PDF《JiangSu Dongchen Electronics》

江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.

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1 /7 http://www.jsdgme.com T8** 双向可控硅 TRIAC 版本号 201603-A 产品概述 GENERAL DESCRIPTION T8** 双向可控硅采用穿通隔离台面结构,复合玻璃钝化PN结表面保护工艺技术,dv/dt高,可靠性高, 适用于控温、调光、马达控制. T8** Triacs is fabricated using separation diffusion processes ,the junction termination areas are passivated with glass. Thanks to highly dv/dt and reliability,the Triacs series is suitable for domestic lighting ,heating and motor speed controllers. 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 参数 Parameter 数值 Value 单位 Unit IT(RMS)

8 A VDRM/VRRM 600&800 V IGT(III) ≤35 mA 产品特性 FEATURES ? dv/dt高Highly dv/dt ? 通态压降低 Low on-state voltage ? Rohs环保产品 Rohs Products 应用领域 APPLICATIONS 主要应用于调光、控温、马达控制. domestic lighting ,heating and motor speed controllers. 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

2 /7 http://www.jsdgme.com 极限值(除非另有规定,Tj=25℃) ABSOLUTE RATINGS (Tj=25℃,unless otherwise specified) 符号 Symbol 参数 Parameter 数值 Value 单位 Unit IT(RMS) RMS 通态电流 RMS on-state current (full sine wave) TC=110℃

8 A ITSM 通态峰值浪涌电流 Non repetitive surge peak on-state current F=50HZ ,t=20ms

60 A I2 t I2 t 耗散值 I2 t value for fusing TP=10ms

36 A2 s di/dt 通态电流上升值 Critical rate of rise of on-state current F=120HZ,Tj=125℃

50 A/?s IGM 门极峰值电流 Peak gate current TP=20?s,Tj=125℃

4 A PG(AV) 平均门极耗散功率 Average gate power dissipation Tj=125℃

1 W Tstg 贮存结温范围 Storage junction temperature range -40-+150 ℃ Tj 工作结温范围 Operating junction temperature range -40-+150 ℃ 电参数(除非另有规定,Tj=25℃) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=25℃,unless otherwise specified) 参数 Parameter 符号 Symbol 规范值 Value 单位 Unit 测试条件 Test Conditions T810 T835 触发电流 Gate trigger current IGT Ⅰ~ Ⅲ

10 35 mA VD=12V,IT=0.1A 触发电压 Gate trigger voltage VGT Ⅰ~ Ⅲ ≤1.5 V VD=12V, IT=0.1A 维持电流 Holding current IH

15 35 mA VD=12V,IT=0.1A 擎住电流 Latching current IL

25 50 mA VD=12V,IT=0.1A 电压上升率 Rise of off- state voltage dv/dt

40 400 V/μS VD=67%VDRM 通态压降 Peak on-state voltage VTM ≤1.6 V IT=10A 断态漏电流 Peak repetitive forward blocking current IDRM IRRM ≤5 μA VRRM=VDRM,Tj = 25°C ≤1 mA VRRM=VDRM,Tj =125°C 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

3 /7 http://www.jsdgme.com 热特性 THERMAL RESISTANCES 符号 Symbol 参数 Parameter 数值 Value 单位 Unit Rth(j-c) Junction to case(AC) IPAK 1.6 K/W DPAK 1.6 D2 PAK 1.6 Rth(j-a) Junction to ambient IPAK

100 K/W DPAK

70 D2 PAK

45 ORDERING INFORMATION 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

4 /7 http://www.jsdgme.com 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CURVES) 图1 最大耗散功率与RMS通态电流关系 图2 RMS通态电流与Tc温度关系 Fig.1.Maximum Power Dissipation Versus Fig.2. RMS On-state Current Versus TL on-state current 图3 通态特性 图4 通态浪涌峰值电流与周期数关系 Fig.3.On-State Characteristics Fig.4.Surge Peak On-state Current Versus Number Cycles 图5 IGT、IH、IL相对值(相对于25℃)与结温关系 Fig.5.Relative Variation Of Gate Trigger Current , Holding Current And Latching Current Versus Junction Temperature (Typical Value) 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806