编辑: glay 2014-08-08
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1 C 香港交易及结算所有限公司及香港联合交易所有限公司对本公告的内容概不负责,对其准确性 或完整性亦不发表任何声明,并明确表示,概不对因本公告全部或任何部份内容而产生或因倚 赖该等内容而引致的任何损失承担任何责任.

HUA HONG SEMICONDUCTOR LIMITED 华虹半导体有限公司(於香港注册成立之有限公司) (股份代号:1347) 截至二零一八年十二月三十一日止年度 全年业绩公告 财务摘要 华虹半导体有限公司 ( 「本公司」 )董事会 ( 「董事会」 )欣然宣布本公司截至二零 一八年十二月三十一日止年度的综合业绩. 与二零一七年比较数缦: ? 销售收入再创历史新高,达9.303亿美元,增长15.1%. ? 毛利率33.4%,上升0.3个百分点,主要得益於产能利用率持续维持在高水 平及平均售价提升,部分被折旧成本及人员成本增加所抵销. ? 年内溢利创历史新高,由1.453亿美元增加27.8%至1.856亿美元. ? 基本每股盈利为0.171美元,增加0.031美元. ? 净资产收益率为10.2%,提升1.1个百分点. ? 经营活动所得现金流量净额由2.583亿美元增加6.2%至2.744亿美元. ? 月产能由168,000片增至174,000片. ? 资本开支2.386亿美元,上年度为1.381亿美元. ? 董事会建议派付末期股息每股0.31港元 (二零一七年:每股0.31港元) . C

2 C 致股东的信 尊敬的各位股东: 在领导团和全体员工的通力合作、各位股东、广大客户及第三方的关心支持 下,二零一八年,华虹半导体表现优异,取得了创纪录的业绩.这一年,全球市 场,尤其是中国市场对我们的特色工艺平台以及创新性制造技术高度认可、需求 旺盛,结合不断优化的产品和技术组合以及持续提升的产能,我们有理由相信, 未来华虹半导体必定能抓住机遇,乘风破浪,追梦前行. 二零一八年,华虹半导体销售收入、毛利率、年内溢利和净资产收益率再创历史 新高,销售收入达9.3亿美元,同比增长15.1%;

毛利率达33.4%,同比增长0.3个 百分点;

实现年内溢利1.86亿美元,占销售收入的20%,同比增长27.8%;

净资产 收益率上升至10.2%,同比增加1.1个百分点.华虹半导体再次在纯晶圆代工市场 取得卓越的业绩. 截至二零一八年底,我们已连续32个季度实现盈利.二零一八年度晶圆出货量首 次突破200万片,实现了自2014年上市以来出货量140万片至今9.5%的年复合增长 率;

月总产能增至17.4万片,以99.2%的高产能利用率居於行业领先地位. 初心守方寸,咫尺显匠心.这一年,我们继续深耕细分领域,依托完善的全球化 布局,以 「高技术、高成长、高利润」 作为发展定位,砥志研思、踔厉奋发.我们 的嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟及电源管理和逻辑及射频等特色工艺 平台的竞争力持续提升. 90纳米嵌入式非易失性存储器技术作为新一代智能卡芯片技术,凭藉其高可靠性 和成本优势成为我们的制胜法宝;

本年度银行卡芯片出货量同比增长超100%,创 历史新高. 二零一八年,功率器件在各终端市场的应用场景更加多样,公司功率器件营收同 比增长41%.作为全球首家提供场截止型FS-IGBT量产技术的200mm纯晶圆代工 厂,我们拥有领先技术,支持并推动绿色能源、新能源汽车、工业自动化等产业 的发展. 针对电源管理市场,我们发布了第二代0.18微米BCD工艺平台,达到该节点领先 工艺水平,可应用於消费电子、计算机电子及工业电子市场中电机驱动、快充、 DC-DC转换器等芯片产品,并可应用在汽车电子市场中. 二零一九年,我们将继续投入差异化技术研发,聚焦物联网、汽车电子、5G以及 其他新兴市场,进一步优化现有嵌入式非易失性存储器平台,追求更高效低耗的 新型IGBT技术,完善0.13微米RF-SOI射频技术,并致力研发90纳米BCD技术,追 求卓越、奋勇前行. C

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