DOC《附件一：》

附件一: 第二批省战略性新兴产业核心技术攻关申报指南

(一)高端新型电子信息.

专题名称:核心高端芯片及其产品开发(专题编号:0110) 1.TD-LTE-Advanced终端芯片核心技术 研究内容:终端基带芯片研究内容包括TD-LTE-Advanced终端功能验证平台的设计与实现,确定芯片架构方案、芯片工艺方案、多核协同工作解决方案,TD-LTE-Advanced/TD-SCDMA双模设计、开发与验证,双模物理层软件的设计与开发,双模高层协议栈软件的设计与开发,双模参考设计方案的设计与开发,芯片和样机测试软件设计与开发;

终端射频芯片研究内容包括分析TD-LTE-Advanced系统对终端射频芯片的指标需求,研究多模多频段射频芯片实现架构,明确与基带芯片的功能划分和控制配合,终端射频芯片要通过实测验证,性能满足TD-LTE-Advanced系统的需求. 主要目标:开发面向商用的支持TD-LTE和TD-SCDMA/GSM的多模终端基带芯片和终端射频芯片,TD-LTE能够满足3GPP R

8、R

9、R10和国内相关规范的要求,TD-SCDMA支持3GPP R7版本.开发支持TD-LTE-Advanced和TD-SCDMA等多模终端基带工程样片. 申报要求:项目完成后达到以下考核指标: 提供100片面向商用的多模芯片给终端厂家,用于运营商牵头的规模试验.完成面向商用芯片的研发,所提供芯片应能够满足3GPP R

7、R

8、R9和国内标准主要指标要求. 向TD-LTE终端设备厂商提供面向商用的基带芯片主要技术指标如下:支持TD-LTE和TD-SCDMA/GSM多模;

上行支持4*4 MIMO方式;

下行支持单/双/多流波束赋形解调;

支持64QAM、16QAM、QPSK和BPSK调制方式;

支持可变速率带宽;

支持非对称时隙配置;

半导体工艺:40 nm线宽(或更先进).完成芯片优化工作,重点是芯片的性能、稳定性和功耗指标能达到面向商用要求. TD-LTE-Advanced 终端射频芯片具体技术要求为:符合3GPP TD-LTE-Advanced及国内相关规范要求;

支持可变带宽;

实现同频段载波聚合,至少支持40 MHz带宽;

支持64QAM,16QAM,QPSK,BPSK调制方式;

上行支持4*4 MIMO 方式;

下行支持8*4 MIMO方式;

支持无线信道跨频段切换,切换时间99%,耐热85℃(3000小时透光率),耐紫外(3000小时透光率),折光系数>1.5,粘度范围1000-10000 cps混合粘度可控,热胀系数小于300ppm,玻璃化温度不在(-40-120℃)范围,成本低于1500元/千克;

研发高效导热塑胶材料和新型散热材料等新材料等. 主要目标: (1)采用新的技术路线,突破国外专利壁垒和技术封锁,掌握具有自主知识产权的核心技术并实现商品化. (2)3年内获得与装备或产品核心技术直接相关的发明专利或国际专利(PCT)3件以上,项目整体技术水平达到国内一流,与国际领先水平基本同步. (3)实现两家用户以上实际销售. 申报要求: (1)申报单位必须为省内注册企业,鼓励产学研联合申报,其中省外高校、科研机构不超过2家. (2)项目实施期为3年,项目产业化必须在广东省境内. (3)申报单位具有较雄厚的实力,前两年产值超过5000万元(按会计师事务所审计报表). (4)项目总投资不低于1亿元. (5)必须提供专利查新报告. 专题名称:LED标准光组件的研究与实施(专题编号: 0827) 研究内容:全面整合全国乃至全球优质资源,以新的技术路线和组织方式,联合企业共同研究提出一系列既适用于当前市场需求,同时又兼顾未来一定时期发展要求的通用级标准光组件产品,实现各生产厂家产品互换、通用和相兼容,规范产品市场,引导企业合理竞争.项目研究内容包括半导体照明光组件基本定义及体系框架设计、光组件适用使用规范及测试方法、新型光组件的研制等. 主要目标: (1)采用新的技术路线,突破国外专利壁垒和技术封锁,掌握具有自主知识产权的核心技术;