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MOSFET 驱动功率很小,开关速度快,但 导通压降大,载流密度小.IGBT 综合了以上两种器件的优点,驱 动功率小而饱和压降低. 非常适合应用于直流电压为 600V 及以上 的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传 动等领域. 激光快速退火 指 激光退火技术开始主要用于修复离子注入损伤的半导体材料,特别 是硅.传统的加热退火技术是把整个工件放在真空炉中,在一定的 温度(300° ~1200℃)保温退火 10~60min. TFT 指 薄膜晶体管 Thin Film Transistor 的缩写.TFT 式显示屏是各类笔 记本电脑和台式机上的主流显示设备,该类显示屏上的每个液晶 像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动,因此 TFT 式显示屏也是一类有源矩阵液晶显示设备. 是最好的 LCD 彩色显 示器之一,TFT 式显示器具有高响应度、高亮度、高对比度等优 点,其显示效果接近 CRT 式显示器. PVD 指Physical Vapor Deposition 的缩写,指利用物理过程实现物质转移, 将原子或分子由源转移到基材表面上的过程.它的作用是可以使 某些有特殊性能(强度高、耐磨性、散热性、耐腐性等)的微粒 喷涂在性能较低的母体上, 使得母体具有更好的性能. PVD 基本 方法:真空蒸发、溅射 、离子镀(空心阴极离子镀、热阴极离子 镀、电弧离子镀、活性反应离子镀、射频离子镀、直流放电离子 镀) . PECVD 指Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 的缩写, 等离子体增强 化学气相沉积法. IDM 指 从设计,制造,封装测试到销售自有品牌 IC 都一手包办的半导体垂 直整合型公司 ETCH 指 半导体制造装备中的刻蚀设备,刻蚀设备的发展和光刻技术,互 连技术密切相关. 精密退火工艺控制技 术指IGBT 激光快速退火的最核心技术, 通过精细化的激光能量控制来 实现硅片表面温度的精准控制,从而实现硅片表面缺陷修复与杂 质激活,退火工艺控制技术涵盖了全熔融、半熔融到非熔融全状 态退火的工艺控制技术,并已得到验证. HTCC 指High-temperature co-fired ceramics 的缩写,意思为高温共烧陶瓷. HTCC 陶瓷发热片就是高温共烧陶瓷发热片,是一以采用将其材 料为钨、 钼、 钼\锰等高熔点金属发热电阻浆料按照发热电路设计 的要求印刷于 92~96%的氧化铝流延陶瓷生坯上,4~8%的烧结 助剂然后多层叠合,在1500~1600℃下高温下共烧成一体,从而 具有耐腐蚀、耐高温、寿命长、高效节能、温度均匀、导热性能 良好、热补偿速度快等优点,而且不含铅、镉、 汞、六价铬、多 溴联苯、多溴二苯醚等有害物质,符合欧盟 RoHS 等环保要求. HTCC 陶瓷发热片是一种新型高效环保节能陶瓷发热元件,相比 PTC 陶瓷发热体,具有相同加热效果情况下节约 20~30%电能. SolidWorks 指SolidWorks 软件是世界上第一个基于 Windows 开发的三维 CAD 系统,由于技术创新符合 CAD 技术的发展潮流和趋势. AlN 陶瓷 指AIN 晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌 矿型结构, 属六方晶系. 氮化铝陶瓷(Aluminium Nitride Ceramic) 是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷. 千级净化间 指 洁净度指洁净空气中空气含尘(包括微生物)量多少的程度.千 级空气洁净度表示的单位立方米大于等于 0.5um 尘埃、大于等于 5um 尘埃的最大允许数分别为 35,000 和200,同时单位立方米浮 游菌最大允许数为 50,沉降菌/皿的最大允许数为 2.