PDF《杨国锋》

2019/4/11 杨国锋-江南大学 理学院 http://science.

jiangnan.edu.cn/info/1018/5521.htm 1/3 2019年4月11日 星期四 今天是: 首页 学院概况 科学研究与服务 本科生教育 研究生教育 党群工作 团学工作 社会资源 师资队伍 教授 副教授 讲师 副教授 首页 > 学院概况 > 师资队伍 > 副教授 杨国锋 性别:男 出生年月:1985.06 职称、职务:副教授 电话(手机):18115396518 E-mail:gfyang@jiangnan.edu.cn 【学术简介】 博士,副教授,硕导.江南大学理学院光电信息科学与工程系教师,南京大学电子科学与工 程学院博士后.美国光学学会、中国光学学会和江苏省光学学会会员.长期从事III-V族宽禁带 半导体和二维半导体材料和光电器件及传感系统的研究工作,已在国际SCI学术刊物上发表学术 论文80余篇.申请发明专利10项,授权1项.主持国家自然科学基金2项,江苏省自然科学基金青 年基金1项,主持中国博士后和江苏省博士后基金3项,无锡市科技发展基金2项,主持中央高校 基本科研业务费重点专项项目2项,企业横向项目6项,累计主持科研经费300余万元.参与完成 国家

973、

863、自然科学基金和江苏省自然科学基金等多项重点项目课题.获中国轻工业联合会 和中国商业联合会科技进步奖各1项,获2016年"中国光学重要进展"和"江苏青年光学科技 奖". 【工作及研究经历】 2013.06-至今, 江南大学理学院光电信息科学与工程系副教授;

2008.09-2013.06, 南京大学电子科学与工程学院,微电子学与固体电子学工学博士学位;

2004.09-2008.06 南京航空航天大学,应用化学学士. 【研究领域】 III-V族半导体材料和二维材料生长,半导体光电和电子器件设计,半导体光电器件制备, 半导体光电探测和传感系统设计. 【主要代表性论文】 [1] Jin Wang, Yang Guofeng*, Rui Sun, et al., A study on the electronic and interfacial structures of monolayer ReS2-metal contacts, Phys. Chem. Chem. Phys., 2017, 19, 27052-27052. [2] Chujun Yao, Yang Guofeng*, Rui Sun, et al., High-performance AlGaN-based solar-blind avalanche photodiodes with dual-periodic III-nitride distributed Bragg reflectors, Applied Physics Express, 2017, 10, 034302. [3] Yang Guofeng*, Qing Zhang, Jin Wang, et al., InGaN/GaN multiple quantum wells on selectively grown GaN microfacets and the applications for phosphor-free 系部导航 2019/4/11 杨国锋-江南大学 理学院 http://science.jiangnan.edu.cn/info/1018/5521.htm 2/3 white light-emitting diodes, Review in Physics, 2016, 1, 101-119. [4] Yang Guofeng*, Chen Peng, Shumei Gao, et al., White-light emission from InGaN/GaN quantum well microrings grown by selective area epitaxy, Photonics Research, 2016, 4, 17-20. [5] Yang Guofeng*, Qing Zhang, Jin Wang, et al., Analysis of 270/290/330-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with different Al content in quantum wells and barriers, IEEE Photonics Journal, 2015, 7, 2200707. [6] Yan Dawei, Ren Jian, Yang Guofeng, et al., Surface acceptor-like trap model for gate leakage current degradation in lattice-matched InAlN/GaN HEMTs, IEEE Electron Device Letters, 2015, 36, 1281-1283. [7] Yang Guofeng*, Xie Feng, Chen Peng, et al., Formation of nanorod InGaN/GaN multiple quantum wells using nikel nano-masks and dry etching for InGaN-based light- emitting diodes, Material Science in Semiconductor Processing, 2015, 30, 694-706. [8] Wu Zhenlong, Chen Peng, Yang Guofeng*, et al., Morphology evolution and emission properties of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on GaN microfacets using crossover stripe patterns by selective area epitaxy, Applied Surface Science, 2015, 331, 444-448. [9] Li Yuejing, Tong Yuying, Yang Guofeng*, et al., Selective area epitaxy of monolithic white-light InGaN/GaN quantum well microstripes with dual color emission, Journal of Vacuum Science &Technology A, 2015, 33, 05E102. [10] Yang Guofeng*, Chen Peng, Liu Bin, et al., Design of deep ultraviolet light-emitting diodes with staggered AlGaN quantum wells, Physica E, 2014,62, 55-58. [11] Yang Guofeng*, Li Guohua, Gao Shumei, et al., Characteristics of N-face InGaN light-emitting diodes with p-type InGaN/GaN superlattice, IEEE Photonics Technology Letter, 2013, 25, 2369-2372. [12] Yang Guofeng*, Guo Ying, Zhu Huaxin, et al., Fabrication of nanorod InGaN/GaN multiple quantum wells with self-assembled Ni nano-island masks, Applied Surface Science, 2013,285, 772-777. 【科研获奖】 1. "图形化模板选择外延生长高效GaN基LED及其自发白光技术"获2017年中国轻工业联合 会科技进步奖,三等奖;

2. "基于图形化模板的高效GaN基LED及其无荧光粉白光照明技术"获2017年中国商业联合 会科技进步奖,三等奖;

3. "White-light emission from InGaN/GaN quantum well microrings grown by selective area epitaxy"入选"2016中国光学重要进展";

4. 2016年获"江苏省青年光学科技奖";

5.江南大学"至善学者"、"江南大学青年科研之星"和"至善责任学者". 【科研项目】 1. 国家自然科学基金青年基金,AlGaN基深紫外雪崩光电二极管应力-位错-极化协同调控物 理机制研究,2017/01-2019/12,主持,在研. 2. 国家自然科学基金理论物理专款,基于二硫化钨纳米带结构的电学性质理论研究, 2016/01-2016/12,主持,在研. 3. 无锡市新兴产业技术研发项目,基于自组装镍纳米模板技术的GaN基高效蓝光LED芯片研 发,2016/07-2019/06,主持,在研. 3. 中央高校基本科研业务费重点专项项目,面向可见光通信和传感的新型半导体纳米结构 光电器件研究,2016/01-2018/12,主持,在研. 4. 江苏省自然科学基金青年基金,用于气体监测的Si衬底纳米阵列GaN肖特基传感器基础研 究,2015/07-2018/06,主持,在研. 5. 中国博士后基金面上项目,Si衬底上复合极性微面多波长GaN基LED的基础研究, 2014/01-2015/12,主持,结题. 6. 企业横向课题,半导体低维纳米发光结构的技术开发,2014/01-2016/12,主持,结题. 7. 国家重点基础研究发展规划973项目,半导体固态照明用超高效率氮化物LED芯片基础研 究,2011/01-2015/12,参与,结题. 【在读硕、博士人数】 2019/4/11 杨国锋-江南大学 理学院 http://science.jiangnan.edu.cn/info/1018/5521.htm 3/3 分享到:

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