PDF《等离子体化学气相沉积镀膜设备》

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2019 年.

第34 卷.增刊

1 性能指标 中央传输室极限压力 ≤ 2*10 ?

4 Pa 进出片室极限压力 ≤ 6.67*10 ?

1 Pa 沉积室极限压力 ≤ 2*10 ?

6 Pa 主要应用 沉积碳化硅、非晶硅和微晶硅薄膜 代表性应用成果 广泛应用于使用 PECVD 方法制备的薄膜研制和太阳能薄膜电池的研制 主要用户单位 辽宁(锦州)光伏研究院、中国科学院物理研究所、斯威本科技大学、广州市中普电子有限公司、 上海理工大学、创隆实业(深圳)有限公司等 研制单位 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司、中国科学院微电子研究所 联系方式 何老师 010-82995592,13581817539 hemeng@ime.ac.cn 万向明 024-23826855,13998191237 wanxm@sky.ac.cn 等离子体化学气相沉积镀膜设备 PECVD-

300、PECVD-400 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Coating Equipment 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司设备 中国科学院微电子研究所设备