PDF《！ 材料的合成、》

!!"#$%& )*, !() 材料的合成、 能带计算及发光性能研究! 李会亮 袁军林 王小军 赵景泰! 张志军 杨昕昕 (中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 "###$#) ("##% 年&月"日收到;

"##% 年'月%日收到修改稿) 采用固相合成方法制备出 和 粉体, 研究了该 .

+--01 系列铋基氧卤化合物的光学带 隙、 电子结构及发光性能2基于密度泛函理论计算表明, 和 均为直接带隙半导体材料, 与吸收光谱 实验结果相符合2在3射线和紫外光激发下三者均具有宽的可见光发射带 (4##―$$# 15) , 尤其是 粉体的 光输出强度约为 *+4

607 ,8" (*6,) 粉体光输出强度的

894 倍, 并且具有更短的衰减时间, 发光衰减时间的主要部分为 8## 1: ("";

) 和7## 1: (48;

) , 而*6, 粉体的主要衰减时间为 7## 1: ( 射线激发荧光光谱仪选用 O)."E! 型移 动式诊断 > 射线机作为激发源部分, 采用高压硅堆 全波整流, 最大额定容量为电压 4* 8@ (峰值) , 电流 ). , !%) 化合物中 !―#键长随 !' A 半径增大而增大, 其平均键长分 别为 /+'3.6, /+',46 和/+'46. 0;

- !―() 的键长随 !' A 半径增大而增大, 其平均键长分别为 /+3*'3, /+33/, 和/+3337 0;

-它们的 !―# 键长小于 !―() 键长, !&3 A 位置偏离双八面体中心- !&―# 键长小于 !&―() 键长, 说明 !&3 A 的41' 孤对电子是光活性的- !&―() 键长随 !' A 半径增大而增大, 其平均键长分 别为 /+3,,

3, /+36/7 和/+3443 0;

- 这三种粉体的发 光性能变化规律与键长变化规律相一致- ,+ 结论本文 研究了=&))B0 系列铋基氧卤化合物'55.物理学报6. 卷 和 粉体的光学带隙、 电 子结构及发光性能*基于密度泛函理论计算, 得出发 光基质本身的物理性质, 为发光性能分析提供了研 究思路*材料电子结构计算结果与紫外+可见光吸收 光谱实验相符* 在,射线和紫外光激发下, 三者均 具有较宽的可见光发射带 01) , 发射光谱 为#$2

3 的2 !. !

4 ". 跃迁, 它对应于 #$2

3 的4 ". !

2 !4 激 发跃迁*发光性能与晶体结构及 #$2

3 配位环境密切 相关*粉体的光输出强度约为 #5% 粉体光 输出强度的 46- 倍, 并且具有较短的衰减时间, 因此 它是一种具有潜在应用价值的闪烁材料* [4] 789:";

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: !G:1$8"' H0IDJK)@ A):JJ) ($0 !G$0:J:) [徐叙 、 苏勉曾 &..- 发光学与发光材料 (北京: 化学工业出版社) ] [2] L"0 ! M, EG"N

5 O, ,D O &../ $+3) !560 2P-/($0 !G$0:J:) [严成锋、 赵广军、 徐军&../ 物理学报 "# 2P-/] [-] Q$D #, (G$ ! (, =D

5 R &... $+3) !560 PS($0 !G$0:J:) [刘波、 施朝淑、 胡关钦 &... 物理学报 #$ &.PS] [/] T"0 (8$U:) B, =NVJK"IK:) > 4C/4 !560 * 7'8 * %# 4.W& [W] EG"0;

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