编辑: 匕趟臃39 2018-10-24

二、实验内容

1、测量场效应晶体管的输出特性;

2、测量场效应晶体管的转移特性.

三、实验主要仪器设备及材料 半导体特性测试仪、探针台、场效应管等. 实验十三? 半导体材料的赛贝克系数测定

一、实验目的或实验原理

1、了解并掌握几类不同热电效应原理;

2、了解并掌握半导体材料热电系数的测量原理及测量方法;

3、了解并掌握如何通过热电系数判断半导体材料的导电类型.

二、实验内容

1、测量单晶硅样品的热电系数及判断导电类型;

2、测量金属铝样品热电系数;

3、测量金属铜样品热电系数.

三、实验仪器与材料 热电系数测定仪、P型或N型硅片、ITO导电玻璃、金属铝颗粒、金属铜颗粒. 实验十四? 半导体材料的光刻工艺

一、实验目的或实验原理

1、了解并掌握光刻机的基本原理;

2、熟悉光刻胶的类型、曝光的原理及方法;

3、掌握光刻法制备图形的基本技术.

二、实验内容

1、在硅片上光刻法制备简单图形;

2、显微镜观察测量图形尺寸;

三、实验仪器与材料 光刻机、暗室、显微镜、光刻胶、显影液、刻蚀液、不同晶向N型硅片.

(一)教学方法与学时分配 本课程属于实验教学,共72学时. 序号 实验名称 学时 必做/选做

1 绪论

6 必做

2 四探针法测量电阻率

6 必做

3 椭........

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