PDF《S-1000 系列》

8 ? 绝对最大额定值 表8(除特殊注明以外: Ta ?

25 °C) 项目 记号 绝对最大额定值 单位 电源电压 VDD-VSS

6 V 输出电压 N 沟道开路漏极输出产品 VOUT VSS-0.3~VSS+6 V CMOS 输出产品 VSS-0.3~VDD+0.3 V 输出电流 IOUT

50 mA 容许功耗 SC-82AB PD

200 (基板未安装时) mW 350*1 mW SOT-23-5

300 (基板未安装时) mW 600*1 mW SNT-4A 300*1 mW 工作环境温度 Topr -40~+85 ?C 保存温度 Tstg -40~+125 ?C *1. 基板安装时 [安装基板] (1) 基板尺寸: 114.3 mm*76.2 mm*t1.6 mm (2) 名称: JEDEC STANDARD51-7 注意 绝对最大额定值是指无论在任何条件下都不能超过的额定值.万一超过此额定值,有可能造成产品劣化 等物理性的损伤.

0 50

100 150

600 400

0 容许功耗 (P D ) [mW] 环境温度 (Ta) [?C]

200 100

300 500

700 SC-82AB SNT-4A SOT-23-5 图7封装容许功耗 (基板安装时) 超小型 高精度电压检测器 Rev.3.1_02 S-1000 系列

9 ? 电气特性 1. N 沟道开路漏极输出产品 表9(除特殊注明以外: Ta ?

25 ?C) 项目 记号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 测定电路 检测电压*1 -VDET -VDET(S) *0.99 -VDET(S) -VDET(S) *1.01 V

1 滞后幅度 VHYS -VDET *0.03 -VDET *0.05 -VDET *0.07 V

1 消耗电流 ISS VDD ?-VDET(S)+1.5 V S-1000N15~39

350 900 nA

2 VDD ? 5.5 V S-1000N40~46

350 900 nA

2 工作电压 VDD 0.95 5.5 V

1 输出电流 IOUT 输出晶体管, N 沟道, VDS ? 0.5 V, VDD ? 1.2 V 1.36 2.55 mA

3 泄漏电流 ILEAK 输出晶体管, N 沟道, VDS ? 5.5 V, VDD ? 5.5 V

100 nA

3 响应时间 tPLH

60 ?s

1 检测电压的 温度系数*2 DET DET V Ta V ? ? ? ? ? Ta ? -40~+85 ?C ±100 ±350 ppm / °C

1 *1. -VDET: 实际检测电压值、-VDET(S): 设定检测电压值(表1的检测电压范围内的中心值) *2. 检测电压的温度变化率?mV/°C?按如下公式计算出来. ? ? ? ?? ? ? ?

1000 C / ppm V Ta V V Typ. V C / mV Ta V DET DET DET(S) DET ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

3 *

2 *

1 * *1. 检测电压的温度变化率 *2. 设定检测电压值 *3. 上述检测电压的温度系数 超小型 高精度电压检测器 S-1000 系列 Rev.3.1_02

10 2. CMOS 输出产品 表10 (除特殊注明以外: Ta ?

25 ?C) 项目 记号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 测定电路 检测电压*1 -VDET -VDET(S) *0.99 -VDET(S) -VDET(S) *1.01 V

1 滞后幅度 VHYS -VDET *0.03 -VDET *0.05 -VDET *0.07 V

1 消耗电流 ISS VDD ? -VDET(S)+1.5 V S-1000C15~39

350 900 nA

2 VDD ? 5.5 V S-1000C40~46

350 900 nA

2 工作........