1.1 热释电红外传感信号处理器

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