PDF《层状二硫化钼研究进展》

层状二硫化钼研究进展 顾品超 张楷亮 冯玉林 王芳 苗银萍 韩叶梅 张韩霞 Recent progress of two-dimensional layered molybdenum disulfide Gu Pin-Chao Zhang Kai-Liang Feng Yu-Lin Wang Fang Miao Yin-Ping Han Ye-Mei Zhang Han-Xia 引用信息 Citation: Acta Physica Sinica, 65,

018102 (2016) DOI: 10.

7498/aps.65.018102 在线阅读View online: http://dx.doi.org/10.7498/aps.65.018102 当期内容View table of contents: http://wulixb.iphy.ac.cn/CN/Y2016/V65/I1 您可能感兴趣的其他文章 Articles you may be interested in 直拉法晶体生长过程非稳态流体热流耦合 Thermo-fluid coupling of unsteady flow in Czochralski crystal growth 物理学报.2015, 64(20):

208102 http://dx.doi.org/10.7498/aps.64.208102 定向凝固过程中枝晶侧向分枝生长行为与强制调控规律 Growth behaviors and forced modulation characteristics of dendritic sidebranches in directional solidifica- tion 物理学报.2015, 64(14):

148101 http://dx.doi.org/10.7498/aps.64.148101 基于元胞自动机方法的定向凝固枝晶竞争生长数值模拟 Simulation of dendritic competitive growth during directional solidification using modified cellular automa- ton method 物理学报.2014, 63(18):

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228104 http://dx.doi.org/10.7498/aps.61.228104

5 at%Yb3+ : YNbO4 的提拉法晶体生长和光谱特性 Growth and spectral properties of

5 at%Yb:YNbO4 crystal 物理学报.2012, 61(22):

228103 http://dx.doi.org/10.7498/aps.61.228103 物理学报Acta Phys. Sin. Vol. 65, No.

1 (2016)

018102 综述层状二硫化钼研究进展? 顾品超 张楷亮? 冯玉林 王芳 苗银萍 韩叶梅 张韩霞 (天津理工大学电子信息工程学院, 天津市薄膜电子与通信器件重点验室, 天津 300384) (

2015 年8月13 日收到;

2015 年9月16 日收到修改稿 ) 近年来, 层状二硫化钼由于其特殊的类石墨烯结构和独特的物理化学性质已成为国内外研究的热点. 本 文综述了层状二硫化钼的物理结构、 价带结构和光学性质;

介绍了制备方法, 包括生长制备和剥离制备. 生长 制备的原料包括四硫代钼酸铵 ((NH4)2MoS4)、 钼(Mo) 和三氧化钼 (MoO3) 等. 剥离制备包括微机械剥离、 液 相超声法、 锂离子插层法和电化学锂离子插层法等. 归纳了层状二硫化钼在场效应晶体管、 传感器和存储方面 的应用, 展望了层状二硫化钼的研究前景. 关键词: 层状二硫化钼, 物理结构, 制备方法, 电子器件 PACS: 81.10.Ch, 68.35.bg, 61.46.Hk DOI: 10.7498/aps.65.018102

1 引言自从2004 年英国曼切斯特大学Novoselov 等[1] 成功剥离获得石墨烯以来, 石墨烯得到了 广泛的研究. 但是由于石墨烯是天然的零带隙, 这 极大地限制了石墨烯在集成电路 (IC) 方面的应用, 虽然能够人工制造带隙, 但需要花费巨大的精力. 除了石墨烯外, 其他二维材料也引起了广泛的关注 和研究, 例如过渡族金属二硫化物, 其中二硫化钼 (MoS2) 受到特别关注. MoS2 不同于硅材料的三维 结构, 具有二维的层状结构, 能够制造出体积更小、 性能更高的器件, 被认为是一种能够延续摩尔定律 的材料, 比传统的硅材料在纳米电子器件中更具有 优势. 自20 世纪

60 年代开始, MoS2 在电池、 润滑 和催化等领域有着广泛的研究. 近年来, 层状的二 维MoS2 的半导体特性使其在纳米电子方面有着广 泛的研究前景. 单层的MoS2 是两层硫原子夹着一 层钼原子的 三明治 夹心结构, 层与层之间靠范 德华力结合在一起, 每层之间的距离约为 0.65 nm. MoS2 有着独特的夹带结构, 随着层数的减少, 带隙 越来越大, 当单层时, MoS2 从间接带隙变成直接带 隙. 本文综述了二维 MoS2 的几何结构、 能带结构、 光学性质、 制备方法及其在场效应晶体管、 传感器 和存储等方面的应用, 并展望了应用前景.