PDF《输出功率表》

1、电阻R

3、R1和电容C7组成的低成本RCD箝位可在U1内的 MOSFET关断的一瞬间立即对U1的峰值漏极电压进行箝位控制.箝位有 助于耗散存储在变压器T1的漏感中的能量. InnoSwitch3-CE IC具有自启动功能,当首次AC上电时,它使用内部高 压电流源对BPP引脚电容(C13)进行充电.在正常工作期间,初级侧控制 器从变压器T1的辅助绕组获得供电.辅助(或偏置)绕组的输出端由二 极管D2进行整流,并由电容C11进行滤波.电阻R10用于限制提供给 InnoSwitch3-CE IC (U1)的BP引脚的电流. InnoSwitch3-CE IC的次级侧控制器提供输出电压检测、输出电流检测并 提供驱动给同步整流的MOSFET.变压器的次级分别由SR FET Q1整流和 由电容C5及C6滤波.开关期间产生的高频振铃通过缓冲器(电阻R5和 电容C8)衰减,否则高频振铃会产生辐射EMI问题. 同步整流(SR)由MOSFET Q1提供.Q1的栅极由IC U1内的次级侧控制器 根据(经电阻R9)馈入IC的FWD引脚的绕组电压进行导通控制. 图10.

12 V/3 A充电器/适配器 PI-8391-100417 C2

33 ?F

400 V L1

20 mH C13 4.7 ?F

50 V C11

22 ?F

50 V C1

100 nF

275 VAC C4 2.2 nF

250 VAC C5

470 ?F

16 V C10

1 ?F

50 V

90 -

264 VAC C12 2.2 ?F

25 V C9

330 pF

50 V

1 3 T1 EQ2506 FL1

1 4

2 3 FL2

12 V,

3 A TP1 RTN TP2 R6 2.00 M? 1% R7 1.80 M? 1% R9

47 ?

4 2 D V S IS GND SR VO FWD FB InnoSwitch3-CE CONTROL R5

20 ? C8

1 nF R11 0.007 ? 1% R8 11.8 k? 1% Q1 SI4190ADY R2

390 ? VR1 BZX79-C8V2 8.2 V R4

100 k? 1% R10 5.6 k? D2 1N4003 BPP C3

33 ?F

400 V BPS U1 INN3166C-H102 BR1 GBL06

600 V F1

2 A C6

470 ?F

16 V RT1 2.5 ? t O C7

470 pF R1

100 k? R3

32 ? D1 DL4007 L2

10 ?H D3 DFLR1200-7

200 V

10 www.power.com 主要应用指南 输出功率表 输出功率表(表1)列出了在以下条件下能获得的最大实际持续输出 功率: 1.

85 VAC输入时,90 V以上的最小DC输入电压,亦或当230 VAC输入 或115 VAC输入并使用倍压整流时,220 V或以上的最小DC电压.对于AC输入的设计应调整输入电容的大小,以满足这些电压要求. 2. 效率的假定取决于功率水平.最小型号器件功率水平是假定效率 >

84%的情况下,最大器件的效率假定>

89%. 3. 变压器初级电感公差为±10%. 4. 所选择的反射输出电压(VOR)可使通用输入电压设计在最小输入电 压下的KP = 0.8,高输入电压设计的KP = 1. 5. 适配器的最大传导损耗限制在0.6 W,敞开式设计则限制在0.8 W. 6. 峰值及开放式应用的输出功率是通过选择增加的电流限流点实现 的,对于适配器应用中所列出的输出功率是采用标准的电流限流点 得到的. 7. 将器件贴装在电路板上,源极焊接在足够的铺铜区域上,并且/或者 使用一个散热片将源极引脚温度控制在110 °C或之下. 8. 敞开式设计的环境温度为50 °C,密闭式适配器应用的环境温度为 40?°C. 9. 当KP 值小于1时,KP是初级电流脉动部分与峰值部分的比率.为防止 由于开关周期的提前误关断所导致的输出功率能力下降的情况出 现,建议KP 值要满足≥0.25.这样将避免在MOSFET开通时初始电流 尖峰(IINIT )触发到器件限流点. 初级侧过压保护(锁存关断模式) InnoSwitch3-CE IC内部的锁存电路可以实现初级侧输出过压保护,该电 路由流入初级旁路引脚的阈值电流ISD 触发.初级旁路引脚电容除起到内 部滤波的作用,还作为外部滤波器,提高噪声抗扰性.为使旁路电容达 到有效的高频滤波,应将电容尽量放置在距器件源极和初级旁路引脚最 近的地方. 初级检测OVP功能的实现方式是,将串联起来的稳压管、电阻和阻断二 极管从经整流和滤波的偏置绕组电压端连接至初级旁路引脚.经整流和 滤波的偏置绕组输出电压可能高于预期值(预期值的1.5倍或2倍),这 是因为偏置绕组与输出绕组的耦合不佳,以及由此导致偏置绕组电压波 形出现振荡造成的.因此建议测量偏置绕组整流电压.此测量最好在最 低输入电压下和输出端负载最高时进行.此测量电压用于帮助选择实现 初级检测过压保护所需的元件.建议应选择这样的稳压管:其箝位电压 能够在输出OVP被触发时让偏置绕组整流电压低6 V.可假定阻断二极管 具有1 V正向电压降.推荐使用小信号标准恢复二极管.阻断二极管可 防止在启动时任何反向电流对偏置电容放电.最后,可计算所需串联电 阻的值,以使大于ISD 的电流在输出过压期间流入初级旁路引脚. 降低空载功耗 InnoSwitch3-CE IC可以在自供电模式中启动,这会从旁路引脚电容(通 过内部电流源充电)吸收能量.然而,一旦InnoSwitch3-CE IC开始开 关,需要使用偏置绕组向初级旁路引脚提供供电电流.变压器上的辅助 (偏置)绕组可起到这种作用.使用偏置绕组向初级旁路引脚供电后, 可实现空载功耗低于15 mW的电源.对图10所示的电阻R10进行调整, 即可实现最低空载输入功率. 次级侧过压保护(自动重启动模式) InnoSwitch3-CE IC内部的自动重启动电路可以实现次级侧输出过压保 护,该电路由流入次级旁路引脚的超过IBPS(SD) 阈值的输入电流触发.通 过将稳压管从输出连接到次级旁路引脚可以实现直接输出检测过压保护 功能.所需稳压管的稳压值为1.25 * VOUT 减去4.4 V (次级旁路引脚电 压).所需过压保护稳压管串联一个低值电阻,可以限制流入次级旁路 引脚的最大电流. 元件的选择 InnoSwitch3-CE初级侧电路的元件 BPP电容 连接InnoSwitch3-CE IC初级旁路引脚和GND引脚的电容可以为初级侧控 制器提供去耦,还可选择限流点.可以使用0.47 mF或4.7 mF电容.尽管 可以使用电解电容,但在双面板上最好使用表面贴装的多层陶瓷电容, 因为它能使电容靠近IC放置.它们的小尺寸也非常适合紧凑型电源的应 用.推荐使用额定值为16 V或25 V的X5R或X7R介质电容,以确保满足 最小电容容量要求. 偏置绕组和外部偏置电路 从MOSFET漏极引脚连接至InnoSwitch3-CE初级侧控制器初级旁路引脚 的内部稳压器对连接初级旁路引脚的电容充电,以实现启动.变压器中 的偏置绕组外加整流管和滤波电容,构成一个偏置供电电源,用于为初 级旁路引脚供应至少1 mA的电流. 应选取合适的偏置绕组圈数,以便在最低负载条件下及在电源的最低额 定输出电压下在偏置绕组能够产生7 V的输出电压.如果电压低于此 值,空载输入功率将增大.