PDF《DK218M》

DK218M 版本: 1.

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2018 年4月http://www.dkpower.cn 第1页18W 超低待机功耗交直流转换芯片 产品概述 DK218M 是一款符合

6 级能效标准的次级反馈,反激式 AC-DC 高性能准谐振开关电源控制芯 片.芯片集成了 650V 高压开关功率管.芯片内还包含有准谐振检测、SLEEP 超低待机、自供电等 电路, 并具有输出短路、 次级开路、 过温、 光耦失效、 输出过压等保护功能. 芯片采用高集成度的 CMOS 电路设计, 具有外围元件极少, 变压器设计简单 (隔离输出电路的变压器只需要两个绕组) 等特点. 主要特点 ? 全电压输入 AC 90V―265V ? 内置 650V 高压功率管 ? 内部集成了高压恒流启动电路, 无需外 部启动电阻 ? 空载待机功耗小于 65mW@230AC ? 65KHz PWM 开关频率 ? 专利的自供电技术, 无需外部辅助绕组 供电 ? 特有的 SLEEP 技术使芯片具有超低的 待机功耗 ? 内置 PWM 准谐振电路,增加电源转 换效率和保证良好的 EMC 特性 ? 输出短路、 输出过压、 次级开路、 过温、 光耦失效等保护 ? 4KV 防静电 ESD 测试 典型应用 ? 电源适配器、电池充电器 ? LED 电源 ? 电磁炉、空调、DVD、机顶盒等小家电 参品 引出端排列 DK218M 版本: 1.0

2018 年4月http://www.dkpower.cn 第2页典型功率 产品型号 输入电压 典型功率 DK218M 230VAC 20W 90-265VAC 18W 备注: 典型功率在密闭环境 45℃环境下测试. 引出端功能 管脚序号 管脚名称 描述

1 IS 电流检测输入脚,外接电阻 R=400mV/Ip

2 GND 芯片地

3 FB 反馈引脚

4 VCC 芯片的工作电源正端,外部对地接 4.7uF~10uF 的电容 5,6, 7,8 OC 芯片内部高 NMOS 功率管的漏极引脚 电路结构方框图 DK218M 版本: 1.0

2018 年4月http://www.dkpower.cn 第3页极限参数 参数 符号最小值 典型值 最大值 单位供电电压 VCC US -0 .3 11V V 供电电流 VCC IS

1 mA 引脚电压 UPV -0.3 VCC+0.3 V 耐压 UPP

650 V 峰值电流 IPEAK

1000 mA 总耗散功率 PTOT

800 mW 工作温度范围 TR -25

125 ℃ 储存温度范围 TSTG -55

155 ℃ 焊接温度 TW 280/5S ℃ 电特性参数(TA = 25℃,特殊情况另行说明) 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 VCC 工作电压 AC 输入 85V-----265V 10V V VCC 启动电压 AC 输入 85V-----265V 9.3 V VCC 重启电压 AC 输入 85V-----265V 7.3 V VCC 保护电压 AC 输入 85V-----265V

11 V VCC 工作电流 VCC=4.7V,FB=2.2V

1 mA 启动电流 AC 输入 85V-----265V

1 mA 启动时间 AC 输入 85V,C=10uF

10 ms 功率管耐压 Ioc=1mA

650 650 V 限流保护阈值

360 400

440 mV PWM 输出频率 VCC=10V FB=1.6V--3.2V

61 65

69 KHz VCC=10V FB=3.2V--4.8V

22 65 KHz 短路保护阀值 测量 FB 电压 1.2 V 变频阀值电压 测量 FB 电压 3.2 4.8 V 突发模式阀值 测量 FB 电压

6 V 温度保护 VCC=5V FB=1.6V--3.6V

140 ℃ 前沿消隐时间 VCC=10V

250 ns 最小开通时间 VCC=10V

500 ns 占空比 VCC=10V FB=1.6V--3.6V

5 80 % 待机功耗

60 mW DK218M 版本: 1.0

2018 年4月http://www.dkpower.cn 第4页功能描述 1.上电启动 芯片内置高压启动电流源;

上电启动时当 VCC 电压小于启动电压时,启动 1mA 电流对外部的 VCC 储能电容充电.当VCC 电压达到 9.3V 启动电压的时候,关闭启动电流源,启动过程结束,控制 逻辑开始输出 PWM 脉冲. 2.软启动 上电启动结束后,为防止输出电压建立过程可能产生的变压器磁芯饱和,功率管和次级整流管 应力过大,芯片内置软启动电路,在软启动时间内,最大初级峰值电流为 0.5*Ip.工作频率随输出 电压的升高从