PDF《22FDX》

22FDX? 22nm全耗尽绝缘体上硅技术 正确的技术用于正确的应用? 格芯22FDX? 22nm FD-SOI(全耗尽绝缘体上硅)工艺技术平台可为连接应用和低功 耗嵌入式应用提供高成本效率的性能.

22nm FD-SOI晶体管技术能够以28nm平面技术的成本,提供与FinFET类似的性 能和能效,并且相比28nm可降低功耗最高达70%.22FDX同时兼具高频率、高 自增益和高电流效率性能,可实现高效、超低功耗的射频/模拟设计. 目标应用和平台解决方案 亮点 ? 22nm FD-SOI技术 + 在德国德累斯顿最先进的晶圆厂制造 + 超低功耗, 可在0.4V运行 + 晶体管背栅极偏压, 可实现性能和功耗间的 能效平衡 + 集成射频功能以降低系统成本, 低射频功耗 的背栅极功能可进一步降低射频功耗达~50% + 超高Fmax,自增益;

极低的毫米波噪声系 数;

FET堆叠,用于单一芯片集成高输出功 率、 高PAE PA和开关 ? 低功耗嵌入式应用 + 5G: