PDF《3CT12A》

版本:201808J 1/6 反向阻断三极晶闸管 Thyristors(SCR) 3CT12A 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IT(AV) 12A VDRM/VRRM 600V IGT 1-15mA 封装 Package 序号 Pin 引线名称 Description

1 阴极 K

2 阳极 A

3 门极 G 用途 ? 半交流开关 ? 相位控制 APPLICATIONS ? Half AC switching ? Phase control 产品特性 ? 玻璃钝化芯片,高可靠性和一致性 ? 低通态电流和高浪涌电流能力 ? 环保 RoHS 产品 FEATURES ? Glass-passivated mesa chip for reliability and uniform ? Low on-state voltage and High ITSM ? RoHS products TO-220C 订货信息 ORDER MESSAGE TO-263 TO-220MF-K1 3CT12A 版本:201808J 2/6 订货型号 Order codes 印记 Marking 封装 Package 有卤-袋装 无卤-袋装 有卤-条管 无卤-条管 3CT12A TO-220C Halogen-Bag Halogen-Free-Bag Halogen-Tube Halogen-Free-Tube 3CT12A-C-C 3CT12A-C-CR 3CT12A-C-B 3CT12A-C-BR 有卤-袋装 无卤-袋装 有卤-条管 无卤-条管 3CT12A TO-220MF-K1 Halogen-Bag Halogen-Free-Bag Halogen-Tube Halogen-Free-Tube 3CT12A-F1-C 3CT12A-F1-CR 3CT12A-F1-B 3CT12A-F1-BR 有卤-袋装 无卤-袋装 有卤-条管 无卤-条管 3CT12A TO-263 Halogen-Bag Halogen-Free-Bag Halogen-Tube Halogen-Free-Tube 3CT4R-S-C 3CT4RS-CR 3CT4R-S-B 3CT4R-S-BR 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项目Parameter 符号Symbol 数值Value 单位Unit 断态重复峰值电压Repetitive peak off-state voltage VDRM

600 V 反向重复峰值电压Repetitive peak reverse voltage VRRM

600 V 通态平均电流Average on-state current ( half sine wave) IT(AV)

12 A 通态方均根电流 On-state RMS current ( all conduction angles ) IT(RMS)

18 A 非重复浪涌峰值通态电流 Non- repetitive surge peak on-state current ( half sine wave ,t=10ms) ITSM

200 A I2 t for fusing ( t=10ms) I2 t

200 A2 s 门极峰值电流 Peak gate current IGM

5 A 门极峰值电压 Peak gate voltage VGM

5 V 反向门极峰值电压 Peak reverses gate voltage VRGM

5 V 门极峰值功率 Peak gate power PGM

20 W 门极平均功率 Average gate power ( over any 20ms period ) PG(AV) 0.

5 W 存储温度 Storage temperature Tstg -40~150 ℃ 操作结温Operation junction temperature TVJ

125 ℃ 3CT12A 版本:201808J 3/6 器件温度TC(℃)静态特性 STATIC CHARACTERISTICS (TC=25℃ unless otherwise stated) 动态特性 DYNAMIC CHARACTERISTICS (TC=25℃ unless otherwise stated) 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) 通态平均电流 IT(AV) (A) 通态电压 VTM (V) 项目Parameter 符号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 min 典型 typ 最大 max 单位 Unit 断态峰值重复电流Peak Repetitive Blocking Current IDRM VDM= VDRM(MAX), Tj=125℃ - - 1.0 mA 反向峰值重复电流Peak Repetitive Reverse Current IRRM VRM= VRRM(MAX), Tj=125℃ - - 1.0 mA 峰值通态电压 Peak on-state voltage VTM ITM=40A - 1.45 1.80 V 门极触发电流 Gate trigger current IGT VDM=12V,IT=0.1A

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15 mA 门极触发电压 Gate trigger voltage VGT VDM=12V,IT=0.1A - 0.8 1.5 V 维持电流 Holding current IH VDM=12V, IGT=0.1A - -

25 mA 擎住电流 Latching current IL VDM=12V, IGT=0.1A - -

40 mA 项目Parameter 符号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 min 典型 typ 最大 max 单位 Unit 断态临界电压上升率 Critical rate of rise of off- state voltage dV/dt VDM=67% VDRM(MAX), Tj=125℃

50 200 - V/μs 项目Parameter 符号Symbol 值value 单位 Unit 结到管壳的热阻 Thermal resistance junctiontocase(TO-220C/TO-263) Rth(j-c) 1.1 max ℃/W 结到管壳的热阻 Thermal resistance junctiontocase(TO-220MF-K1) Rth(j-c) 4.0max 结到环境的热阻 Thermal resistance junctiontoambient Rth(j-a)