PDF《数据手册》

S―SOP20/16/14 ROM容量:H―16K Words(32K Bytes) ROM类型:F―FLASH ROM 201:MCU型号 7P:8位MCU系列号 HR 7P No. X X X 地址:中国上海市龙漕路

299 号天华信息科技园 2A 楼5层邮编:200235 E-mail:support@essemi.com

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网址:http://www.essemi.com 版权所有? 上海东软载波微电子有限公司 本资料内容为上海东软载波微电子有限公司在现有数据资料基础上慎重且力求准确无误编制而成,本资料 中所记载的实例以正确的使用方法和标准操作为前提,使用方在应用该等实例时请充分考虑外部诸条件, 上海东软载波微电子有限公司不担保或确认该等实例在使用方的适用性、适当性或完整性,上海东软载波 微电子有限公司亦不对使用方因使用本资料所有内容而可能或已经带来的风险或后果承担任何法律责任. 基于使本资料的内容更加完善等原因,上海东软载波微电子有限公司保留未经预告的修改权.使用方如需 获得最新的产品信息,请随时用上述联系方式与上海东软载波微电子有限公司联系. HR7P201 数据手册 V1.11 4/131 版权所有?上海东软载波微电子有限公司 http://www.essemi.com 修订历史 版本 修改日期 更改概要 V1.0 2014-01-23 初版 V1.1 2014-08-07 更新免责声明 V1.2 2014-10-27 1:修改 RXB 寄存器的读写类型;

2:修改数据存储器页擦写及写入应用例程;

3: 增加 LDO 稳定时间控制位说明, 以及唤醒时间的更改;

4:修改输入端口弱上/下拉电阻的匹配精度在±5%以内;

5:I2C 模块添加中断和暂停章节;

6:增加当 I2CTE=1 时,I2CPU 控制功能的描述注释;

7:添加 I2CIFC 寄存器相关描述的注释;

8: Cx 放电时间选择位 TKDIST 配置修改为 00:

32 * Tosc;

01: 160* Tosc;

10:

288 * Tosc;

11:

416 * Tosc;

9:修改 ADCCL 寄存器 SMPS 位固定为 1;

10:增加 ADCCL 寄存器中的 ADVOUT 位;

11:更新电气特性部分. V1.3 2014-12-3 新增 SOP16 封装及相关信息 V1.4 2015-6-10 1:添加 ADC 参考电压输出脚 ADV 及相关描述;

2:更新参考电压校准控制寄存器 VREFCAL. 3: 修改比较器和 AD 模块的参考电压 VREF 由2.6V 更新 改为 2.5V. V1.5 2015-7-29 1:加强芯片配置字 BORVS的设置档位说明. 2:统一修改公司名称、logo 及网址等. V1.6 2015-9-2 1:更新 WDT RC 时钟范围和 WDT 时钟校准控制寄存器 WDTCAL 等内容;

2:更新 BOR 模块使能位的相关使用说明. V1.7 2016-08-16 增加了未引出的和未使用的 I/O 管脚处理. V1.8 2017-9-18 增加 TK 通道选择注意事项. V1.9 2018-1-18 更新芯片简介概述中部分描述. V1.0 2019-1-10 1. 电气特性部分新增芯片 ESD 特性. 2. 添加 Flash 存储器支持至少

10 万次擦写次数,

10 年以 上的数据保持时间. V1.11 2019-3-4 1. 添加芯片上电和下电工作条件表;

2. 增加 IAP 操作和中断时,使能位 GIE 的补充说明;

3. 增加了封装尺寸的补充说明;

4. 变更 Logo. HR7P201 数据手册 V1.11 5/131 版权所有?上海东软载波微电子有限公司 http://www.essemi.com 目录内容目录 第1章芯片简介.11 1.

1 概述

11 1.

2 应用领域.13 1.

3 结构框图.14 1.

4 管脚分配图

15 1. 4.

1 20-pin.15 1. 4.

2 16-pin.15 1. 4.

3 14-pin.16 1.

5 管脚说明.17 1. 5.

1 管脚封装对照表

17 1. 5.

2 管脚复用说明.18 第2章内核特性.21 2.

1 CPU 内核概述

21 2.

2 系统时钟和机器周期.21 2.