PDF《M5576》

M5576 高性能电流模式 PWM 控制器 M5576_V1.

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1 概述: M5576 是一款高集成度、高性能、电流模式 PWM 控制芯片,离线式 AC-DC 反激拓扑结构,具备低待机 功耗和低成本优点. 正常工作下, PWM 开关频率处于合理的范围内, 在空载或轻载条件下, IC 工作在 "跳 周期模式"来减少开关损耗,从而实现低待机功耗和高转换效率,M5576 提供完善的保护功能,包括自动 恢复保护、逐周期电流限制(OCP)、过载保护(OLP)、VDD 的欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP) 和过电压(固定或可调的)保护(OVP),具备抖频功能,改善系统的 EMI 性能. 特点: 应用: 软启动功能,减少功率 MOSFET 的VDS 应力 手机充电器, 上网本充电器 跳周期模式控制的改进,提高效率降低待机功耗 笔记本适配器 抖频功能,改善系统 EMI 性能 机顶盒电源 消除音频噪声 各种开放式开关电源 65KHz 的开关频率 完善的保护功能 ? VDD 欠压保护 ? 逐周的过流阈值设置,恒定输出功率 ? 自动恢复式过载保护(OLP) ? 自动恢复式过温保护(OTP) ? 锁定型的 VDD 过压保护(OVP) ? 锁定型的过温保护(OTP) ? 过压保护点 OVP 通过外部稳压二极管可调 采用 SOT-23-6 和DIP-8 封装 产品规格分类: 产品名称 开关频率 封装形式 丝印打字 包装形式 M5576 SR 65KHz SOT-23-6 编带 3K/盘M5576 PR 65KHz DIP-8 管装

50 个/管2000 个/盒M5576 高性能电流模式 PWM 控制器 M5576_V1.0 www.mjic.hk

2 典型应用: 图1M5576SR 应用图 SOT-23-6 图2M5576PR 应用图 DIP-8 管脚排列图: M5576 高性能电流模式 PWM 控制器 M5576_V1.0 www.mjic.hk

3 图3DIP-8(顶部视图) 图4SOT-23-6(顶部视图) 管脚描述: 管脚号 管脚名称 管脚描述 SOT-23-6 DIP-8

6 1 DRV 输出 PWM 信号驱动外部功率 MOSFET

5 2 VDD 芯片供电

3、6 NC 悬空

4 4 SEN 电流检测

3 5 RT 多功能引脚.通过连接一个热敏电阻接地实现过温 OTP 控 制功能,也可通过齐纳管接到 VDD 调节过压保护

2 7 COMP 芯片内部电路的环路补偿

1 8 GND 接地 芯片使用时极限参数: 项目 参数值 单位 最小值 最大值 M5576PR M5576SR M5576 高性能电流模式 PWM 控制器 M5576_V1.0 www.mjic.hk

4 VDD 直流供电电压

30 V VDD 齐纳钳位电压

10 V VDD 直流钳位电流 VDD_Clamp+0.1 mA COMP 输入电压 -0.3

7 V SEN 输入电压 -0.3

7 V OTP 输入电压 -0.3

7 V 最小/最大工作结温 -20

150 ℃ 最小/最大贮存温度 -55

165 ℃ 最高温度(焊接,10 秒)

260 ℃ 注:如果器件工作条件超出上述各项极限值,可能对器件造成永久性损坏.上述参数是工作条件 的极限值,不建议器件工作在推荐条件以外的情况.器件长时间工作在极限工作条件下,其可靠性及 寿命可能受到影响. 芯片内部框图: 图5M5576 内部框图 M5576 高性能电流模式 PWM 控制器 M5576_V1.0 www.mjic.hk

5 电气参数 (Ta=25o C): 项目 参数 测试条件 最小 典型最大 单位 供电电压(VDD) I _Startup VDD 启动电流 VDD=UVLO(OFF)-1V, 测试 流入VDD的电流

5 20 uA I_VDD_Ops 工作电流 VCOMP=3V 1.4 2.5 mA VDD_OFF 欠压锁存开启

8 9

10 V VDD_ON 欠压锁存结束(恢复) 14.5 15.5 16.5 V Vpull_up 上拉 PMOS 启动

13 V Vdd_Clamp IVDD=10mA

30 32

34 V OVP(ON) 过压保护电压 SEN=0.3V,COMP=3V, VDD 升高直到 DRV 时 钟关闭

26 28

30 V 反馈输入部分(COMP Pin) VCOMP_Open VCOMP 开环电压

4 5 V 最大占空比 Max duty cycle @ VDD=14V, COMP=3V, VSEN=0.3V