PDF《Si4831/35-B30》

150 ?C 射频输入电平 0.4 VPK 备注 : 1. 如果超过上述绝对最大额定值可能会发生设备的永久性损坏.功能操作仅限于本数据手册操作部分规定的条件.长时间 超过所推荐工作条件可能影响设备的可靠性. 2. Si4831/35-B30 器件是一种高性能射频集成电路, 其某些引脚具有

2 MHz, f0 =

2 x f1 C f2. 9. BAF =

300 Hz to

15 kHz, A 加权. 10. LOUT 和ROUT 引脚. 11. ?f =

75 kHz. Si4831/35-B30 Rev. 1.0

7 表6.AM/SW 接收机性能 1,

2 (VDD = 2.7 to 3.6 V, TA = C15 to

85 °C) 参数 符号 测试环境 取小值 典型值 最大值 单位 输入频率 fRF 中波 (AM)

504 ―

1750 kHz 短波 (SW) 5.60 ― 22.0 MHz 灵敏度 3,4,5 (S+N)/N =

26 dB ―

30 ― ?V EMF 大信号电压处理

5 THD < 8% ―

300 ― mVRMS 电源抑制比

5 ?VDD =

100 mVRMS,

100 Hz ―

40 ― dB 电频输出电压 3,6 ―

60 ― mVRMS 音频 S/N3,4,6 ―

55 ― dB 音频失真 3,6 ― 0.1 0.5 % 天线电感 5,7

180 ―

450 ?H 上电 / 频段切换时间

5 From powerdown ― ―

110 ms 备注 : 1. 在"AN569: Si4831/35-DEMO 板测式程序 " 中可获得附加测试信息.Volume = maximum for all tests..条件测试: RF =

520 kHz. 2. 为了确保正常运行和接收机性能,按照 "AN555: Si483x-B 天线,原理图, 布局和设计指南 ",Silicon Laboratories 将 为合格用户评估原理图和布局. 3. FMOD =

1 kHz, 30% 调制 ,2 kHz 信道滤波. 4. BAF =

300 Hz to

15 kHz, A 加权 5. 由器件特性规范保证. 6. VIN =

5 mVrms. 7. 天线和平电路板上的寄生电容必须