PDF《初步技术指标》

初步技术指标 带尾纤同轴封装单光子雪崩光电二极管 (SPAD) PGA-314 1.

产品描述 北京润铭宇电子科技有限公司研发生产的PGA系列盖革模式雪崩光电二极管(来自前Princeton Lightwave, Inc. 转移技术)是专为单光子计数应用而设计的InGaAs/InP探测器.该探测器可工作在偏置电压高于击穿电 压(盖革模式)时,使探测器在接收到单光子入射时,产生一个宏观电流脉冲.结合适当的脉冲检测电路, 可实现对0.95-1.65?m波长范围的单光子探测. 本文所述SPAD是背照式光探测器,TO-46封装,耦合SMF-28单模尾纤,内置有效探测面直径16?m的盖革模 式雪崩光电二极管芯片. 2. 性能指标 参数 测试条件 指标 单位 最小 典型 最大 线性模式参数 (1550nm, 所有电压和电流均为反向偏置) 雪崩电压, Vb 壳体温度

295 K, Id =

10 uA

50 70

90 V Vb温度依赖性, ? 在温度范围300K -150K, 线性近似 0.15 %/K 总暗电流, Id 壳体温度

295 K;

M=10;

primarily non-multiplied Id 0.

3 nA 电容, C M=10,

1 MHz 0.25 pF 盖革模式参数 探测效率, DE 壳体温度

233 K,

1550 nm, at DCR max

20 % 暗计数率, DCR 壳体温度

233 K,

1550 nm, at DE min

100 kHz 后脉冲, AP 壳体温度

233 K,

1550 nm, at DE min 2.5X10-4 3. 额定参数 参数 条件 最小 最大 单位 正向电流 连续偏置 +1 mA 正向电压 连续偏置 +1 V 反向电流 连续偏置 -1 mA 反向电压 连续偏置 -(Vb + 5) V 反向电压 脉冲的 (gated operation) -(Vb + 10) V 光功率 连续波 (CW)

1 mW 壳体温度 -60

65 °C 最大额定参数是指本器件可以在短时间内工作在该条件下.尽管InGaAs SPADs 可操作在低于-60 ?C 环境下, 但这些器件没有在极低温度和极端温度循环条件下做过可靠性测试,不能提供相关可靠性数 据. 4.外观规格 TO-46 管脚定义 5. 防静电要求 本资料所述雪崩光电二极管对静电释放(ESD )非常敏感,应谨慎处理,操作时请使用静电防护 设备,如接地手带和防静电垫等. 北京润铭宇电子科技有限公司 润铭宇电子科技(香港)有限公司 www.RMYelectronics.com 北京润铭宇电子科技有限公司 如有变更,恕不另行通知 Pin Description #1 P-contact (Anode) #2 Case Ground #3 N-contact (Cathode) UNLESS OTHERWISE SPECIFIED DIMENSIONS ARE IN MM