PDF《SM7095-18》

SM7095-18 AC/DC PWM 功率开关 QWOWISV1.

1 -1- SM7095-18 特点 ? 支持 BUCK 或BUCK-BOOST ? 采用 700V 单芯片集成工艺 ? 85Vac~265Vac 宽电压输入 ? 待机功耗小于 120mW@220Vac ? 集成高压启动电路 ? 集成高压功率开关 ? 内置抖频技术,提升 EMC 性能 ? 电流模式 PWM 控制方式 ? 内置过温、过流、过压、欠压 等保护功能 ? 内置软启动 ? 内置智能软驱动技术(提高 EMC 性能) ? 封装形式: DIP8 应用领域 ? 电磁炉、电饭煲、电压力锅等 小家电产品电源 ? 18V 输出供电电源 概述 SM7095-18 是采用电流模式 PWM 控制方式的功率开关芯片,集成高 压启动电路和高压功率管,为低成本开关电源系统提供高性价比的解决 方案. 芯片应用于 BUCK 或BUCK-BOOST 系统方案, 支持 18V 输出电压,很 方便的应用于小家电产品领域.并提供了过温、过流、过压、欠压等完 善的保护功能,保证了系统的可靠性.

1 4 COMP HVDD DRAIN

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7 6 GND GND SM7095-18 DRAIN DRAIN DRAIN DIP8 输出功率表 输入电压 85Vac~265Vac 180Vac~265Vac 最大电流 DIP8 500mA 600mA 典型示意电路图 AC +18V +7V GND + + + +

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7 6 GND DRAIN DRAIN DRAIN SM7095-18 GND + 注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 sale@linkage.cn 业务

电话:400-033-6518 www.linkage.cn SM7095-18 AC/DC PWM 功率开关 QWOWISV1.1 -2- 管脚说明 名称 管脚序列 管脚说明 GND 1,2 芯片地 COMP

3 芯片补偿脚 HVDD

4 芯片电源端 DRAIN 5,6,7,8 内置高压 MOS 管的 DRAIN,同时芯片启动时,也做芯片的启动脚 订购信息 订购型号 封装形式 包装方式 卷盘尺寸 管装 编带 SM7095-18 DIP8

20000 只/箱//注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 sale@linkage.cn 业务

电话:400-033-6518 www.linkage.cn SM7095-18 AC/DC PWM 功率开关 QWOWISV1.1 -3- 极限参数 极限参数(TA= 25℃) 符号 说明 范围 单位 VDS(max) 芯片 DRAIN 脚最高耐压 -0.3~730 V VDS(ST) 芯片启动时,DRAIN 脚最高耐压 -0.3~730 V HVDD 芯片电源电压 -0.3~20 V COMP 芯片补偿脚 -0.3~7.0 V IHVDD 嵌位电流

10 mA TOPT 结温 -40~125 ℃ TSTG 存储温度 -50~150 ℃ VESD HBM 人体放电模式 >2 KV 热阻参数 符号 说明 范围 单位 RthJA 热阻(1)

65 ℃/W 注(1) :芯片要焊接在有 200mm2 铜箔散热的 PCB 板,铜箔厚度 35um,铜箔连接到所有的 GND 脚. 电气工作参数 (除非特殊说明,下列条件均为 TA=25℃) 符号 说明 条件 范围 单位 最小 典型 最大 BVDS 漏源击穿电压 -

730 - - V IDSS DRAIN 端关断态漏电流 - - - 0.1 mA HVDDON HVDD 开启电压 - - 11.5 - V HVDDOFF HVDD 关闭电压 - -

8 - V HVDDHYS HVDD 迟滞阈值电压 - - 3.5 - V IDD2 HVDD 工作电流 - - 0.5 - mA HVDDsense HVDD 采样电压 - -

18 - V IDDCH 芯片充电电流 VDS=100V;

HVDD=5V - -500 - uA FOSC 芯片振荡频率 - -

45 - KHz Fosc 抖频范围 - -

4 - % TOVT 过温保护温度 - -

150 - ℃ 注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 sale@linkage.cn 业务

电话:400-033-6518 www.linkage.cn SM7095-18 AC/DC PWM 功率开关 QWOWISV1.1 -4- 功能表述 C2 R1 + + C1 +18V L1 C3 D1 D2 D3 C4 L2 R2 + GND AC RV1 +

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7 6 GND DRAIN DRAIN DRAIN U1 SM7095-18 GND C5 + D4 ? 电路图说明 上图为典型的 BUCK-BOOST 电路,其中 C

1、C

2、L1 组成π型滤波,有益于改善 EMI 特性,R1 电阻为浪涌 抑制元件,D

1、D4 为整流二极管,构成半波整流电路. 输出部分 L2 为储能电感, D2 为HVDD 供电二极管, D3 为续流二极管, 在芯片关断期间提供输出电流通路: HVDD