PDF《果表明 ,这种方法和生长面积 、》

果表明 ,这种方法和生长面积、 垂直生长速率及 拉普拉斯方程等描述生长概率的方法是一致 的 ,说明多重分形谱方法也可确定晶体分形生 长的动力学过程.

413 电子在固体中的散射 李华等用多重分形谱方法描述了二次电子 在固体表面出射点的分布 ,结果显示二次电子 分布满足多重分形特征[8 ] . 系统研究表明 :对 相同的材料 ,随入射电子能量的增加 , α min 减小,α max 增加;

对相同的入射电子能量 , 随材料 原子序数的减小 ,Δ α增加. 因为α min 对应二次 电子出射中心区域的概率 (概率大) ;

而α max 对 应出射边缘区域的概率 (概率小) , 所以随入射 电子能量的增加和材料原子序数的减小 , 二次 电子出射点的分布更加分散. 此外他们还用多 重分形谱描述了二次电子在材料体内的空间分 布[8 ] .

414 沉积模型 固体表面上的固体生长模型 (SOS) 可广泛 地用来描述晶体薄膜的生长. 王兵等采用多重 分形谱方法研究了在 SOS 生长过程中生长表 面的粗糙度的变化[12 ] . 结果表明 ,多重分形谱 的谱宽Δ α和谱高Δf (α ) 随薄膜厚度 h 的增加 而减小 ,并且Δ α与Δf (α ) 和厚度 h 在较宽的 范围内满足Δ α~ h - γ1 和Δf (α ) ~ h - γ2 的关 系 ,其中 γ1 = -

0192 ,γ2 = - 0187. 用简单分 维数表征薄膜生长模型时 , 可以使用几个不同 的定义 ,得到的分维有相当大的差别 ,从而在应 用时使人感到困惑[13 ] . 参考文献[1]吴自勤. 物理 ,1992 ,21 :550 ―

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12269 3 国家

863 惯性约束聚变主题项目 ;

惯性约束聚变青年科学基金、 中国博士后科学基金、 国家自然科学基金资助项目

1998 -

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16 收到初稿 ,1999 -

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04 修回 超短脉冲超强激光等离子体中新的能量吸收机制3 曹莉华(国防科技大学应用物理系 长沙 410073) 常铁强(北京应用物理与计算数学研究所 北京 100088) 常文蔚 岳宗五 (国防科技大学应用物理系 长沙 410073) 摘要介绍了超短脉冲超强激光等离子体中几种新的能量吸收机制. 强激光照射等离子体时 ,相对 论效应导致电子质量增大 ,相对论电子等离子体频率减小 ,激光能更深地进入等离子体产生强烈吸收. 结合二维粒子模拟结果 ,着重介绍了真空加热和 J *B 加热这两种重要的能量吸收机制 ,粒子模拟结果 清晰地描述了这两种吸收机制. 关键词 激光等离子体相互作用 ,超短脉冲超强激光 ,真空加热 ,J *B 加热 ,二维粒子模拟 ・