PDF《As 压调制的 InAlAs 超晶格对 InAs 纳米结构形貌的影响》

2 和4时, 缺As 的InAlAs 层所表现的沿 [110] 方向的各向异性 特性将会部分抵消富 As 的InAlAs 层沿 [? 110] 方向 的各向异性, 因此, 将出现线(线沿[? 110] 方向)和点 的混合结构及椭圆型的点 (椭圆的长边沿 [? 110] 方068101-3 物理学报Acta Phys. Sin. Vol. 64, No.

6 (2015)

068101 向), 如图

1 (b) 和(c) 所示. 进一步增加周期数到

6 个, 我们观察到了尺寸分布均匀的、 高密度的圆 形量子点, 这时缺As的InAlAs 层所表现的沿[110] 方向的各向异性特性足够强, 和富 As 的InAlAs 层沿 [? 110] 方向的一些特性相比拟, 在这个表面生 长的 InAs 将表现出各向同性的特征, 形成量子点 结构.

4 结论采用与 InP 衬底晶格匹配的 InAlAs 作为缓冲 层, 并在缓冲层和 InAs 之间引入了 As 压调制的 InAlAs 超晶格, 在半绝缘 InP(001) 衬底上自组织 生长了 InAs 纳米结构, 探讨了不同周期数的 In- AlAs 超晶格对 InAs 纳米结构形貌的影响. 结果 表明,

0 个周期的 InAlAs 超晶格, 也就是在传统的 InAlAs 缓冲层上生长 InAs 时形成沿 [? 110] 方向延 长的量子线;

2 个周期时, 形成了沿 [? 110] 方向延长 的量子线和量子点的混合结构;

4 个周期时, 观察 到了椭圆型的量子点, 椭圆的长边沿 [? 110] 方向;

当 进一步增加InAlAs超晶格的周期数到6时, 我们观 察到了圆形的、 尺寸分布均匀的、 高密度的 InAs 量 子点. 分析认为, InAs 纳米结构的最终形貌主要由 In........